-
公开(公告)号：CN100403516C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200510137415.4
申请日：2005-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76808
Abstract: 本发明提供一种用以制造半导体装置的双镶嵌制程。在一基底上形成一介电层，该介电层内具有至少一连接窗开口。在介电层中的连接窗开口上方形成一沟槽开口并通过原位蚀刻以扩大连接窗开口。本发明所述的用以制造半导体装置的双镶嵌制程，通过原位整合的双镶嵌制程可因简化制程而降低制造成本及增加产能。再者，实施连接窗开口侧向放大步骤所形成的内连线可进一步降低本身的接触电阻，而改善装置的效能。
-
公开(公告)号：CN1885523A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200510137415.4
申请日：2005-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76808
Abstract: 本发明提供一种用以制造半导体装置的双镶嵌制程。在一基底上形成一介电层，其内具有至少一连接窗开口。在介电层中的连接窗开口上方形成一沟槽开口并通过原位蚀刻以扩大连接窗开口。本发明所述的用以制造半导体装置的双镶嵌制程，通过原位整合的双镶嵌制程可因简化制程而降低制造成本及增加产能。再者，实施连接窗开口侧向放大步骤所形成的内连线可进一步降低本身的接触电阻，而改善装置的效能。
-
公开(公告)号：CN110568733A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201810574628.0
申请日：2018-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/30
Abstract: 一种半导体工艺，适于使用半导体设备对半导体晶片进行显影工艺。半导体工艺至少包括下列步骤。在化学溶液经由半导体设备的喷嘴提供至半导体晶片上的期间，藉由半导体设备的摄影装置依序撷取喷嘴的第一图像及第二图像。计算第一图像及第二图像的分析区域中化学溶液所占的比例，以判断半导体设备是否异常。另提供一种适于对半导体晶片进行显影工艺的半导体设备。
-
公开(公告)号：CN110568733B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201810574628.0
申请日：2018-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/30
Abstract: 一种半导体工艺，适于使用半导体设备对半导体晶片进行显影工艺。半导体工艺至少包括下列步骤。在化学溶液经由半导体设备的喷嘴提供至半导体晶片上的期间，藉由半导体设备的摄影装置依序撷取喷嘴的第一图像及第二图像。计算第一图像及第二图像的分析区域中化学溶液所占的比例，以判断半导体设备是否异常。另提供一种适于对半导体晶片进行显影工艺的半导体设备。
-
公开(公告)号：CN102347212B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201010578003.5
申请日：2010-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/32137 , H01L21/31138 , H01L21/32115
Abstract: 本申请描述了一种制造半导体器件的方法。提供具有多个沟槽的基板。该多个沟槽包括具有不同宽度的沟槽。在包括多个沟槽的基板上形成第一层。第一层的形成在叠加在沟槽(例如，宽沟槽)上的区域中在第一层中产生凹陷。在凹陷中形成第二层。第一层被蚀刻，同时第二层保留在凹陷中。该第二层可以防止凹陷区域的厚度进一步减小。在一个实施例中，第一层是多晶硅并且第二层是光刻胶的BARC。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102347212A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010578003.5
申请日：2010-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/32137 , H01L21/31138 , H01L21/32115
Abstract: 本申请描述了一种制造半导体器件的方法。提供具有多个沟槽的基板。该多个沟槽包括具有不同宽度的沟槽。在包括多个沟槽的基板上形成第一层。第一层的形成在叠加在沟槽(例如，宽沟槽)上的区域中在第一层中产生凹陷。在凹陷中形成第二层。第一层被蚀刻，同时第二层保留在凹陷中。该第二层可以防止凹陷区域的厚度进一步减小。在一个实施例中，第一层是多晶硅并且第二层是光刻胶的BARC。
-
公开(公告)号：CN109585306A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811042898.3
申请日：2018-09-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明公开一种制造半导体装置的方法。提供包括半导体装置元件的衬底。在所述衬底之上将顶部导电垫及减反射涂层图案化。所述减反射涂层设置在所述顶部导电垫上。在所述衬底及所述减反射涂层之上形成至少一个钝化膜。刻蚀所述至少一个钝化膜及所述减反射涂层以在所述至少一个钝化膜及所述减反射涂层中形成沟槽来暴露出所述顶部导电垫的一部分。
-
公开(公告)号：CN109557766A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201810819829.2
申请日：2018-07-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请的各种实施例涉及具有发光二极管(LED)的边缘曝光工具以及使用LED的边缘曝光的方法。在一些实施例中，边缘曝光工具包括工艺室、工件台、LED和控制器。工件台位于工艺室中并且被配置为支撑被感光层覆盖的工件。LED位于工艺室内并且被配置为朝向工件发射辐射。控制器被配置为控制LED以将感光层的边缘部分，而不是感光层的中心部分暴露于由LED发射的辐射。感光层的边缘部分沿着工件的边缘以闭合路径延伸以封闭感光层的中心部分。
-
公开(公告)号：CN101510499B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200810135497.2
申请日：2008-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/32139
Abstract: 本发明涉及一种在沟渠中的集成电路结构的蚀刻方法。设置欲蚀刻层于此结构上与沟渠中。沉积碳氟基(CF-based)聚合物于欲蚀刻层上，再沉积氧氯化硅(SiOCl)基聚合物的覆盖层。碳氟基聚合物降低沟渠的宽度至一程度，以使很少或没有氧氯化硅基聚合物沉积在沟渠的底部。进行氧等离子体蚀刻，以蚀刻穿过位在沟渠底部的碳氟基聚合物。此氧等离子体蚀刻对氧氯化硅基聚合物具有很小的作用，因此结构的上表面仍受到聚合物的覆盖。因此，这些上表面在后续蚀刻欲蚀刻层期间仍受到充分的保护。
-
公开(公告)号：CN101510499A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200810135497.2
申请日：2008-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/32139
Abstract: 本发明涉及一种在沟渠中的集成电路结构的蚀刻方法。设置欲蚀刻层于此结构上与沟渠中。沉积碳氟基(CF－based)聚合物于欲蚀刻层上，再沉积氧氯化硅(SiOCl)基聚合物的覆盖层。碳氟基聚合物降低沟渠的宽度至一程度，以使很少或没有氧氯化硅基聚合物沉积在沟渠的底部。进行氧等离子体蚀刻，以蚀刻穿过位在沟渠底部的碳氟基聚合物。此氧等离子体蚀刻对氧氯化硅基聚合物具有很小的作用，因此结构的上表面仍受到聚合物的覆盖。因此，这些上表面在后续蚀刻欲蚀刻层期间仍受到充分的保护。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.026 seconds)
