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公开(公告)号：CN115692249A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210856574.3
申请日：2022-07-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理系统和基板处理方法，能够缩短在基板处理系统中使用流量测定装置进行的气体的流量测定所花费的时间。基板处理系统具备包括多个腔室的腔室组、包括多个气体箱的气体箱组、流量测定装置、以及排气装置，所述流量测定装置包括测定器和测定配管，所述测定配管包括与所述多个气体箱的各气体箱连接的多个支管、与所述多个支管的各支管及所述测定器连接的主管以及设置于所述多个支管的支管阀，所述测定器包括一个以上的压力传感器、温度传感器、测定器一次阀以及测定器二次阀。
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公开(公告)号：CN110400735A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910335044.2
申请日：2019-04-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 松田梨沙子
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/513 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供气体供给管的清洁方法和处理系统。气体供给管的清洁方法包括覆膜形成工序和去除工序。在覆膜形成工序中，向气体供给管内供给含有第一化合物的第一气体和含有第二化合物的第二气体，将气体供给管的温度控制为第一温度，由此通过第一化合物与第二化合物的聚合在气体供给管的内壁形成化合物的覆膜。第一温度为使第一化合物与第二化合物聚合的温度。在去除工序中，在利用经由形成有覆膜的气体供给管供给至处理腔室内的处理气体在腔室内对被处理体进行处理之后，将气体供给管的温度控制为使覆膜解聚的第二温度，来将覆膜去除。第一化合物为异氰酸酯，第二化合物为胺或具有羟基的化合物。
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公开(公告)号：CN111094911B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201980004524.9
申请日：2019-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 一种流量测量方法具备以下步骤：测量填充在第一流路和第二流路中的气体的第一压力；在测量出所述第一压力后，且在经由流量控制器向所述第一流路和所述第二流路供给气体后，测量填充在所述第一流路和所述第二流路中的气体的第二压力及温度；在所述第一流路与所述第二流路之间未连接的状态下从所述第二流路对气体进行排气后，测量填充在所述第二流路中的气体的第三压力；在测量出所述第三压力后，在所述第一流路与所述第二流路连接的状态下，测量填充在所述第一流路和所述第二流路中的气体的第四压力；基于所述第一压力、所述第二压力、所述第三压力、所述第四压力以及所述温度，计算供给到所述第一流路和所述第二流路的气体的量。
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公开(公告)号：CN113465819A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110275286.4
申请日：2021-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01L27/00
Abstract: 本发明提供一种多个腔室压力传感器的校准方法。在基板处理系统的多个腔室压力传感器的校准方法中，基板处理系统具备多个腔室和多个腔室压力传感器，所述多个腔室压力传感器以分别测定多个腔室内的压力的方式设置。通过针对全部的腔室压力传感器将通过腔室压力传感器测定出的关于通过使预先设定的流量的气体流动到腔室而产生的腔室的压力变化率的测定值与将该流量的气体视作理想气体而计算出的腔室的压力变化率的计算值进行比较，来对全部的腔室压力传感器进行校准。在计算腔室的压力变化率的时，计算使用基板处理系统的多个气体流路的容积，通过使用气体流路的压力测定值并且将气体视作理想气体来预先计算出气体流路的容积。
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公开(公告)号：CN111678640A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010138159.5
申请日：2020-03-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 在示例性实施方式所涉及的基板处理系统中，多个气体供给部分别构成为经由其第1气体流路向多个腔室中的对应的腔室内供给气体。多个腔室压力传感器分别构成为测定对应的腔室内的压力。第2气体流路与多个气体供给部各自的第1气体流路连接。基准压力传感器构成为测定第2气体流路内的压力。在示例性实施方式所涉及的方法中，多个腔室压力传感器分别使用对应的腔室、对应的气体供给部的第1气体流路及第2气体流路内的压力被维持的状态下的其压力测定值及基准压力传感器的压力测定值来进行校正。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113295225B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202110175393.X
申请日：2021-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种流量测量方法和流量测量装置，能高精度地测量气体的流量。在流量测量方法中：测量第一、第二流路的气体的第一压力；重复进行向第一流路的气体的供给和停止，来向第一、第二流路供给气体；在供给气体时，测量从各开信号到关信号期间的气体供给时间；测量第一、第二流路的气体的第二压力和温度；在将第一、第二流路间关闭并从第二流路进行了排气后，测量第二流路的气体的第三压力；在第一、第二流路进行了连接的状态下，测量第一、第二流路的气体的第四压力；基于第一～第四压力和温度来计算被供给到第一、第二流路的气体流量；计算与重复次数相应的量的气体供给时间的平均时间；以及基于理论上的气体供给时间和平均时间来校正流量。
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公开(公告)号：CN110400735B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201910335044.2
申请日：2019-04-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 松田梨沙子
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/513 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供气体供给管的清洁方法和处理系统。气体供给管的清洁方法包括覆膜形成工序和去除工序。在覆膜形成工序中，向气体供给管内供给含有第一化合物的第一气体和含有第二化合物的第二气体，将气体供给管的温度控制为第一温度，由此通过第一化合物与第二化合物的聚合在气体供给管的内壁形成化合物的覆膜。第一温度为使第一化合物与第二化合物聚合的温度。在去除工序中，在利用经由形成有覆膜的气体供给管供给至处理腔室内的处理气体在腔室内对被处理体进行处理之后，将气体供给管的温度控制为使覆膜解聚的第二温度，来将覆膜去除。第一化合物为异氰酸酯，第二化合物为胺或具有羟基的化合物。
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公开(公告)号：CN113394130A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110241710.3
申请日：2021-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理系统，高精度地监视为了进行基板处理而供给的气体的总流量。作为使用被供给至腔室的气体来处理基板的方法，该方法包括以下工序：工序(a)，在测定向所述腔室供给的气体的压力来控制该气体的流量的流量控制器中，设定作为控制对象的气体的压力的阈值；工序(b)，向所述腔室的内部供给气体；工序(c)，测定所述流量控制器中的气体的压力；工序(d)，停止向所述腔室的内部供给气体；工序(e)，计算在所述工序(c)中测定出的气体的压力为所述阈值以上的时间；以及工序(f)，基于在所述工序(c)中测定出的气体的压力和在所述工序(e)中计算出的时间来计算向所述腔室供给的气体的总流量。
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公开(公告)号：CN113284785A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110179854.0
申请日：2021-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法、气流评价用基板以及基板处理装置，能够适当地测定基板的表面的气体的流动。基板处理方法包括以下工序：工序(a)，将在表面具有多个流量传感器的基板载置到设置于腔室的内部的载置台；工序(b)，向所述腔室的内部供给处理气体；以及工序(c)，使用所述多个流量传感器来测定所述基板的表面的所述处理气体的流动的大小和方向。基板处理装置具备控制部以及具有气体供给口和气体排出口的腔室。
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公开(公告)号：CN113451173A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110276490.8
申请日：2021-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种气体检查方法、基板处理方法以及基板处理系统，能够适当地对将气体供给部中的次级阀开启时的动作进行检查，所述气体供给部用于向基板处理装置的处理容器内供给气体。气体检查方法包括以下工序：输入将次级阀开启的信号；使用次级压力计来测定从输入将次级阀开启的信号起经过了期间t的时间点的、流量控制器的节流孔的下游侧的压力P；使用次级压力计来测定从输入将次级阀开启的信号起经过了期间t的时间点的、流量控制器的节流孔的下游侧的压力的标准偏差σ；将压力P与压力的阈值P0进行比较，并将压力的标准偏差σ与压力的标准偏差的阈值σ0进行比较，用以判定次级阀的开度是否正常。
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