公开(公告)号：CN114975166A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210054090.7

申请日：2022-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建良 ,  王健宇 ,  陈韦达 ,  郑又宁 ,  陈世宗 ,  李永尧

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明实施例提供一种用于气体流向控制的悬臂配置为支持关联的蚀刻工艺腔室中的电极收容盆。悬臂可以具有圆形、椭圆形或翼型形的横截面。悬臂的形状引起在腔室内且在悬臂周围的气体及蚀刻产物的流动，减少了晶片边缘的周围的紊流。

公开(公告)号：CN111261550B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN201911216151.X

申请日：2019-12-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王兴翔 ,  林钰翔 ,  彭杏威 ,  邱碧云 ,  蔡妙欣 ,  陈韦达 ,  陈青宏 ,  黄正义

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3213 ,  G03F7/42

Abstract: 一种半导体制造方法及工艺腔室。在一实施例中，一种半导体制造方法，包括在工艺腔室内接收在金属层上方具有光刻胶遮罩的晶圆，其中工艺腔室连接至气体来源。所述半导体制造方法还包括在工艺腔室内根据光刻胶遮罩而施加配置以蚀刻金属层的蚀刻剂。所述半导体制造方法还包括在工艺腔室中施加来自气体来源的气体以进行等离子体灰化。

公开(公告)号：CN109585306A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811042898.3

申请日：2018-09-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 房汉文 ,  钟嘉麒 ,  许志贤 ,  曾建华 ,  吴建升 ,  陈俊彦 ,  黄天志 ,  陈韦达 ,  苏雅屏

IPC: H01L21/48

Abstract: 本发明公开一种制造半导体装置的方法。提供包括半导体装置元件的衬底。在所述衬底之上将顶部导电垫及减反射涂层图案化。所述减反射涂层设置在所述顶部导电垫上。在所述衬底及所述减反射涂层之上形成至少一个钝化膜。刻蚀所述至少一个钝化膜及所述减反射涂层以在所述至少一个钝化膜及所述减反射涂层中形成沟槽来暴露出所述顶部导电垫的一部分。

公开(公告)号：CN111261550A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911216151.X

申请日：2019-12-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王兴翔 ,  林钰翔 ,  彭杏威 ,  邱碧云 ,  蔡妙欣 ,  陈韦达 ,  陈青宏 ,  黄正义

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3213 ,  G03F7/42

Abstract: 一种半导体制造方法及工艺腔室。在一实施例中，一种半导体制造方法，包括在工艺腔室内接收在金属层上方具有光刻胶遮罩的晶圆，其中工艺腔室连接至气体来源。所述半导体制造方法还包括在工艺腔室内根据光刻胶遮罩而施加配置以蚀刻金属层的蚀刻剂。所述半导体制造方法还包括在工艺腔室中施加来自气体来源的气体以进行等离子体灰化。