公开(公告)号：CN101097949A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710126817.3

申请日：2007-06-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·杰米 ,  S·扎法 ,  V·K·帕鲁丘里 ,  张立伦 ,  韩金平 ,  M·M·弗兰克 ,  E·古谢夫 ,  K·K·陈 ,  D·A·布坎南 ,  E·A·卡蒂尔 ,  C·P·德埃米克

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构特别地是一种在场效应晶体管(FET)中有用的栅叠层，其中通过对栅电介质材料引入固定空间分布的电荷密度来控制其阈电压。公开nFET和/或pFET结构。按照本发明，栅叠层或FET的固定空间分布的电荷密度指示占据空间的电荷密度，它在器件操作条件下基本上保持为时间函数的常量，并且至少在电介质材料之内的一个位置处，或在它与沟道、栅电极、隔离件或器件的任何其他结构元件之间的界面处为非零。