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公开(公告)号：CN100524518C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510123501.X
申请日：2005-11-17
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C11/412 , G11C11/419
CPC classification number: G11C11/413 , H01L27/11 , H01L27/1104
Abstract: 一种用于存储器阵列的存储单元包括用于存储该存储单元的逻辑状态的存储元件、写电路和读电路。写电路可操作地响应用于选择性地写入该存储单元的逻辑状态的写信号，选择性地使存储元件的第一节点连接到该存储器阵列中的至少第一写位线。读电路包括连接到存储元件的高阻抗输入节点和可连接到该存储器阵列的读位线的输出节点。读电路被配置为响应施加到该读电路的读信号，在输出节点生成代表存储元件的逻辑状态的输出信号。该存储单元被配置为使得写电路在该存储单元的读操作期间被禁用，以便在读操作期间使存储元件与第一写位线隔离。相对于写电路和/或读电路内的至少一个晶体管器件的强度，分别优化存储元件内的至少一个晶体管器件的强度。
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公开(公告)号：CN103715199A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310456100.0
申请日：2013-09-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L29/06 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/76251 , B82Y10/00 , H01L21/76283 , H01L21/84 , H01L27/115 , H01L27/11536 , H01L27/11543 , H01L27/11563 , H01L27/1203 , H01L29/66825 , H01L29/7881
Abstract: 本发明涉及采用半导体纳米颗粒的非易失性存储器件。在衬底的第一绝缘体层的顶面上沉积半导体纳米颗粒。在所述半导体纳米颗粒和所述第一绝缘体层之上沉积第二绝缘体层。然后将半导体层接合到所述第二绝缘体层以提供包括掩埋绝缘体层的绝缘体上半导体衬底，所述掩埋绝缘体层包括所述第一和第二绝缘体层以及嵌入其中的半导体纳米颗粒。在所述掩埋绝缘体层下方形成背栅电极，并且形成浅沟槽隔离结构以隔离所述背栅电极。采用相同的处理步骤在存储器件区域和逻辑器件区域中形成场效应晶体管。嵌入的纳米颗粒可用作非易失性存储器件的电荷存储器元件，其中在写入和擦除期间载流子隧穿通过所述第二绝缘体层而进入或离开所述半导体纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN103871893A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310613247.6
申请日：2013-11-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/823821 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/66795 , H01L29/7851
Abstract: 本发明涉及具有超陡逆行阱的体鳍片FET及其制造方法。一种用于在体衬底中形成鳍片晶体管的方法包括在体衬底上形成超陡逆行阱（SSRW）。阱包括在未掺杂层下形成的第一导电类型掺杂剂的掺杂部分。在未掺杂层上生长的鳍片材料。从鳍片材料形成鳍片结构，并且鳍片材料是未掺杂的或者掺杂的。邻近鳍片结构提供源极和漏极区域以形成鳍片场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN102334164A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201080009228.7
申请日：2010-02-03
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种用于集成电路的片上电压转换装置包括：第一电容器；第一NFET器件，其被配置为选择性地将所述第一电容器的第一电极耦合到第一电压域的低侧电压轨；第一PFET器件，其被配置为选择性地将所述第一电容器的所述第一电极耦合到所述第一电压域的高侧电压轨；第二NFET器件，其被配置为选择性地将所述第一电容器的第二电极耦合到第二电压域的低侧电压轨，其中所述第二电压域的所述低侧电压轨对应于所述第一电压域的所述高侧电压轨；以及第二PFET器件，其被配置为选择性地将所述第一电容器的所述第二电极耦合到所述第二电压域的高侧电压轨。
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公开(公告)号：CN103871893B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310613247.6
申请日：2013-11-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/823821 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/66795 , H01L29/7851
Abstract: 本发明涉及具有超陡逆行阱的体鳍片FET及其制造方法。一种用于在体衬底中形成鳍片晶体管的方法包括在体衬底上形成超陡逆行阱（SSRW）。阱包括在未掺杂层下形成的第一导电类型掺杂剂的掺杂部分。在未掺杂层上生长的鳍片材料。从鳍片材料形成鳍片结构，并且鳍片材料是未掺杂的或者掺杂的。邻近鳍片结构提供源极和漏极区域以形成鳍片场效应晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103715199B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201310456100.0
申请日：2013-09-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L29/06 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/76251 , B82Y10/00 , H01L21/76283 , H01L21/84 , H01L27/115 , H01L27/11536 , H01L27/11543 , H01L27/11563 , H01L27/1203 , H01L29/66825 , H01L29/7881
Abstract: 本发明涉及采用半导体纳米颗粒的非易失性存储器件。在衬底的第一绝缘体层的顶面上沉积半导体纳米颗粒。在所述半导体纳米颗粒和所述第一绝缘体层之上沉积第二绝缘体层。然后将半导体层接合到所述第二绝缘体层以提供包括掩埋绝缘体层的绝缘体上半导体衬底，所述掩埋绝缘体层包括所述第一和第二绝缘体层以及嵌入其中的半导体纳米颗粒。在所述掩埋绝缘体层下方形成背栅电极，并且形成浅沟槽隔离结构以隔离所述背栅电极。采用相同的处理步骤在存储器件区域和逻辑器件区域中形成场效应晶体管。嵌入的纳米颗粒可用作非易失性存储器件的电荷存储器元件，其中在写入和擦除期间载流子隧穿通过所述第二绝缘体层而进入或离开所述半导体纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN1808621A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510123501.X
申请日：2005-11-17
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C11/412 , G11C11/419
CPC classification number: G11C11/413 , H01L27/11 , H01L27/1104
Abstract: 一种用于存储器阵列的存储单元包括用于存储该存储单元的逻辑状态的存储元件、写电路和读电路。写电路可操作地响应用于选择性地写入该存储单元的逻辑状态的写信号，选择性地使存储元件的第一节点连接到该存储器阵列中的至少第一写位线。读电路包括连接到存储元件的相当高阻抗输入节点和可连接到该存储器阵列的读位线的输出节点。读电路被配置为响应施加到该读电路的读信号，在输出节点生成代表存储元件的逻辑状态的输出信号。该存储单元被配置为使得写电路在该存储单元的读操作期间被禁用，以便在读操作期间使存储元件与第一写位线基本隔离。相对于写电路和/或读电路内的至少一个晶体管器件的强度，分别优化存储元件内的至少一个晶体管器件的强度。
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公开(公告)号：CN102334164B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201080009228.7
申请日：2010-02-03
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种用于集成电路的片上电压转换装置包括：第一电容器；第一NFET器件，其被配置为选择性地将所述第一电容器的第一电极耦合到第一电压域的低侧电压轨；第一PFET器件，其被配置为选择性地将所述第一电容器的所述第一电极耦合到所述第一电压域的高侧电压轨；第二NFET器件，其被配置为选择性地将所述第一电容器的第二电极耦合到第二电压域的低侧电压轨，其中所述第二电压域的所述低侧电压轨对应于所述第一电压域的所述高侧电压轨；以及第二PFET器件，其被配置为选择性地将所述第一电容器的所述第二电极耦合到所述第二电压域的高侧电压轨。
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公开(公告)号：CN1309073C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200310116972.9
申请日：2003-12-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/52 , H01L21/70 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H05K1/162 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/50 , H01L2224/16225 , H01L2924/01019 , H01L2924/01055 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/30105 , H05K1/167 , H05K3/4602 , H05K2201/09809
Abstract: 本发明提供一种用于半导体元件的载体，它具有集成在衬底中的无源元件。所述无源元件包括去耦元件，例如：电容器和电阻器。集成一组连接以提供到支持的元件的紧密的电接近。
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公开(公告)号：CN1507046A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310116972.9
申请日：2003-12-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/52 , H01L21/70 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H05K1/162 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/50 , H01L2224/16225 , H01L2924/01019 , H01L2924/01055 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/30105 , H05K1/167 , H05K3/4602 , H05K2201/09809
Abstract: 本发明提供一种用于半导体元件的载体，它具有集成在衬底中的无源元件。所述无源元件包括去耦元件，例如：电容器和电阻器。集成一组连接以提供到支持的元件的紧密的电接近。
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