一种单晶硅表面纳米坑无损加工方法

    公开(公告)号:CN109850842B

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN201910163123.X

    申请日:2019-03-05

    Abstract: 本发明公开了一种单晶硅表面纳米坑无损加工方法,包括以下步骤:S1、对单晶硅样品进行清洗和腐蚀处理,以去除单晶硅样品表面的自然氧化层,并获得氢原子或羟基终止的单晶硅表面;S2、对单晶硅表面进行去离子水冲洗后,依次再放入酒精溶液和去离子水中超声清洗,以去除单晶硅表面污染;S3、利用扫描探针显微镜上的探针对单晶硅表面进行加工,探针以设定接触压力、接触时间或循环次数在加工位置反复进行压入‑分离操作,从而去除加工位置处的硅原子获得无晶格缺陷的纳米坑。该方法对加工环境无特殊要求,加工表面晶格保持完整,基底材料无残余损伤,加工获得的纳米坑结构具有高可靠服役性能;加工步骤简单且灵活性高,加工成本低。

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