公开(公告)号：CN118825106A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410901069.5

申请日：2024-07-05

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵慧娟 ,  王羽凡 ,  高丽 ,  于远方 ,  唐森垚 ,  成亚敏 ,  李姝涵

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/032 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开一种二维无机/无机范德华异质结光电探测器及其制备方法，属于光电器件技术领域。衬底上依次设置二维MoSe2材料层、二维MoS2材料层和金薄膜；二维材料层均利用干法转移的方式转移至衬底上，两个二维材料层构成范德华异质结垂直结构，实现范德华接触；金薄膜与异质结间亦为范德华金属接触。MoS2/MoSe2范德华异质结构的搭建增强了MoS2的光吸收，且MoS2/MoSe2异质结具有快速电荷转移，金电极与二维材料间范德华接触可降低接触电阻，二维材料的固有特性也通过减少金属‑半导体界面的费米能级钉扎而得以保留，多重作用下使得器件同时具有高光响应度(528.1A/W)和快速光响应(上升和下降的响应时间分别为3.0μs和31.3μs)，能够实现高频率的快速成像，在单像素成像领域具有广阔的应用前景。