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公开(公告)号：CN103871893B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310613247.6
申请日：2013-11-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/823821 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/66795 , H01L29/7851
Abstract: 本发明涉及具有超陡逆行阱的体鳍片FET及其制造方法。一种用于在体衬底中形成鳍片晶体管的方法包括在体衬底上形成超陡逆行阱（SSRW）。阱包括在未掺杂层下形成的第一导电类型掺杂剂的掺杂部分。在未掺杂层上生长的鳍片材料。从鳍片材料形成鳍片结构，并且鳍片材料是未掺杂的或者掺杂的。邻近鳍片结构提供源极和漏极区域以形成鳍片场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN103314434B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201280004994.3
申请日：2012-01-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/782 , H01L21/8238 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/66636 , H01L29/78
Abstract: 一种用于形成具有源极/漏极缓冲区（501）的应力沟道场效应晶体管（FET）的方法包括：在位于所述衬底（201）上的栅极叠层（202/203）两侧在所述衬底中蚀刻腔（301）；在所述腔中沉积源极/漏极缓冲材料（401）；蚀刻所述源极/漏极缓冲材料以形成与所述FET的沟道区（502）相邻的垂直源极/漏极缓冲区；以及在所述腔中与所述垂直源极/漏极缓冲区相邻地以及在所述垂直源极/漏极缓冲区上方沉积源极/漏极应力源材料（601）。
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公开(公告)号：CN103871893A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310613247.6
申请日：2013-11-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/823821 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/66795 , H01L29/7851
Abstract: 本发明涉及具有超陡逆行阱的体鳍片FET及其制造方法。一种用于在体衬底中形成鳍片晶体管的方法包括在体衬底上形成超陡逆行阱（SSRW）。阱包括在未掺杂层下形成的第一导电类型掺杂剂的掺杂部分。在未掺杂层上生长的鳍片材料。从鳍片材料形成鳍片结构，并且鳍片材料是未掺杂的或者掺杂的。邻近鳍片结构提供源极和漏极区域以形成鳍片场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN103314434A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201280004994.3
申请日：2012-01-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/782 , H01L21/8238 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/66636 , H01L29/78
Abstract: 一种用于形成具有源极/漏极缓冲区（501）的应力沟道场效应晶体管（FET）的方法包括：在位于所述衬底（201）上的栅极叠层（202/203）两侧在所述衬底中蚀刻腔（301）；在所述腔中沉积源极/漏极缓冲材料（401）；蚀刻所述源极/漏极缓冲材料以形成与所述FET的沟道区（502）相邻的垂直源极/漏极缓冲区；以及在所述腔中与所述垂直源极/漏极缓冲区相邻地以及在所述垂直源极/漏极缓冲区上方沉积源极/漏极应力源材料（601）。
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