公开(公告)号：CN119816079B

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510295715.2

申请日：2025-03-13

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵慧娟 ,  唐泽民 ,  高丽 ,  沈翔斌 ,  谢嬖华 ,  赖子杰 ,  丁焕林

IPC: H10K30/60 ,  H10K30/10 ,  H10K85/60 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明公开一种具有SHG响应的二维有机/无机异质结光电器件及其制备，属于非线性光学器件技术领域。制备时，先通过机械剥离法将二维无机材料对撕到衬底上，得二维无机材料/衬底结构；再通过外延生长法诱导有机分子在二维无机材料表面有序排列，形成有机/无机异质结。本申请通过调控有机分子的覆盖度和二维无机材料的厚度优化异质结界面处的电荷转移，从而增强材料的SHG响应，所制Me‑PTCDI/GaSe异质结的SHG响应强度优于单一组分，其光谱响应可以从原本的可见光范围拓展到近红外波段，SHG转换效率甚至高达0.26%，在非线性光学器件中具有重要应用潜力。

公开(公告)号：CN119816079A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510295715.2

申请日：2025-03-13

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵慧娟 ,  唐泽民 ,  高丽 ,  沈翔斌 ,  谢嬖华 ,  赖子杰 ,  丁焕林

IPC: H10K30/60 ,  H10K30/10 ,  H10K85/60 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明公开一种具有SHG响应的二维有机/无机异质结光电器件及其制备，属于非线性光学器件技术领域。制备时，先通过机械剥离法将二维无机材料对撕到衬底上，得二维无机材料/衬底结构；再通过外延生长法诱导有机分子在二维无机材料表面有序排列，形成有机/无机异质结。本申请通过调控有机分子的覆盖度和二维无机材料的厚度优化异质结界面处的电荷转移，从而增强材料的SHG响应，所制Me‑PTCDI/GaSe异质结的SHG响应强度优于单一组分，其光谱响应可以从原本的可见光范围拓展到近红外波段，SHG转换效率甚至高达0.26%，在非线性光学器件中具有重要应用潜力。