公开(公告)号：CN118145593B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410566775.9

申请日：2024-05-09

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 高丽 ,  王玮奇 ,  王素梅 ,  赵慧娟 ,  李姝涵 ,  王羽凡 ,  马敬轩 ,  郭笑涵

IPC: B81C1/00 ,  G03F7/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 基于软纳米压印的TMDC材料图案化方法，根据TMDC二维材料的厚度调整SF6气体刻蚀时间，能够自由调控纳米图案深度，实现不同光学性能需求的适配；针对性的优化RIE电子束刻蚀工艺实现了大面积的样品制备，能够实现TMDC二维材料全面积图案化；极大优化了工艺过程，提升了科研生产效率，降低了工艺成本；在与光电器件集成时，本方法使用氧化硅片作为衬底时，需先使用RIE等离子刻蚀机通入O2 5s处理氧化硅片表面，增加其亲水性，使得SU8旋涂的更加均匀；本方法对不同厚度、种类的TMDC具有普适性。

公开(公告)号：CN119170715A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411680402.0

申请日：2024-11-22

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 高丽 ,  王玮奇 ,  赵慧娟 ,  于远方 ,  王素梅 ,  李姝涵 ,  唐泽民 ,  王羽凡 ,  周琦源 ,  丁焕林

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/09 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明属于光学超表面、二维光电探测器技术领域，具体提出一种基于缺陷结构化SU8超表面增强WS2光电探测器性能方法，利用纳米压印技术和RIE刻蚀工艺制备了缺陷结构化的SU8超表面薄膜，有效提升WS2光电探测器性能响应度R、探测率D*、量子效率EQE一个量级左右；制备流程简单便捷，提高了科研生产效率和器件制备良品率；在RIE刻蚀工艺中可以根据具体情况改变通入O2的时长，自由调控是否引入缺陷，以及引入缺陷的程度高低，使器件性能提升达到最大化；SU8超表面薄膜具备一定的封装效果，能够抑制WS2测试时的光氧化降解，提高WS2光电探测器暴露在空气中时的稳定性，同时不会降低WS2光电探测器的响应速度。

公开(公告)号：CN118145593A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410566775.9

申请日：2024-05-09

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 高丽 ,  王玮奇 ,  王素梅 ,  赵慧娟 ,  李姝涵 ,  王羽凡 ,  马敬轩 ,  郭笑涵

IPC: B81C1/00 ,  G03F7/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 基于软纳米压印的TMDC材料图案化方法，根据TMDC二维材料的厚度调整SF6气体刻蚀时间，能够自由调控纳米图案深度，实现不同光学性能需求的适配；针对性的优化RIE电子束刻蚀工艺实现了大面积的样品制备，能够实现TMDC二维材料全面积图案化；极大优化了工艺过程，提升了科研生产效率，降低了工艺成本；在与光电器件集成时，本方法使用氧化硅片作为衬底时，需先使用RIE等离子刻蚀机通入O2 5s处理氧化硅片表面，增加其亲水性，使得SU8旋涂的更加均匀；本方法对不同厚度、种类的TMDC具有普适性。