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公开(公告)号：CN111125994B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201911032523.3
申请日：2019-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/398
Abstract: 一种用于评估热敏结构的计算应用方法包括识别集成电路设计布局中的热敏结构，热敏结构的特征在于标称温度；识别热敏结构的热耦合范围内的发热结构；计算第一发热结构的工作温度；计算由于在工作温度下热耦合至发热结构引起的热敏结构的温度增量；以及在评估温度下执行热敏结构的电迁移(EM)分析，评估温度是通过以由于发热结构引起的温度增量来调整标称温度而获得。一种用于评估集成电路设计中的热敏结构的计算应用方法及评估集成电路设计中的热敏结构的系统亦在此揭露。
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公开(公告)号：CN108962852B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201710948498.8
申请日：2017-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/40 , H01L23/535
Abstract: 本申请提供半导体装置结构，半导体装置结构包含半导体基底、栅极堆叠以及互连结构位于栅极堆叠和半导体基底上方。半导体装置结构也包含电阻元件位于互连结构上方，且电阻元件位于栅极堆叠的正上方。半导体装置结构还包含导热元件位于互连结构上方，在电阻元件的主表面上的导热元件的直接投影延伸跨过主表面的第一虚线的一部分和第二虚线的一部分，第一虚线垂直于第二虚线，第一虚线和第二虚线相交于主表面的中心，半导体装置结构包含介电层将导热元件与电阻元件隔开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108962852A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710948498.8
申请日：2017-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/40 , H01L23/535
Abstract: 本申请提供半导体装置结构，半导体装置结构包含半导体基底、栅极堆叠以及互连结构位于栅极堆叠和半导体基底上方。半导体装置结构也包含电阻元件位于互连结构上方，且电阻元件位于栅极堆叠的正上方。半导体装置结构还包含导热元件位于互连结构上方，在电阻元件的主表面上的导热元件的直接投影延伸跨过主表面的第一虚线的一部分和第二虚线的一部分，第一虚线垂直于第二虚线，第一虚线和第二虚线相交于主表面的中心，半导体装置结构包含介电层将导热元件与电阻元件隔开。
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公开(公告)号：CN107768367A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201610956886.6
申请日：2016-11-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/088
CPC classification number: H01L29/1037 , H01L21/26513 , H01L21/26586 , H01L21/266 , H01L21/30625 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/76224 , H01L29/0653 , H01L29/66803 , H01L29/6681 , H01L29/66818 , H01L29/7851 , H01L29/7853 , H01L29/7854 , H01L27/0248 , H01L27/0251 , H01L27/0886
Abstract: 一种半导体组件包括具有衬底主要表面的衬底、位于衬底主要表面上且具有与衬底主要表面相隔一距离的第二主要表面的介电材料、以及自衬底主要表面延伸穿过介电材料的多个鳍，其中多个鳍包括第一鳍子集以及第二鳍子集，与第二鳍子集相比，第一鳍子集位于较靠近多个鳍的中心，且第一鳍子集的每一鳍在操作半导体组件期间所产生热量少于第二鳍子集的每一鳍在操作半导体组件期间所产生的热量。
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公开(公告)号：CN110858265B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN201910773341.5
申请日：2019-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/367 , G06F30/392 , G06F30/398 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F115/06
Abstract: 一种评估热敏结构的方法。揭露了一种电迁移(EM：electromigration)验证方法，该电迁移验证方法分析集成电路设计布局以识别热敏结构、自我加热效应、发热结构和散热结构。该EM验证方法包括通过以下方式来对热敏结构的评估温度进行调节：计算温度敏感结构内的自我加热效应，以及作为与位于限定的热耦合范围内的周围发热结构和/或散热元件的热耦合的函数的额外加热和/或冷却。评估集成电路设计的热敏结构的方法亦在此揭露。
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公开(公告)号：CN111125994A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911032523.3
申请日：2019-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/398
Abstract: 一种用于评估热敏结构的方法包括识别集成电路设计布局中的热敏结构，热敏结构的特征在于标称温度；识别热敏结构的热耦合范围内的发热结构；计算第一发热结构的工作温度；计算由于在工作温度下热耦合至发热结构引起的热敏结构的温度增量；以及在评估温度下执行热敏结构的电迁移(EM)分析，评估温度是通过以由于发热结构引起的温度增量来调整标称温度而获得。
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公开(公告)号：CN110858265A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910773341.5
申请日：2019-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/367 , G06F30/392 , G06F30/398 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F115/06
Abstract: 一种评估热敏结构的方法。揭露了一种电迁移(EM：electromigration)验证方法，该电迁移验证方法分析集成电路设计布局以识别热敏结构、自我加热效应、发热结构和散热结构。该EM验证方法包括通过以下方式来对热敏结构的评估温度进行调节：计算温度敏感结构内的自我加热效应，以及作为与位于限定的热耦合范围内的周围发热结构和/或散热元件的热耦合的函数的额外加热和/或冷却。
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