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公开(公告)号：CN119584698A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411876263.9
申请日：2024-12-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及电学器件的光电探测器结构领域，公开了一种六方氮化硼封装二维金属硫化物的光电探测器及制备方法。六方氮化硼h‑BN提供的化学惰性表面不仅有效防止环境降解，还能够改善二维金属硫化物材料与基材之间的界面质量，显著减少了因传统基材表面粗糙度和缺陷所导致的电荷散射，从而实现更高效的电荷传输。实验结果表明，h‑BN/MoS2/h‑BN封装带来的原子光滑表面在很大程度上促进了电荷载流子的高效传输，显著增强了二维金属硫化物材料的光电性能。通过消除衬底引起的表面粗糙度并最大限度减少缺陷状态，h‑BN有效降低了电荷载流子散射，进一步增强了响应性和光电流测量。h‑BN封装还对抑制激子湮灭起到了关键作用，对于改善光电性能至关重要。
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公开(公告)号：CN119233653B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411748895.7
申请日：2024-12-02
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种二维有机/无机异质结光电神经元器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本申请先通过机械剥离的方法将TMDC材料MoS2转移至衬底上，再通过电子束光刻法在MoS2层上镀覆薄膜电极，最后利用倒扣法在MoS2层上外延生长单层Me‑PTCDI晶体形成异质结。MoS2/Me‑PTCDI异质结的形成使得光电神经元器件具有出色的光敏性、光适应性，能模拟视网膜本质光敏神经节细胞在不同光照下的反应；该器件能够在光脉冲刺激下做出电流改变，从而模仿人体褪黑素的产生与作用，并且能在栅压调控下做到明亮和黑暗环境下的视觉自适应，相应特性使得此器件在自动驾驶领域具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119450252A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202510014025.5
申请日：2025-01-06
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04N25/703 , H04N1/44 , H10F30/222 , H10F77/12 , H10F77/42
Abstract: 本发明公开基于二维无机/无机范德华异质结偏振光电探测器进行通信加密的方法，属于光电器件技术领域。所述光电探测器包括衬底、二维MoSe2材料层、二维ReS2材料层和薄膜电极，两个二维材料层构成范德华垂直异质结且为II型异质结构；由于ReS2各向异性的光吸收、MoSe2有效的载流子收集和输运能力以及异质结对暗电流的抑制作用，二维ReS2/MoSe2光电探测器的光电性能明显提升，同时具备89.4 A/W的高响应度、30.5 µs的快响应速度以及偏振敏感特性，在此基础上借助偏振态信息加密技术对信息进行多重加密，能极大提升信息传输过程的隐蔽性和安全性，为未来安全通讯技术的发展提供新的可能。
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公开(公告)号：CN116190211B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310451636.7
申请日：2023-04-25
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开一种基于纳米微腔结构衬底转移二维材料的方法，属于二维材料转移技术领域。具体包括如下步骤：先制备PDMS/载玻片结构；再利用机械剥离的方法将二维材料转移到PDMS表面，剪掉多余的PDMS薄膜；接着利用纳米压印技术和等离子刻蚀工艺制备具有纳米微腔结构的目标衬底；最后通过控制转移平台的速度，在“慢放快起”的操作原则指导下将二维材料成功贴合到目标衬底上。利用该方法进行二维材料的转移可减少二维材料表面残胶及界面处的气泡，得到均匀、干净的高质量二维材料，且制备过程对二维材料无损伤，高效实现了二维材料和微纳结构材料的结合，可有效拓宽二维材料的应用前景。
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公开(公告)号：CN119450252B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510014025.5
申请日：2025-01-06
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04N25/703 , H04N1/44 , H10F30/222 , H10F77/12 , H10F77/42
Abstract: 本发明公开基于二维无机/无机范德华异质结偏振光电探测器进行通信加密的方法，属于光电器件技术领域。所述光电探测器包括衬底、二维MoSe2材料层、二维ReS2材料层和薄膜电极，两个二维材料层构成范德华垂直异质结且为II型异质结构；由于ReS2各向异性的光吸收、MoSe2有效的载流子收集和输运能力以及异质结对暗电流的抑制作用，二维ReS2/MoSe2光电探测器的光电性能明显提升，同时具备89.4 A/W的高响应度、30.5 µs的快响应速度以及偏振敏感特性，在此基础上借助偏振态信息加密技术对信息进行多重加密，能极大提升信息传输过程的隐蔽性和安全性，为未来安全通讯技术的发展提供新的可能。
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公开(公告)号：CN119233653A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411748895.7
申请日：2024-12-02
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种二维有机/无机异质结光电神经元器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本申请先通过机械剥离的方法将TMDC材料MoS2转移至衬底上，再通过电子束光刻法在MoS2层上镀覆薄膜电极，最后利用倒扣法在MoS2层上外延生长单层Me‑PTCDI晶体形成异质结。MoS2/Me‑PTCDI异质结的形成使得光电神经元器件具有出色的光敏性、光适应性，能模拟视网膜本质光敏神经节细胞在不同光照下的反应；该器件能够在光脉冲刺激下做出电流改变，从而模仿人体褪黑素的产生与作用，并且能在栅压调控下做到明亮和黑暗环境下的视觉自适应，相应特性使得此器件在自动驾驶领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116190211A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310451636.7
申请日：2023-04-25
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开一种基于纳米微腔结构衬底转移二维材料的方法，属于二维材料转移技术领域。具体包括如下步骤：先制备PDMS/载玻片结构；再利用机械剥离的方法将二维材料转移到PDMS表面，剪掉多余的PDMS薄膜；接着利用纳米压印技术和等离子刻蚀工艺制备具有纳米微腔结构的目标衬底；最后通过控制转移平台的速度，在“慢放快起”的操作原则指导下将二维材料成功贴合到目标衬底上。利用该方法进行二维材料的转移可减少二维材料表面残胶及界面处的气泡，得到均匀、干净的高质量二维材料，且制备过程对二维材料无损伤，高效实现了二维材料和微纳结构材料的结合，可有效拓宽二维材料的应用前景。
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