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公开(公告)号：CN116190211A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310451636.7
申请日：2023-04-25
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开一种基于纳米微腔结构衬底转移二维材料的方法，属于二维材料转移技术领域。具体包括如下步骤：先制备PDMS/载玻片结构；再利用机械剥离的方法将二维材料转移到PDMS表面，剪掉多余的PDMS薄膜；接着利用纳米压印技术和等离子刻蚀工艺制备具有纳米微腔结构的目标衬底；最后通过控制转移平台的速度，在“慢放快起”的操作原则指导下将二维材料成功贴合到目标衬底上。利用该方法进行二维材料的转移可减少二维材料表面残胶及界面处的气泡，得到均匀、干净的高质量二维材料，且制备过程对二维材料无损伤，高效实现了二维材料和微纳结构材料的结合，可有效拓宽二维材料的应用前景。
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公开(公告)号：CN118145593B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410566775.9
申请日：2024-05-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 基于软纳米压印的TMDC材料图案化方法，根据TMDC二维材料的厚度调整SF6气体刻蚀时间，能够自由调控纳米图案深度，实现不同光学性能需求的适配；针对性的优化RIE电子束刻蚀工艺实现了大面积的样品制备，能够实现TMDC二维材料全面积图案化；极大优化了工艺过程，提升了科研生产效率，降低了工艺成本；在与光电器件集成时，本方法使用氧化硅片作为衬底时，需先使用RIE等离子刻蚀机通入O2 5s处理氧化硅片表面，增加其亲水性，使得SU8旋涂的更加均匀；本方法对不同厚度、种类的TMDC具有普适性。
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公开(公告)号：CN118145593A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410566775.9
申请日：2024-05-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 基于软纳米压印的TMDC材料图案化方法，根据TMDC二维材料的厚度调整SF6气体刻蚀时间，能够自由调控纳米图案深度，实现不同光学性能需求的适配；针对性的优化RIE电子束刻蚀工艺实现了大面积的样品制备，能够实现TMDC二维材料全面积图案化；极大优化了工艺过程，提升了科研生产效率，降低了工艺成本；在与光电器件集成时，本方法使用氧化硅片作为衬底时，需先使用RIE等离子刻蚀机通入O2 5s处理氧化硅片表面，增加其亲水性，使得SU8旋涂的更加均匀；本方法对不同厚度、种类的TMDC具有普适性。
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公开(公告)号：CN116190211B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310451636.7
申请日：2023-04-25
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开一种基于纳米微腔结构衬底转移二维材料的方法，属于二维材料转移技术领域。具体包括如下步骤：先制备PDMS/载玻片结构；再利用机械剥离的方法将二维材料转移到PDMS表面，剪掉多余的PDMS薄膜；接着利用纳米压印技术和等离子刻蚀工艺制备具有纳米微腔结构的目标衬底；最后通过控制转移平台的速度，在“慢放快起”的操作原则指导下将二维材料成功贴合到目标衬底上。利用该方法进行二维材料的转移可减少二维材料表面残胶及界面处的气泡，得到均匀、干净的高质量二维材料，且制备过程对二维材料无损伤，高效实现了二维材料和微纳结构材料的结合，可有效拓宽二维材料的应用前景。
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