公开(公告)号：CN107045884A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201611085235.0

申请日：2016-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈祈材 ,  郭文贤 ,  施孟君 ,  王清煌 ,  李嘉富 ,  池育德

IPC: G11C13/00

CPC classification number: H01L27/2436 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/82 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  G11C13/0021

Abstract: 本发明实施例揭示一种非易失性存储器单元，其包括数据存储单元、选择单元及切换单元。所述数据存储单元经配置以存储信息位且具有第一端及第二端。所述第一端耦合到位线。所述选择单元经配置以存取所述数据存储单元，且所述选择单元具有耦合到选择线的第一端、耦合到所述数据存储单元的所述第二端的第二端及耦合到源极线的第三端。所述切换单元经配置以执行形成操作且具有耦合到形成线的第一端及耦合到所述数据存储单元的所述第二端的第二端。

公开(公告)号：CN107086049B

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201710083075.4

申请日：2017-02-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨晋杰 ,  朱文定 ,  张至扬 ,  石昇弘 ,  杨仁盛 ,  涂国基 ,  陈侠威 ,  马尼什·库马尔·辛格 ,  廖昌盛 ,  陈祈材

IPC: G11C13/00

Abstract: 本公开实施例提供一种电阻式随机存取存储器阵列的操作方法与集成电路芯片，执行电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的读取操作的方法与装置。通过施加非零偏压至未选择的位元线与选择线，借此在不损害对应的存取晶体管的情况下增加读取电流窗口。在一些实施例中，可通过施加第一读取电压至耦接包括被选择的RRAM装置的一RRAM单元列的字线，藉此启动字线。第二读取电压被施加至耦接被选择的RRAM装置的第一电极的位元线。一或多个非零偏压被施加在耦接RRAM单元列中具有未选择的RRAM装置的RRAM单元的位元线与选择线。

公开(公告)号：CN107086049A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710083075.4

申请日：2017-02-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨晋杰 ,  朱文定 ,  张至扬 ,  石昇弘 ,  杨仁盛 ,  涂国基 ,  陈侠威 ,  马尼什·库马尔·辛格 ,  廖昌盛 ,  陈祈材

IPC: G11C13/00

Abstract: 本公开实施例提供一种电阻式随机存取存储器阵列的操作方法与集成电路芯片，执行电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的读取操作的方法与装置。通过施加非零偏压至未选择的位元线与选择线，借此在不损害对应的存取晶体管的情况下增加读取电流窗口。在一些实施例中，可通过施加第一读取电压至耦接包括被选择的RRAM装置的一RRAM单元列的字线，藉此启动字线。第二读取电压被施加至耦接被选择的RRAM装置的第一电极的位元线。一或多个非零偏压被施加在耦接RRAM单元列中具有未选择的RRAM装置的RRAM单元的位元线与选择线。