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公开(公告)号：CN117038615A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311104222.3
申请日：2023-08-30
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种基于MXene中间层的铜‑铜低温键合方法，该方法以MXene层作为无铅焊料与两铜衬底间的中间层，在保护气体和低温下实现两铜衬底的键合。本发明在采用无铅焊料进行Cu‑Cu键合时，以MXene作为焊料与Cu层之间的中间层，可以阻碍键合界面之间铜原子的快速扩散，从而抑制铜锡金属间化合物的过度生长，改善键合界面的力学、热学等性能，提高键合的质量，尤其是提高焊点在高温下长时间工作的可靠性。
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