公开(公告)号：CN104485325A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201410758727.6

申请日：2014-12-11

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 韩梅 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  陆原

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种减小圆片级集成无源器件翘曲的结构和制作方法，包括第一层金属层和第二层金属层，第二层金属层位于第一层金属层的上层，第二层金属层为螺旋状线圈结构，第一层金属层为连接线圈内外的桥线；其特征是：在所述第一层金属层和第二层金属层之间相互交叠的区域设置绝缘层。所述制作方法，包括以下步骤：（1）在圆片上制作第一层金属层；（2）在整个圆片上涂覆光敏有机聚合物，制作通孔；去除掉光敏有机聚合物，保留第一层金属层所在区域的光敏有机聚合物，固化；（3）制作第二层金属层，第二层金属层和第一层金属层之间的交叠区域与绝缘层相重叠。本发明通改善了由于有机介质层导致的圆片翘曲问题。

公开(公告)号：CN105203852B

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201410256680.3

申请日：2014-06-10

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 杜天敏 ,  陆原 ,  刘丰满

IPC: G01R27/26 ,  G01R27/02

Abstract: 本发明公开了一种用于集成无源器件的测试板，包括测试结构和校准结构，其特征在于：所述校准结构与所述测试结构位于同一块PCB板上，并且与所述测试结构的布局相同。依照本发明的用于集成无源器件的测试结构，在测试板上设计了IPD芯片的高频测试连接端口和误差校准结构，实现了测试点的连接，又通过校准结构的设计巧妙地消除测试链路中的误差，方便地进行IPD高频测试的校准和测试，提供了一种便捷准确的测量方式，满足IPD芯片研发工作中的测试需求。

公开(公告)号：CN106449590A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610981072.8

申请日：2016-11-08

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 陆原 ,  陈峰

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/488 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L23/3135 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L23/488 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体存储模块及其制作方法，所述半导体存储模块包括自下而上依次堆叠的控制芯片组和至少两个存储芯片组,相邻的两个存储芯片组的第一重布线层通过层间导电柱电连接,控制芯片组的第二重布线层与相邻的存储芯片组通过区域间导电柱电连接，存储芯片组包括依次堆叠的至少两个存储芯片，和位于至少两个存储芯片下方的第一复合绝缘层，至少两个存储芯片的第一层内导电柱错开预设角度，以与第一重布线层电连接，控制芯片组包括控制芯片，和位于控制芯片下方的第二复合绝缘层，控制芯片的第二层内导电柱与第二重布线层电连接。综上，可以提高存储模块的存储能力和控制能力，减小存储模块尺寸，以及实现存储模块的晶圆级制造。

公开(公告)号：CN103560125B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201310542882.X

申请日：2013-11-05

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 徐健 ,  孙鹏 ,  王宏杰 ,  陆原

IPC: H01L23/552 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/16225

Abstract: 本发明提供一种三维柔性基板电磁屏蔽封装结构，包括一柔性基板，在所述柔性基板中预置有一层金属屏蔽层；在柔性基板中开有贯通柔性基板正反面的导通孔，所述导通孔中填充有金属导电材料，通过导通孔中的金属导电材料，导通孔电连接金属屏蔽层以及柔性基板的正反面上的接地焊盘。需屏蔽芯片贴装在柔性基板正反面中的一个面上，需屏蔽芯片上的接地凸点与需屏蔽芯片所在面上的接地焊盘互连。将柔性基板贴装有需屏蔽芯片的那一面向内折弯，形成左右两个U型屏蔽部，左右两个U型屏蔽部的柔性基板中的金属屏蔽层将需屏蔽芯片完全包覆在内。本发明用于形成良好的电磁屏蔽封装结构，封装后结构尺寸小，封装密度高。

公开(公告)号：CN103354225B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201310242862.0

申请日：2013-06-18

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 王宏杰 ,  陆原 ,  孙鹏 ,  黄卫东 ,  耿菲

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种堆叠封装器件，其包括：第一封装元件、第二封装元件、多个第一互连部件和多个第二互连部件。第一封装元件包括第一基板和安装于第一基板的第一表面上的第一半导体晶片。第二封装元件包括第二基板和安装于第二基板的第二表面上的第二半导体晶片。每个第一互连部件的一端连接于第一基板的第二表面，另一端连接于第二基板的第一表面。第三封装元件包括第三基板和安装于第三基板的第一表面上的第三半导体晶片。每个第二互连部件的一端连接于第一基板的第二表面或第二基板的第一表面，另一端连接于第三基板的第一表面。这种结构充分利用了第一封装元件和第二封装元件之间的缝隙，从而从整体上降低了多层堆叠封装器件的厚度。

公开(公告)号：CN103560119B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201310542832.1

申请日：2013-11-05

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 徐健 ,  王宏杰 ,  孙鹏 ,  陆原

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/60 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种用于多屏蔽芯片的三维柔性基板封装结构，包括一柔性基板，所述柔性基板中预设有第一金属屏蔽层和第二金属屏蔽层；需屏蔽芯片分别贴装在柔性基板正反面，柔性基板两侧部位分别向柔性基板正面中间弯折，形成两个U型屏蔽部；两个U型屏蔽部各自的上方柔性基板在高度方向上部分重叠，且第二个U型屏蔽部的上方柔性基板在第一个U型屏蔽部的上方柔性基板之上。第一需屏蔽芯片分布在第一个U型屏蔽部内，第二需屏蔽芯片分布在第一个U型屏蔽部上方柔性基板和第二个U型屏蔽部上方柔性基板间。金属屏蔽层将需屏蔽芯片包覆在内。本发明解决了较强电磁辐射芯片对外界的电磁干扰问题，并且封装结构更加紧凑。

公开(公告)号：CN105244341A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510553045.6

申请日：2015-09-01

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 陆原 ,  陈峰 ,  刘一波 ,  林挺宇

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/12 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L21/568 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的FOWLP封装结构及制作方法，该封装结构包括一个或多个带有焊盘的芯片，芯片非主动面通过DAF膜粘接在载板上，芯片四周的空隙填充介电质材料，介电质层的表面高度低于芯片主动面表面；芯片主动面和介电质层顶部覆盖有第一绝缘层，第一绝缘层表面有重布线层，重布线层通过第一绝缘层的开口与芯片主动面的焊盘连接；第一绝缘层和重布线层上面覆盖第二绝缘层；重布线层焊盘上有凸点下金属层，在凸点下金属层上有凸块，所述凸块通过凸点下金属层、重布线层与芯片主动面焊盘形成电连接。本发明仅用一块载板，采用膜辅助成型塑封技术，芯片间隙介电质填充层厚度可控，一次性到位，省略临时键合（拆键合）所需的材料和相应工艺。

公开(公告)号：CN104538372A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410837028.0

申请日：2014-12-29

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 王启东 ,  邱德龙 ,  陈守维 ,  曹立强 ,  于大全 ,  陆原

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/427 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L2224/16225

Abstract: 本发明公开了一种散热型封装结构及其制作方法、散热型封装基板。其中，所述散热型封装结构包括在基板的上表面设置向下延伸的凹槽，凹槽具有凹槽下表面和凹槽侧表面，贯穿所述凹槽的下表面和所述基板的下表面设置至少一通孔，设置于至少一通孔中的金属层，设置于基板的上表面且位于凹槽上方的金属背板，金属背板和凹槽形成一腔体，腔体内填充有相变材料；键合于基板的下表面且位于至少一通孔对应的区域的至少一芯片。本发明能够将芯片的热量迅速转移到玻璃基板的散热端，有效减少玻璃基板的热阻，且有利于高密度集成。

公开(公告)号：CN103579206A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310548113.0

申请日：2013-11-07

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 张博 ,  尹雯 ,  陆原

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/13 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种堆叠封装器件，其包括堆叠安装在一起的多个封装组件。每一个封装组件包括具有第一表面和第二表面的基板、在基板的第一表面上开设的凹槽、安装于所述凹槽内的半导体晶片和将半导体晶片密封于所述凹槽内的内密封材料，其中所述半导体晶片的上表面低于所述基板的第一表面，所述内密封材料的上表面与所述基板的第一表面基本平齐。每个封装组件还包括连接于所述基板的第二表面上的多个连接部件。在相邻的两个封装组件堆叠安装时，位于上部的封装组件的连接部件电性连接于位于下部的封装组件的基板上的第一表面上。这样，每个封装组件的上表面还是一个全平结构，这样就降低了后期堆叠封装的难度，也给后续的堆叠封装提供了更多的方式。

公开(公告)号：CN103531550A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310534603.5

申请日：2013-10-31

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 徐健 ,  陆原 ,  王海东

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/13 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L2224/01 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明涉及一种封装结构及封装方法，尤其是一种改进的小间距塑封的封装结构及封装方法，属于半导体封装的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述改进的小间距塑封的封装结构，包括底板以及位于所述底板上用塑封体塑封的堆叠封装体；所述堆叠封装体包括若干承载基板以及位于所述承载基板上的封装结构，所述承载基板上设有基板通孔，相邻承载基板间的间隙以及承载基板与底板间的间隙通过承载基板上的基板通孔相连通，塑封体通过基板通孔填充相邻承载基板间的间隙以及承载基板与底板间的间隙。本发明结构简单，工艺简单，操作方便，降低封装成本，适应范围广，安全可靠。