基于纳米微腔结构衬底转移二维材料的方法

    公开(公告)号:CN116190211A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202310451636.7

    申请日:2023-04-25

    Abstract: 本发明公开一种基于纳米微腔结构衬底转移二维材料的方法,属于二维材料转移技术领域。具体包括如下步骤:先制备PDMS/载玻片结构;再利用机械剥离的方法将二维材料转移到PDMS表面,剪掉多余的PDMS薄膜;接着利用纳米压印技术和等离子刻蚀工艺制备具有纳米微腔结构的目标衬底;最后通过控制转移平台的速度,在“慢放快起”的操作原则指导下将二维材料成功贴合到目标衬底上。利用该方法进行二维材料的转移可减少二维材料表面残胶及界面处的气泡,得到均匀、干净的高质量二维材料,且制备过程对二维材料无损伤,高效实现了二维材料和微纳结构材料的结合,可有效拓宽二维材料的应用前景。

    基于有限状态机的情绪波动模型分析方法

    公开(公告)号:CN109472290B

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN201811181916.6

    申请日:2018-10-11

    Abstract: 本发明揭示了一种基于有限状态机的情绪波动模型分析方法,包括:S1、使用体征采集设备采集生理数据,进行特征提取;S2、将特征用支持向量机分类器进行情绪分类识别,得到每个时间段内的情绪;S3、描述情感状态转移过程,构建并估计状态序列;S4、进行心理情绪问卷调查,计算得到情感状态序列集;S5、进行PAD情绪量表问卷调查,将结果经过PAD模型分类训练后得到情绪样本,标注情绪状态,进行监督学习训练;S6、通过情绪状态序列集、模型分析结果及监督学习训练结果,完成对情绪波动、情绪质量的预测。本方法可以与现有方法相配合,实现主客观两方面的融合,突破了单一情感生理信号与情感间的关系及仅考虑客观因素的研究局限。

    具有SHG响应的二维有机/无机异质结光电器件及其制备

    公开(公告)号:CN119816079A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202510295715.2

    申请日:2025-03-13

    Abstract: 本发明公开一种具有SHG响应的二维有机/无机异质结光电器件及其制备,属于非线性光学器件技术领域。制备时,先通过机械剥离法将二维无机材料对撕到衬底上,得二维无机材料/衬底结构;再通过外延生长法诱导有机分子在二维无机材料表面有序排列,形成有机/无机异质结。本申请通过调控有机分子的覆盖度和二维无机材料的厚度优化异质结界面处的电荷转移,从而增强材料的SHG响应,所制Me‑PTCDI/GaSe异质结的SHG响应强度优于单一组分,其光谱响应可以从原本的可见光范围拓展到近红外波段,SHG转换效率甚至高达0.26%,在非线性光学器件中具有重要应用潜力。

    基于缺陷结构化SU8超表面增强WS2光电探测器性能方法

    公开(公告)号:CN119170715A

    公开(公告)日:2024-12-20

    申请号:CN202411680402.0

    申请日:2024-11-22

    Abstract: 本发明属于光学超表面、二维光电探测器技术领域,具体提出一种基于缺陷结构化SU8超表面增强WS2光电探测器性能方法,利用纳米压印技术和RIE刻蚀工艺制备了缺陷结构化的SU8超表面薄膜,有效提升WS2光电探测器性能响应度R、探测率D*、量子效率EQE一个量级左右;制备流程简单便捷,提高了科研生产效率和器件制备良品率;在RIE刻蚀工艺中可以根据具体情况改变通入O2的时长,自由调控是否引入缺陷,以及引入缺陷的程度高低,使器件性能提升达到最大化;SU8超表面薄膜具备一定的封装效果,能够抑制WS2测试时的光氧化降解,提高WS2光电探测器暴露在空气中时的稳定性,同时不会降低WS2光电探测器的响应速度。

    二维无机/无机范德华异质结光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118825106A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202410901069.5

    申请日:2024-07-05

    Abstract: 本发明公开一种二维无机/无机范德华异质结光电探测器及其制备方法,属于光电器件技术领域。衬底上依次设置二维MoSe2材料层、二维MoS2材料层和金薄膜;二维材料层均利用干法转移的方式转移至衬底上,两个二维材料层构成范德华异质结垂直结构,实现范德华接触;金薄膜与异质结间亦为范德华金属接触。MoS2/MoSe2范德华异质结构的搭建增强了MoS2的光吸收,且MoS2/MoSe2异质结具有快速电荷转移,金电极与二维材料间范德华接触可降低接触电阻,二维材料的固有特性也通过减少金属‑半导体界面的费米能级钉扎而得以保留,多重作用下使得器件同时具有高光响应度(528.1A/W)和快速光响应(上升和下降的响应时间分别为3.0μs和31.3μs),能够实现高频率的快速成像,在单像素成像领域具有广阔的应用前景。

    基于软纳米压印的TMDC材料图案化方法

    公开(公告)号:CN118145593A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202410566775.9

    申请日:2024-05-09

    Abstract: 基于软纳米压印的TMDC材料图案化方法,根据TMDC二维材料的厚度调整SF6气体刻蚀时间,能够自由调控纳米图案深度,实现不同光学性能需求的适配;针对性的优化RIE电子束刻蚀工艺实现了大面积的样品制备,能够实现TMDC二维材料全面积图案化;极大优化了工艺过程,提升了科研生产效率,降低了工艺成本;在与光电器件集成时,本方法使用氧化硅片作为衬底时,需先使用RIE等离子刻蚀机通入O2 5s处理氧化硅片表面,增加其亲水性,使得SU8旋涂的更加均匀;本方法对不同厚度、种类的TMDC具有普适性。

    基于纳米微腔结构衬底转移二维材料的方法

    公开(公告)号:CN116190211B

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202310451636.7

    申请日:2023-04-25

    Abstract: 本发明公开一种基于纳米微腔结构衬底转移二维材料的方法,属于二维材料转移技术领域。具体包括如下步骤:先制备PDMS/载玻片结构;再利用机械剥离的方法将二维材料转移到PDMS表面,剪掉多余的PDMS薄膜;接着利用纳米压印技术和等离子刻蚀工艺制备具有纳米微腔结构的目标衬底;最后通过控制转移平台的速度,在“慢放快起”的操作原则指导下将二维材料成功贴合到目标衬底上。利用该方法进行二维材料的转移可减少二维材料表面残胶及界面处的气泡,得到均匀、干净的高质量二维材料,且制备过程对二维材料无损伤,高效实现了二维材料和微纳结构材料的结合,可有效拓宽二维材料的应用前景。

    基于有限状态机的情绪波动模型分析方法

    公开(公告)号:CN109472290A

    公开(公告)日:2019-03-15

    申请号:CN201811181916.6

    申请日:2018-10-11

    Abstract: 本发明揭示了一种基于有限状态机的情绪波动模型分析方法,包括:S1、使用体征采集设备采集生理数据,进行特征提取;S2、将特征用支持向量机分类器进行情绪分类识别,得到每个时间段内的情绪;S3、描述情感状态转移过程,构建并估计状态序列;S4、进行心理情绪问卷调查,计算得到情感状态序列集;S5、进行PAD情绪量表问卷调查,将结果经过PAD模型分类训练后得到情绪样本,标注情绪状态,进行监督学习训练;S6、通过情绪状态序列集、模型分析结果及监督学习训练结果,完成对情绪波动、情绪质量的预测。本方法可以与现有方法相配合,实现主客观两方面的融合,突破了单一情感生理信号与情感间的关系及仅考虑客观因素的研究局限。

Patent Agency Ranking