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公开(公告)号：CN116997993A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280021823.5
申请日：2022-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社富士金
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供一种能够节省空间且能够在短时间内向处理腔室供给稳定的浓度成分的混合气体的气体供给装置。该气体供给装置具有：多个流体控制单元(A1～D2)，其分别包括供气体(G)流通的流路(CH)、以及设于该流路(CH)的中途且对在该流路中流通的气体(G)的流动进行控制的流体控制设备(V1、FC、V2)；以及合流流路(MCH1)，其包括与多个流体控制单元(A1～D2)流体连接的多个连接部(LC1、LC2、RC1、RC2)、以及将通过多个连接部(LC1、LC2、RC1、RC2)导入的气体导出的单一的气体导出部(K1)，多个连接部(LC1、LC2、RC1、RC2)在合流流路(MCH1)的流路方向上相对于气体导出部(K1)对称地配置，且在多个连接部(LC1、LC2、RC1、RC2)分别流体连接有两个以上的流体控制单元。
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公开(公告)号：CN110010439A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811572930.9
申请日：2018-12-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本公开涉及等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法。目的在于提高等离子体蚀刻装置的生产率。等离子体蚀刻装置具有：能够进行真空排气的处理容器；在所述处理容器内载置基板的下部电极；在所述处理容器内与所述下部电极以并行的方式相向的上部电极；处理气体供给部，其向所述上部电极与所述下部电极之间的处理空间供给处理气体；高频供电部，其向所述上部电极或者所述下部电极施加用于由所述处理气体生成等离子体的高频；聚焦环，其覆盖所述基板的周边部；直流电源，其输出用于施加于所述聚焦环的直流电压；加热部，其加热所述聚焦环；以及温度测定部，其测定所述聚焦环的温度。
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公开(公告)号：CN100380605C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200380104293.8
申请日：2003-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32587
Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括可以设置成有真空气氛的处理容器(10)。第一上部电极(36)被配置成与配置在处理容器(10)内的被处理基板(W)相面对并成环状。在第一上部电极(36)的半径方向内侧以与其电绝缘状态配置第二上部电极(38)。第一供电部(50)把来自第一高频电源(52)的第一高频以第一功率值提供给第一上部电极(36)。从第一供电部(50)分出的第二供电部(76)把来自第一高频电源的所述第一高频，以比第一功率值小的第二功率值提供给所述第二上部电极(38)。
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公开(公告)号：CN118073189A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410234022.8
申请日：2019-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括晶片载置面、环部件载置面、升降销和驱动机构。在晶片载置面载置晶片。环部件载置面用于载置具有第1卡合部的第1环部件和具有与第1卡合部卡合的第2卡合部的第2环部件，第2卡合部具有到达第1卡合部的下表面的贯通孔。此外，环部件载置面在与贯通孔对应的位置具有孔，设置在晶片载置面的外周侧。升降销具有与贯通孔嵌合的第1保持部，和与该第1保持部在轴向上连接且具有从第1保持部的外周突出的突出部的第2保持部。通过使第1保持部处于环部件载置面侧，而使升降销被收纳于环部件载置面的孔内。驱动机构驱动升降销使其可升降。根据本发明，能够容易地更换等离子体处理装置的消耗部件。
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公开(公告)号：CN114496695A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111203494.X
申请日：2021-10-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供处理系统和处理方法，能够使用设置于输送叉形部件的传感器测量等离子体处理腔室的内部状态，基于该测量结果适当地进行基片的处理。在减压环境下对基片进行处理的系统包括：对基片实施所希望的处理的处理腔室；输送腔室，其具有进行上述基片相对于上述处理腔室的送入送出的输送机构；和控制上述处理腔室中的处理过程的控制部，上述输送机构具有：将上述基片保持于上表面地进行输送的叉形部；和测量机构，其设置于上述叉形部，能够测量上述处理腔室的内部状态，上述控制部基于由上述测量机构获取到的上述处理腔室的内部状态，控制上述处理腔室中的处理过程。
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公开(公告)号：CN113284785A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110179854.0
申请日：2021-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法、气流评价用基板以及基板处理装置，能够适当地测定基板的表面的气体的流动。基板处理方法包括以下工序：工序(a)，将在表面具有多个流量传感器的基板载置到设置于腔室的内部的载置台；工序(b)，向所述腔室的内部供给处理气体；以及工序(c)，使用所述多个流量传感器来测定所述基板的表面的所述处理气体的流动的大小和方向。基板处理装置具备控制部以及具有气体供给口和气体排出口的腔室。
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公开(公告)号：CN111952140A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010376530.1
申请日：2020-05-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供基片载置台和等离子体处理装置。基片载置台在等离子体处理腔室中使用，其包括：具有销用贯通孔的主体，其中销用贯通孔具有带内螺纹的内壁；具有根端部分、中间部分和前端部分的升降销，升降销被插入销用贯通孔，中间部分带有外螺纹，带外螺纹的中间部分能够被拧入带内螺纹的内壁；以及使升降销相对于主体垂直地移动的移动机构。本发明能够抑制使用等离子体处理被处理体时发生的异常放电。
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公开(公告)号：CN101303997A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810001388.1
申请日：2004-04-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23F4/00 , C30B25/12
Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
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公开(公告)号：CN1717790A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380104294.2
申请日：2003-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32422 , H01J37/32935
Abstract: 一种等离子体处理方法，向配置有被处理基板(W)的等离子体生成空间(10)内供给规定的处理气体、使所述处理气体等离子体化。而且，由等离子体对基板(W)实施规定的等离子体处理。这里，由与基板(W)相对向的对向部(34)，对基板(W)分别独立地控制等离子体的密度空间分布与等离子体中的自由基的密度空间分布，在基板(W)的整个被处理面上得到规定的处理状态。
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公开(公告)号：CN118073190A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410234075.X
申请日：2019-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括晶片载置面、环部件载置面、升降销和驱动机构。在晶片载置面载置晶片。环部件载置面用于载置具有第1卡合部的第1环部件和具有与第1卡合部卡合的第2卡合部的第2环部件，第2卡合部具有到达第1卡合部的下表面的贯通孔。此外，环部件载置面在与贯通孔对应的位置具有孔，设置在晶片载置面的外周侧。升降销具有与贯通孔嵌合的第1保持部，和与该第1保持部在轴向上连接且具有从第1保持部的外周突出的突出部的第2保持部。通过使第1保持部处于环部件载置面侧，而使升降销被收纳于环部件载置面的孔内。驱动机构驱动升降销使其可升降。根据本发明，能够容易地更换等离子体处理装置的消耗部件。
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