公开(公告)号：CN117293227A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311454691.8

申请日：2023-11-03

Applicant: 安徽大学

Inventor： 谢超 ,  崔锡胜 ,  程宇 ,  徐世杰 ,  杨良盼 ,  黄志祥

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/108 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开了基于非对称掺杂MXene电极提升Ga2O3深紫外光电探测器性能的方法，该光电探测器是在Ga2O3微米线的两端设置有MXene电极，基于MXene/Ga2O3/MXene结构中形成的肖特基结实现光电探测，通过对一端的MXene电极进行P型掺杂以增大MXene的功函数、对另一端的MXene电极进行N型掺杂以降低MXene的功函数，从而提升Ga2O3微米线与P型掺杂MXene电极之间的势垒高度，增强MXene/Ga2O3/MXene结构中肖特基结的内建电场，实现光生载流子的高效分离和传输，以提升此光电探测器的性能。本发明的方法简单、易于实现。

公开(公告)号：CN117219689A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311454653.2

申请日：2023-11-03

Applicant: 安徽大学

Inventor： 谢超 ,  徐世杰 ,  王毅 ,  崔锡胜 ,  程宇 ,  黄志祥

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  H01L31/109

Abstract: 本发明属于半导体器件领域，公开了通过掺杂提升MXene异质结光电探测器性能的方法，该探测器是通过n型半导体与MXene薄膜构成的异质结实现光电探测，通过采用MoO3对MXene薄膜进行掺杂，增大MXene的功函数，从而与n型半导体产生更大的势垒差，增强异质结的内建电场，实现光生载流子的高效分离和传输，提升光电探测器的性能。本发明获得的MXene‑MoO3薄膜/n型半导体异质结光电探测器，既可以利用半导体对可见光‑近红外光的高吸收率，又可以结合二维材料MXene薄膜高导电性，并结合MoO3掺杂对MXene功函数的调节，从而提升了对探测光的吸收效率以及光生载流子的分离和传输效率。

公开(公告)号：CN117219689B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311454653.2

申请日：2023-11-03

Applicant: 安徽大学

Inventor： 谢超 ,  徐世杰 ,  王毅 ,  崔锡胜 ,  程宇 ,  黄志祥

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  H01L31/109

Abstract: 本发明属于半导体器件领域，公开了通过掺杂提升MXene异质结光电探测器性能的方法，该探测器是通过n型半导体与MXene薄膜构成的异质结实现光电探测，通过采用MoO3对MXene薄膜进行掺杂，增大MXene的功函数，从而与n型半导体产生更大的势垒差，增强异质结的内建电场，实现光生载流子的高效分离和传输，提升光电探测器的性能。本发明获得的MXene‑MoO3薄膜/n型半导体异质结光电探测器，既可以利用半导体对可见光‑近红外光的高吸收率，又可以结合二维材料MXene薄膜高导电性，并结合MoO3掺杂对MXene功函数的调节，从而提升了对探测光的吸收效率以及光生载流子的分离和传输效率。