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公开(公告)号：CN119450252A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202510014025.5
申请日：2025-01-06
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04N25/703 , H04N1/44 , H10F30/222 , H10F77/12 , H10F77/42
Abstract: 本发明公开基于二维无机/无机范德华异质结偏振光电探测器进行通信加密的方法，属于光电器件技术领域。所述光电探测器包括衬底、二维MoSe2材料层、二维ReS2材料层和薄膜电极，两个二维材料层构成范德华垂直异质结且为II型异质结构；由于ReS2各向异性的光吸收、MoSe2有效的载流子收集和输运能力以及异质结对暗电流的抑制作用，二维ReS2/MoSe2光电探测器的光电性能明显提升，同时具备89.4 A/W的高响应度、30.5 µs的快响应速度以及偏振敏感特性，在此基础上借助偏振态信息加密技术对信息进行多重加密，能极大提升信息传输过程的隐蔽性和安全性，为未来安全通讯技术的发展提供新的可能。
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公开(公告)号：CN119170715A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411680402.0
申请日：2024-11-22
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/09 , H01L21/67
Abstract: 本发明属于光学超表面、二维光电探测器技术领域，具体提出一种基于缺陷结构化SU8超表面增强WS2光电探测器性能方法，利用纳米压印技术和RIE刻蚀工艺制备了缺陷结构化的SU8超表面薄膜，有效提升WS2光电探测器性能响应度R、探测率D*、量子效率EQE一个量级左右；制备流程简单便捷，提高了科研生产效率和器件制备良品率；在RIE刻蚀工艺中可以根据具体情况改变通入O2的时长，自由调控是否引入缺陷，以及引入缺陷的程度高低，使器件性能提升达到最大化；SU8超表面薄膜具备一定的封装效果，能够抑制WS2测试时的光氧化降解，提高WS2光电探测器暴露在空气中时的稳定性，同时不会降低WS2光电探测器的响应速度。
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公开(公告)号：CN118825106A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410901069.5
申请日：2024-07-05
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种二维无机/无机范德华异质结光电探测器及其制备方法，属于光电器件技术领域。衬底上依次设置二维MoSe2材料层、二维MoS2材料层和金薄膜；二维材料层均利用干法转移的方式转移至衬底上，两个二维材料层构成范德华异质结垂直结构，实现范德华接触；金薄膜与异质结间亦为范德华金属接触。MoS2/MoSe2范德华异质结构的搭建增强了MoS2的光吸收，且MoS2/MoSe2异质结具有快速电荷转移，金电极与二维材料间范德华接触可降低接触电阻，二维材料的固有特性也通过减少金属‑半导体界面的费米能级钉扎而得以保留，多重作用下使得器件同时具有高光响应度(528.1A/W)和快速光响应(上升和下降的响应时间分别为3.0μs和31.3μs)，能够实现高频率的快速成像，在单像素成像领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN119450252B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510014025.5
申请日：2025-01-06
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04N25/703 , H04N1/44 , H10F30/222 , H10F77/12 , H10F77/42
Abstract: 本发明公开基于二维无机/无机范德华异质结偏振光电探测器进行通信加密的方法，属于光电器件技术领域。所述光电探测器包括衬底、二维MoSe2材料层、二维ReS2材料层和薄膜电极，两个二维材料层构成范德华垂直异质结且为II型异质结构；由于ReS2各向异性的光吸收、MoSe2有效的载流子收集和输运能力以及异质结对暗电流的抑制作用，二维ReS2/MoSe2光电探测器的光电性能明显提升，同时具备89.4 A/W的高响应度、30.5 µs的快响应速度以及偏振敏感特性，在此基础上借助偏振态信息加密技术对信息进行多重加密，能极大提升信息传输过程的隐蔽性和安全性，为未来安全通讯技术的发展提供新的可能。
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