-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106098586A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201510783788.2
申请日：2015-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/31111 , H01L21/67086 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/67075
Abstract: 本发明提供了一种用于蚀刻形成在晶圆的正面上的蚀刻层的方法和一种晶圆蚀刻装置。晶圆蚀刻装置包括第一流道、温度调节模块和第二流道。第一流道被配置为运送用以控制晶圆的温度的预热/预冷的液体。温度调节模块连接至第一流道。温度调节模块被配置为控制第一流道中的液体的温度。第二流道被配置为运送用以蚀刻形成在晶圆的正面上的蚀刻层的蚀刻剂。该方法包括：通过使用预热/预冷的液体控制晶圆的温度；以及使用蚀刻剂对蚀刻层进行蚀刻。
-
公开(公告)号：CN113436997A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110710959.4
申请日：2015-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供了一种用于蚀刻形成在晶圆的正面上的蚀刻层的方法。该方法包括：通过使用预热/预冷的液体控制晶圆的温度；以及使用蚀刻剂对蚀刻层进行蚀刻。
-
公开(公告)号：CN107086049B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201710083075.4
申请日：2017-02-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 本公开实施例提供一种电阻式随机存取存储器阵列的操作方法与集成电路芯片，执行电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的读取操作的方法与装置。通过施加非零偏压至未选择的位元线与选择线，借此在不损害对应的存取晶体管的情况下增加读取电流窗口。在一些实施例中，可通过施加第一读取电压至耦接包括被选择的RRAM装置的一RRAM单元列的字线，藉此启动字线。第二读取电压被施加至耦接被选择的RRAM装置的第一电极的位元线。一或多个非零偏压被施加在耦接RRAM单元列中具有未选择的RRAM装置的RRAM单元的位元线与选择线。
-
公开(公告)号：CN107086049A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710083075.4
申请日：2017-02-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 本公开实施例提供一种电阻式随机存取存储器阵列的操作方法与集成电路芯片，执行电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的读取操作的方法与装置。通过施加非零偏压至未选择的位元线与选择线，借此在不损害对应的存取晶体管的情况下增加读取电流窗口。在一些实施例中，可通过施加第一读取电压至耦接包括被选择的RRAM装置的一RRAM单元列的字线，藉此启动字线。第二读取电压被施加至耦接被选择的RRAM装置的第一电极的位元线。一或多个非零偏压被施加在耦接RRAM单元列中具有未选择的RRAM装置的RRAM单元的位元线与选择线。
-
公开(公告)号：CN106972038A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201611222577.2
申请日：2016-12-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/122 , H01L45/146 , H01L45/1666 , H01L45/1691 , H01L27/24 , H01L45/16
Abstract: 本发明的实施例涉及集成电路，该集成电路包括半导体衬底和设置在半导体衬底上方的互连结构。互连结构包括下部金属层、设置在下部金属层上方的中间金属层和设置在中间金属层上方的上部金属层。下部金属层的上表面和中间金属层的下表面通过第一距离垂直间隔开。电阻式随机存取存储器(RRAM)单元布置在下部金属层与上部金属层之间。RRAM单元包括通过具有可变电阻的数据存储层分离的底部电极和顶部电极。数据存储层垂直跨越比第一距离大的第二距离。本发明的实施例还提供了一种形成电阻式随机存取存储器单元的方法。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.026 seconds)
