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公开(公告)号：CN111252728B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202010074417.8
申请日：2020-01-22
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种MEMS压电装置的批量加工方法，MEMS压电装置包括PZT立柱和设于的PZT立柱上的Si层；该加工方法包括以下步骤：取一PZT基板和Si基板，在的Si基板上加工出定位刀口，并将PZT基板加工成固定于的Si基板上的PZT立柱；的Si基板相对位置的边部上的定位刀口的连线构成切割路径，横向和纵向的切割路径构成PZT立柱边缘形状；取一与的Si基板形状大小相同的Si晶片，在的Si晶片的边部加工出定位刀口，的Si晶片键合连接于的PZT立柱上得到中间产品，并且位于Si晶片上的定位刀口与位于Si基板的定位刀口上下对齐；通过切割工艺切割Si晶片，得到覆盖于PZT立柱上的Si层。与现有技术相比，本发明具有生产成本低、切割简单、容易批量生产等优点。
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公开(公告)号：CN113601846A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110804984.9
申请日：2021-07-16
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: B29C64/393 , B29C64/264 , B29C64/227 , B29C64/135 , B29C64/20 , B06B1/06 , B33Y10/00 , B33Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种基于DMD的压电振动式快速光固化的3D打印系统及其应用，该系统包括：盛有液态光硬化树脂(8)的成型工作池(7)，用于最终成型3D打印模型(5)；可升降的平台(6)，用于承载3D打印模型(5)；曝光设备，用于将成型工作池(7)中的液态光硬化树脂(8)固化；计算机(11)，用于向曝光设备提供3D打印数据，并用于控制3D打印系统；所述的平台(6)位于成型工作池(7)内，所述的计算机(11)与曝光设备电连接，该系统应用于3D打印。与现有技术相比，本发明具有成型速度快、加工过程简单、光源成本低的基于DMD的压电振动式快速光固化等优点。
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公开(公告)号：CN112630465A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011363930.5
申请日：2020-11-27
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种MEMS热式流速传感器封装装置，包括封装盖体、封装隔板和封装基体，所述封装盖体设有放置薄膜驱动模块的第一腔体，以及放置MEMS热式流速传感器芯片的第二腔体，所述封装隔板设有与第一腔体对应的薄膜，以及与第二腔体对应的芯片流体通孔，所述封装基体设有流体凹槽、流体进口通道和流体出口通道，所述流体凹槽包括薄膜接触部和芯片接触部，所述薄膜接触部连通流体出口通道，所述芯片接触部连通流体进口通道，所述流体出口通道的截面面积小于薄膜的面积，所述芯片接触部与芯片流体通孔连通，所述封装盖体、封装隔板和封装基体依次固定连接。与现有技术相比，灵敏度高、反应速度快、体积更小、均一性好，且可用于腐蚀性气体的检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110676695A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910958633.6
申请日：2019-10-10
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种基于金属微针尖端放电的负氧离子发生器及其，包括电源、设有进口与和出口的腔体、设于所述腔体内的两个金属微针，所述两个金属微针的尖端相对设置，所述两个金属微针通过导线与所述电源连接；所述金属微针包括基座和设于所述基座表面的微针阵列；该微针阵列包括若干呈矩阵分布的四棱锥形微针，其中所述四棱锥形微针包括立柱和设于所述立柱上的针尖。与现有技术相比，本发明为微小型高密度的金属微针尖端放电产生负氧离子的装置，具有结构简单、生产成本低、操作简单、轻巧方便、应用范围广等优点。
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公开(公告)号：CN109920747A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910185830.9
申请日：2019-03-12
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种湿法刻蚀设备及光刻胶清洗显影装置，该湿法刻蚀设备包括：壳体，壳体的外壁上设有控制面板；载液盆设于壳体内，用于盛放溶液；该载液盆的盆沿与壳体的内壁固连；超声波雾化器固设于载液盆的底部，用于将载液盆中的溶液雾化成液滴；刻蚀花篮设于载液盆的盆沿上，用于盛放被刻蚀器件；该被刻蚀器件与溶液分离；供电模块设于壳体的底部；其中，超声波雾化器与控制面板电连接；超声波雾化器、控制面板均与供电模块电连接。采用刻蚀花篮使被刻蚀器件与溶液分离，并用超声波雾化器将刻蚀液雾化，利用雾化液滴刻蚀器件，使镂空、栅格等精细复杂结构平稳释放，提供刻蚀精细复杂结构的成功率。
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公开(公告)号：CN107448648A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710877686.6
申请日：2017-09-25
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种全塑微型单向阀，包括基板和阀膜，基板上设有圆锥状通孔，阀膜覆于圆锥状通孔窄口端的基板一侧，阀膜上设有围绕中间一圆形膜片环形布置的多个通孔，圆形膜片的面积大于圆锥状通孔窄口端，完全将圆锥状通孔窄口端覆盖，基板的圆锥状通孔与阀膜上圆形膜片周围的通孔之间构成微型单向阀的流体流路，本发明还公开了一种全塑微型单向阀的加工方法，采用准分子激光微细加工技术对基板进行加工，并将阀口薄膜图形化形成阀口通道，避免使用复杂的化学刻蚀和机械加工方法，刻蚀精度高，工艺简单，操作方便，生产效率高，生产成本低，适合批量化生产。
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公开(公告)号：CN116926639A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310922721.7
申请日：2023-08-22
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶须增强铜基复合材料的制备方法，包括如下步骤：将SiCw粉体加入电镀液中，搅拌，制备得到含SiCw的电镀液；将阴极极板、阳极极板插入含SiCw的电镀液中，搅拌下进行电沉积，在阴极极板上沉积得到碳化硅晶须增强铜基复合材料，其中阳极极板为电解铜阳极板。本发明制备过程大多在水溶液中进行，无需高温，避免了传统高温工艺中的剧烈界面反应，且电沉积过程中的液相体系持续搅拌使SiCw均匀分散，可有效地避免SiCw的二次团聚，保持SiCw在Cu基体中分布均匀，解决了复合材料孔隙率高的问题。本发明的碳化硅晶须增强铜基复合材料，SiCw在Cu基体中分布均匀、界面致密无孔，具有较好的力学性能。
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公开(公告)号：CN110304604B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201910526686.0
申请日：2019-06-18
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种MEMS传感器的封装方法，包括以下步骤：提供多层电路板，清洗烘干，在多层电路板上印制引线用焊盘，并在引线用焊盘上焊接金球；提供MEMS传感器芯片，在MEMS传感器芯片背面印制芯片焊盘，在芯片焊盘上利用溅射沉积多层金属膜；将MEMS传感器芯片倒装置于多层电路板上；以焊接金球作为凸点，采用热压焊技术接合引线用焊盘和芯片焊盘，并在在引线用焊盘与芯片焊盘之间填充填料；在MEMS传感器芯片正面用粘结剂粘结保护盖子；提供上表面覆盖有玻璃薄膜的弹性盖子，采用粘结剂将弹性盖子粘结于保护盖子上，得到MEMS传感器。与现有技术相比，本发明具有生产成本低、容易批量生产、气密性能好等优点。
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