公开(公告)号：CN1206156C

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN01121085.0

申请日：2001-06-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·K·陈 ,  C·杰尼斯 ,  L·施 ,  J·L·斯佩德尔 ,  J·F·兹格勒

IPC: B81B7/02 ,  H01P1/20

CPC classification number: H03H3/0072 ,  H03H9/1057 ,  H03H9/2463 ,  H03H9/465

Abstract: 一种使用封装的微电子机械系统(MEMS)器件的通信信号混频和滤波系统和方法。而且，公开了一种制造简单的整体构成的微电子机械系统(MEMS)器件的方法，它把信号混频和滤波的步骤组合起来，它比目前技术中采用的器件更小、更便宜、并在构造和操作上更可靠。

公开(公告)号：CN101097949A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710126817.3

申请日：2007-06-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·杰米 ,  S·扎法 ,  V·K·帕鲁丘里 ,  张立伦 ,  韩金平 ,  M·M·弗兰克 ,  E·古谢夫 ,  K·K·陈 ,  D·A·布坎南 ,  E·A·卡蒂尔 ,  C·P·德埃米克

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构特别地是一种在场效应晶体管(FET)中有用的栅叠层，其中通过对栅电介质材料引入固定空间分布的电荷密度来控制其阈电压。公开nFET和/或pFET结构。按照本发明，栅叠层或FET的固定空间分布的电荷密度指示占据空间的电荷密度，它在器件操作条件下基本上保持为时间函数的常量，并且至少在电介质材料之内的一个位置处，或在它与沟道、栅电极、隔离件或器件的任何其他结构元件之间的界面处为非零。

公开(公告)号：CN102906880B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201180023991.X

申请日：2011-06-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·K·陈 ,  A·杜布 ,  J·R·霍尔特 ,  J·B·约翰逊 ,  J·李 ,  D-G·帕克 ,  朱正茂

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 公开了其中具有嵌入应力源元件的半导体结构。公开的结构包括位于半导体衬底（12）的上表面上的至少一个FET栅极叠层（18）。至少一个FET栅极叠层包括源极和漏极扩展区域（28），其位于半导体衬底中在至少一个栅极叠层的足印处。在源极和漏极扩展区域（28）之间并在下方的至少一个FET栅极叠层（18）之下还存在器件沟道（40）。该结构还包括嵌入应力源元件（33），位于至少一个FET栅极叠层的相对侧上并且在半导体衬底中。每个嵌入应力源元件都包括，从底部到顶部，具有不同于半导体衬底的晶格常数并且在器件沟道中施加应变的第一外延掺杂半导体材料的第一层（35）、位于第一层的顶上的第二外延掺杂半导体材料的第二层（36）以及位于第二层的上表面的掺杂剂的Δ单层。该结构还包括直接位于Δ单层（37）的上表面上的金属半导体合金接触（45）。

公开(公告)号：CN103871893A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310613247.6

申请日：2013-11-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 蔡劲 ,  K·K·陈 ,  R·H·德纳尔德 ,  B·B·多里斯 ,  B·P·林德尔 ,  R·穆拉丽达 ,  G·G·沙希迪

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明涉及具有超陡逆行阱的体鳍片FET及其制造方法。一种用于在体衬底中形成鳍片晶体管的方法包括在体衬底上形成超陡逆行阱（SSRW）。阱包括在未掺杂层下形成的第一导电类型掺杂剂的掺杂部分。在未掺杂层上生长的鳍片材料。从鳍片材料形成鳍片结构，并且鳍片材料是未掺杂的或者掺杂的。邻近鳍片结构提供源极和漏极区域以形成鳍片场效应晶体管。

公开(公告)号：CN101160664B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200580015396.6

申请日：2005-06-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·K·陈 ,  K·W·瓜里尼 ,  M·耶奥 ,  K·里姆 ,  杨敏

IPC: H01L29/04 ,  H01L31/036 ,  H01L29/06 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1054

Abstract: 本发明公开了一种用于传导载流子的结构及其形成方法，结合具有 的上表面的Si或SiGe单晶衬底和SiGe伪晶或外延层，其具有不同于衬底的Ge浓度从而伪晶层处于应变。公开了一种形成半导体外延层的方法，结合在快速热化学气相沉积(RTCVD)工具中通过将工具中的温度升高到约600℃并且引入含Si气体和含Ge气体形成伪晶或外延层的步骤。公开了一种用于外延沉积化学处理衬底的方法，包括如下步骤：将衬底浸入一系列分别含有臭氧，稀HF，去离子水，HCl酸和去离子水的浴中，随后在惰性气氛中干燥衬底以获得无杂质并且具有小于0.1nm的RMS粗糙度的衬底表面。

公开(公告)号：CN103871893B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310613247.6

申请日：2013-11-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 蔡劲 ,  K·K·陈 ,  R·H·德纳尔德 ,  B·B·多里斯 ,  B·P·林德尔 ,  R·穆拉丽达 ,  G·G·沙希迪

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明涉及具有超陡逆行阱的体鳍片FET及其制造方法。一种用于在体衬底中形成鳍片晶体管的方法包括在体衬底上形成超陡逆行阱（SSRW）。阱包括在未掺杂层下形成的第一导电类型掺杂剂的掺杂部分。在未掺杂层上生长的鳍片材料。从鳍片材料形成鳍片结构，并且鳍片材料是未掺杂的或者掺杂的。邻近鳍片结构提供源极和漏极区域以形成鳍片场效应晶体管。

公开(公告)号：CN102804387B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180014121.6

申请日：2011-03-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·K·陈 ,  任志斌 ,  X·王

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/7624 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696

Abstract: 使用具有厚度小于20nm的硅层的绝缘体上硅（SOI）结构来形成极薄绝缘体上硅（ETSOI）半导体器件。使用薄钨背栅101而制造ETSOI器件，该薄钨背栅101被薄氮化物层100、102包封以防止金属氧化，所述钨背栅103的特征在于其低电阻率。该结构还包括具有栅极叠层131、132、133的至少一个FET，所述栅极叠层由高K金属栅极132和叠置在高K金属栅极132上的钨区域133形成，所述栅极叠层的覆盖区利用所述薄SOI层100作为沟道。由此形成的SOI结构控制由薄SOI厚度和其中的掺杂剂所造成的Vt变化。与薄BOX结合的所述ETSOI高K金属背栅完全耗尽器件提供了优良的短沟道控制，并显著降低了漏极诱发偏置和亚阈值摆动。本结构支持具有钨膜的晶片在热处理期间（尤其在STI和接触形成期间）的稳定度的证据。

公开(公告)号：CN102906880A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180023991.X

申请日：2011-06-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·K·陈 ,  A·杜布 ,  J·R·霍尔特 ,  J·B·约翰逊 ,  J·李 ,  D-G·帕克 ,  朱正茂

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 公开了其中具有嵌入应力源元件的半导体结构。公开的结构包括位于半导体衬底（12）的上表面上的至少一个FET栅极叠层（18）。至少一个FET栅极叠层包括源极和漏极扩展区域（28），其位于半导体衬底中在至少一个栅极叠层的足印处。在源极和漏极扩展区域（28）之间并在下方的至少一个FET栅极叠层（18）之下还存在器件沟道（40）。该结构还包括嵌入应力源元件（33），位于至少一个FET栅极叠层的相对侧上并且在半导体衬底中。每个嵌入应力源元件都包括，从底部到顶部，具有不同于半导体衬底的晶格常数的晶格常数并且在器件沟道中施加应变的第一外延掺杂半导体材料的第一层（35）、位于第一层的顶上的第二外延掺杂半导体材料的第二层（36）以及位于第二层的上表面的掺杂剂的Δ单层。该结构还包括直接位于Δ单层（37）的上表面上的金属半导体合金接触（45）。

公开(公告)号：CN102804387A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201180014121.6

申请日：2011-03-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·K·陈 ,  任志斌 ,  X·王

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/7624 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696

Abstract: 使用具有厚度小于20nm的硅层的绝缘体上硅（SOI）结构来形成极薄绝缘体上硅（ETSOI）半导体器件。使用薄钨背栅101而制造ETSOI器件，该薄钨背栅101被薄氮化物层100、102包封以防止金属氧化，所述钨背栅103的特征在于其低电阻率。该结构还包括具有栅极叠层131、132、133的至少一个FET，所述栅极叠层由高K金属栅极132和叠置在高K金属栅极132上的钨区域133形成，所述栅极叠层的覆盖区利用所述薄SOI层100作为沟道。由此形成的SOI结构控制由薄SOI厚度和其中的掺杂剂所造成的Vt变化。与薄BOX结合的所述ETSOI高K金属背栅完全耗尽器件提供了优良的短沟道控制，并显著降低了漏极诱发偏置和亚阈值摆动。本结构支持具有钨膜的晶片在热处理期间（尤其在STI和接触形成期间）的稳定度的证据。

公开(公告)号：CN101160664A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200580015396.6

申请日：2005-06-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·K·陈 ,  K·W·瓜里尼 ,  M·耶奥 ,  K·里姆 ,  杨敏

IPC: H01L29/04 ,  H01L31/036 ,  H01L29/06 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1054

Abstract: 本发明公开了一种用于传导载流子的结构及其形成方法，结合具有〈110〉的上表面的Si或SiGe单晶衬底和SiGe伪晶或外延层，其具有不同于衬底的Ge浓度从而伪晶层处于应变。公开了一种形成半导体外延层的方法，结合在快速热化学气相沉积(RTCVD)工具中通过将工具中的温度升高到约600℃并且引入含Si气体和含Ge气体形成伪晶或外延层的步骤。公开了一种用于外延沉积化学处理衬底的方法，包括如下步骤：将衬底浸入一系列分别含有臭氧，稀HF，去离子水，HCl酸和去离子水的浴中，随后在惰性气氛中干燥衬底以获得无杂质并且具有小于0.1nm的RMS粗糙度的衬底表面。