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1.

发明公开
制造半导体装置的方法无效

公开(公告)号：CN109585306A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811042898.3

申请日：2018-09-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 房汉文 , 钟嘉麒 , 许志贤 , 曾建华 , 吴建升 , 陈俊彦 , 黄天志 , 陈韦达 , 苏雅屏

IPC: H01L21/48

Abstract: 本发明公开一种制造半导体装置的方法。提供包括半导体装置元件的衬底。在所述衬底之上将顶部导电垫及减反射涂层图案化。所述减反射涂层设置在所述顶部导电垫上。在所述衬底及所述减反射涂层之上形成至少一个钝化膜。刻蚀所述至少一个钝化膜及所述减反射涂层以在所述至少一个钝化膜及所述减反射涂层中形成沟槽来暴露出所述顶部导电垫的一部分。

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