-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110858265B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN201910773341.5
申请日：2019-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/367 , G06F30/392 , G06F30/398 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F115/06
Abstract: 一种评估热敏结构的方法。揭露了一种电迁移(EM：electromigration)验证方法，该电迁移验证方法分析集成电路设计布局以识别热敏结构、自我加热效应、发热结构和散热结构。该EM验证方法包括通过以下方式来对热敏结构的评估温度进行调节：计算温度敏感结构内的自我加热效应，以及作为与位于限定的热耦合范围内的周围发热结构和/或散热元件的热耦合的函数的额外加热和/或冷却。评估集成电路设计的热敏结构的方法亦在此揭露。
-
公开(公告)号：CN110858265A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910773341.5
申请日：2019-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/367 , G06F30/392 , G06F30/398 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F115/06
Abstract: 一种评估热敏结构的方法。揭露了一种电迁移(EM：electromigration)验证方法，该电迁移验证方法分析集成电路设计布局以识别热敏结构、自我加热效应、发热结构和散热结构。该EM验证方法包括通过以下方式来对热敏结构的评估温度进行调节：计算温度敏感结构内的自我加热效应，以及作为与位于限定的热耦合范围内的周围发热结构和/或散热元件的热耦合的函数的额外加热和/或冷却。
-
公开(公告)号：CN110970415B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN201910893239.9
申请日：2019-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10D30/62 , H01L23/367 , H10D89/10 , H10D89/60
Abstract: 本申请是提供一种半导体元件的布局，其储存在非暂时性计算机可读媒体中。此布局包括在主动元件区域中的第一晶体管及在保护环区域中的第二晶体管。第一晶体管包括第一通道区域、跨越第一通道区域的第一栅极结构，及在第一通道区域的相对两侧上的第一源极区域及第一漏极区域。第二晶体管包括第二通道区域、跨越第二通道区域的第二栅极结构，及在第二通道区域的相对两侧上的第二源极区域及第二漏极区域。第二通道区域包括半导体材料，半导体材料具有比第一通道区域的半导体材料高的热导率。
-
公开(公告)号：CN114690829A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210026763.8
申请日：2022-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F1/565
Abstract: 本揭示内容提供一种温度补偿电路、电压参考电路及产生参考电压的方法。一温度补偿电路可包括与绝对温度成比例(PTAT)电路及与绝对温度互补(CTAT)电路，其中PTAT电路及CTAT电路包括至少一公共金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)，且用以回应于经调整的电流输入而共同产生参考电压。PTAT电路可用以随着温度的升高而产生参考电压的幅度的增大，且CTAT电路可用以随着温度的升高而产生参考电压的幅度的减小，其中由PTAT电路产生的参考电压的幅度的增大至少部分地被由CTAT电路产生的参考电压的幅度的减小所抵消。
-
公开(公告)号：CN110970415A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910893239.9
申请日：2019-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/088 , H01L23/367
Abstract: 本申请是提供一种半导体元件的布局，其储存在非暂时性计算机可读媒体中。此布局包括在主动元件区域中的第一晶体管及在保护环区域中的第二晶体管。第一晶体管包括第一通道区域、跨越第一通道区域的第一栅极结构，及在第一通道区域的相对两侧上的第一源极区域及第一漏极区域。第二晶体管包括第二通道区域、跨越第二通道区域的第二栅极结构，及在第二通道区域的相对两侧上的第二源极区域及第二漏极区域。第二通道区域包括半导体材料，半导体材料具有比第一通道区域的半导体材料高的热导率。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.03 seconds)
