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公开(公告)号：CN107017246A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611047186.1
申请日：2016-11-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: G06F17/5081 , G06F17/5036 , G06F2217/76 , H01L27/0207
Abstract: 本发明实施例执行一种确定电路的电迁移EM合规性的方法。所述方法包含：提供所述电路的布局，所述布局包括一或多个金属线；及改变所述布局中的多个网的一或多个网内的所述一或多个金属线中的一或多者的性质。所述网中的每一者包含所述一或多个金属线的子集。所述方法还包含：确定仅在所述一或多个网内汲取的一或多个电流值；及比较汲取的所述确定的一或多个电流值与对应阈值。基于所述比较，提供所述布局是否是合规的指示。将所述合规布局中的所述一或多个金属线的图案转印到待用于在衬底上制造所述电路的掩模。
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公开(公告)号：CN111125994B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201911032523.3
申请日：2019-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/398
Abstract: 一种用于评估热敏结构的计算应用方法包括识别集成电路设计布局中的热敏结构，热敏结构的特征在于标称温度；识别热敏结构的热耦合范围内的发热结构；计算第一发热结构的工作温度；计算由于在工作温度下热耦合至发热结构引起的热敏结构的温度增量；以及在评估温度下执行热敏结构的电迁移(EM)分析，评估温度是通过以由于发热结构引起的温度增量来调整标称温度而获得。一种用于评估集成电路设计中的热敏结构的计算应用方法及评估集成电路设计中的热敏结构的系统亦在此揭露。
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公开(公告)号：CN106935527B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201611001163.7
申请日：2016-11-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电迁移(EM)签核方法，该电迁移签核方法使用不同的温度确定集成芯片设计的不同电网络上的部件的EM违规。在一些实施例中，所述方法确定多个实际温度，所述多个实际温度分别对应于集成芯片设计内多个电网络之一中的一个或多个部件。确定所述多个电网络的选择的电网络内的部件的电迁移容限。在对应于所述选择的电网络内的所述部件的所述多个实际温度之一时确定该电迁移容限。将电迁移容限与电迁移标度进行比较，以确定在所述选择的电网络内是否存在所述部件的电迁移违规。对于不同电网络上的部件使用不同的实际温度减少了伪EM违规，因而减少了设计开销的损失。本发明还涉及电迁移签核系统。
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公开(公告)号：CN106935527A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201611001163.7
申请日：2016-11-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电迁移(EM)签核方法，该电迁移签核方法使用不同的温度确定集成芯片设计的不同电网络上的部件的EM违规。在一些实施例中，所述方法确定多个实际温度，所述多个实际温度分别对应于集成芯片设计内多个电网络之一中的一个或多个部件。确定所述多个电网络的选择的电网络内的部件的电迁移容限。在对应于所述选择的电网络内的所述部件的所述多个实际温度之一时确定该电迁移容限。将电迁移容限与电迁移标度进行比较，以确定在所述选择的电网络内是否存在所述部件的电迁移违规。对于不同电网络上的部件使用不同的实际温度减少了伪EM违规，因而减少了设计开销的损失。本发明还涉及电迁移签核系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111125994A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911032523.3
申请日：2019-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/398
Abstract: 一种用于评估热敏结构的方法包括识别集成电路设计布局中的热敏结构，热敏结构的特征在于标称温度；识别热敏结构的热耦合范围内的发热结构；计算第一发热结构的工作温度；计算由于在工作温度下热耦合至发热结构引起的热敏结构的温度增量；以及在评估温度下执行热敏结构的电迁移(EM)分析，评估温度是通过以由于发热结构引起的温度增量来调整标称温度而获得。
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公开(公告)号：CN110858265A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910773341.5
申请日：2019-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/367 , G06F30/392 , G06F30/398 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F115/06
Abstract: 一种评估热敏结构的方法。揭露了一种电迁移(EM：electromigration)验证方法，该电迁移验证方法分析集成电路设计布局以识别热敏结构、自我加热效应、发热结构和散热结构。该EM验证方法包括通过以下方式来对热敏结构的评估温度进行调节：计算温度敏感结构内的自我加热效应，以及作为与位于限定的热耦合范围内的周围发热结构和/或散热元件的热耦合的函数的额外加热和/或冷却。
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公开(公告)号：CN110858265B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN201910773341.5
申请日：2019-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/367 , G06F30/392 , G06F30/398 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F115/06
Abstract: 一种评估热敏结构的方法。揭露了一种电迁移(EM：electromigration)验证方法，该电迁移验证方法分析集成电路设计布局以识别热敏结构、自我加热效应、发热结构和散热结构。该EM验证方法包括通过以下方式来对热敏结构的评估温度进行调节：计算温度敏感结构内的自我加热效应，以及作为与位于限定的热耦合范围内的周围发热结构和/或散热元件的热耦合的函数的额外加热和/或冷却。评估集成电路设计的热敏结构的方法亦在此揭露。
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公开(公告)号：CN114512417A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210001581.5
申请日：2022-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66 , G06F30/392 , G06F30/398
Abstract: 本公开涉及用于电子迁移评估的方法及设备。本公开提供一种用于测试半导体装置的方法及设备。所述方法包含：在集成电路设计布局中提供作用区；将所述作用区分组成第一区及第二区；计算所述作用区的所述第一区的第一自热温度；计算所述作用区的所述第二区的第二自热温度；及基于所述第一自热温度及所述第二自热温度来确定电子迁移EM评估。
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公开(公告)号：CN111199894A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911032462.0
申请日：2019-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66 , G06F30/392
Abstract: 本案提供一种电迁移检查方法，包括以下步骤：对原理图进行电迁移(electromigration；EM)检查制程，进行缓解制程以缓解在EM检查制程期间识别到的一或多个电迁移违规，及在设计制程的至少一次迭代后生成原理图设计的布局设计，此设计制程包括EM检查制程及缓解制程。EM检查制程包括在原理图中选择至少一些电路系统作为电迁移检查的选定电路系统，及检查所选定电路系统中的电迁移合规性。缓解制程包括以下一者：更改所选定电路系统的一些电路布局，更改原理图，或更改原理图与所选定电路系统的一些电路布局两者。
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