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公开(公告)号：CN111252728B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202010074417.8
申请日：2020-01-22
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种MEMS压电装置的批量加工方法，MEMS压电装置包括PZT立柱和设于的PZT立柱上的Si层；该加工方法包括以下步骤：取一PZT基板和Si基板，在的Si基板上加工出定位刀口，并将PZT基板加工成固定于的Si基板上的PZT立柱；的Si基板相对位置的边部上的定位刀口的连线构成切割路径，横向和纵向的切割路径构成PZT立柱边缘形状；取一与的Si基板形状大小相同的Si晶片，在的Si晶片的边部加工出定位刀口，的Si晶片键合连接于的PZT立柱上得到中间产品，并且位于Si晶片上的定位刀口与位于Si基板的定位刀口上下对齐；通过切割工艺切割Si晶片，得到覆盖于PZT立柱上的Si层。与现有技术相比，本发明具有生产成本低、切割简单、容易批量生产等优点。
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公开(公告)号：CN113741364A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110988594.1
申请日：2021-08-26
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: G05B19/418
Abstract: 本发明涉及一种基于改进t‑SNE的多模态化工过程故障检测方法，该方法包括：步骤S1：采集多模态化工过程原始数据Xo并标准化处理得到高维数据X；步骤S2：计算高维数据点之间的马氏距离DM；步骤S3：采用改进t分布随机近邻嵌入方法t‑SNE对高维数据X进行特征提取，得到低维矩阵Y；步骤S4：求取高维空间投影到低维空间的映射矩阵A；步骤S5：求取训练数据的残差空间E；步骤S6：求取在线数据的特征空间和残差空间；步骤S7：使用局部离群因子LOF算法构建LOF统计量；步骤S8：计算训练数据的LOF统计量和相应控制限；步骤S9：计算在线数据LOF统计量，进行实时故障检测。与现有技术相比，本发明可实现满足多模态过程监测需求且精确度高。
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公开(公告)号：CN113601846A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110804984.9
申请日：2021-07-16
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: B29C64/393 , B29C64/264 , B29C64/227 , B29C64/135 , B29C64/20 , B06B1/06 , B33Y10/00 , B33Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种基于DMD的压电振动式快速光固化的3D打印系统及其应用，该系统包括：盛有液态光硬化树脂(8)的成型工作池(7)，用于最终成型3D打印模型(5)；可升降的平台(6)，用于承载3D打印模型(5)；曝光设备，用于将成型工作池(7)中的液态光硬化树脂(8)固化；计算机(11)，用于向曝光设备提供3D打印数据，并用于控制3D打印系统；所述的平台(6)位于成型工作池(7)内，所述的计算机(11)与曝光设备电连接，该系统应用于3D打印。与现有技术相比，本发明具有成型速度快、加工过程简单、光源成本低的基于DMD的压电振动式快速光固化等优点。
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公开(公告)号：CN112630465A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011363930.5
申请日：2020-11-27
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种MEMS热式流速传感器封装装置，包括封装盖体、封装隔板和封装基体，所述封装盖体设有放置薄膜驱动模块的第一腔体，以及放置MEMS热式流速传感器芯片的第二腔体，所述封装隔板设有与第一腔体对应的薄膜，以及与第二腔体对应的芯片流体通孔，所述封装基体设有流体凹槽、流体进口通道和流体出口通道，所述流体凹槽包括薄膜接触部和芯片接触部，所述薄膜接触部连通流体出口通道，所述芯片接触部连通流体进口通道，所述流体出口通道的截面面积小于薄膜的面积，所述芯片接触部与芯片流体通孔连通，所述封装盖体、封装隔板和封装基体依次固定连接。与现有技术相比，灵敏度高、反应速度快、体积更小、均一性好，且可用于腐蚀性气体的检测。
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公开(公告)号：CN109920747A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910185830.9
申请日：2019-03-12
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种湿法刻蚀设备及光刻胶清洗显影装置，该湿法刻蚀设备包括：壳体，壳体的外壁上设有控制面板；载液盆设于壳体内，用于盛放溶液；该载液盆的盆沿与壳体的内壁固连；超声波雾化器固设于载液盆的底部，用于将载液盆中的溶液雾化成液滴；刻蚀花篮设于载液盆的盆沿上，用于盛放被刻蚀器件；该被刻蚀器件与溶液分离；供电模块设于壳体的底部；其中，超声波雾化器与控制面板电连接；超声波雾化器、控制面板均与供电模块电连接。采用刻蚀花篮使被刻蚀器件与溶液分离，并用超声波雾化器将刻蚀液雾化，利用雾化液滴刻蚀器件，使镂空、栅格等精细复杂结构平稳释放，提供刻蚀精细复杂结构的成功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108152650A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711447630.3
申请日：2017-12-27
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: G01R31/02
Abstract: 本发明提供了一种多芯电缆自动查线系统，A端包括：电源系统，所述电源系统包括电源端定值电阻；依次连接的显示器、主控制器、继电器组和接头系统，所述显示器和主控制器所述电源系统连接，所述A端的接头系统与所述被测多芯电缆的一端连接；B端包括：依次连接的接头系统和测试元件阵列，所述B端的接头系统与所述被测多芯电缆的另一端连接。使用本系统可以对预制接头多芯电缆接线情况进行校验，排除接头内错线情况保证线缆接线正确，能够准确、快捷的进行预制接头多芯电缆查线，解决了大批量预制电缆安装前查线的问题以及预制电缆内部线芯不可见的问题，通过插接方式连接电缆，接线快捷，一键式自动测量并生成测试报告，使用方便。
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公开(公告)号：CN110304604B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201910526686.0
申请日：2019-06-18
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种MEMS传感器的封装方法，包括以下步骤：提供多层电路板，清洗烘干，在多层电路板上印制引线用焊盘，并在引线用焊盘上焊接金球；提供MEMS传感器芯片，在MEMS传感器芯片背面印制芯片焊盘，在芯片焊盘上利用溅射沉积多层金属膜；将MEMS传感器芯片倒装置于多层电路板上；以焊接金球作为凸点，采用热压焊技术接合引线用焊盘和芯片焊盘，并在在引线用焊盘与芯片焊盘之间填充填料；在MEMS传感器芯片正面用粘结剂粘结保护盖子；提供上表面覆盖有玻璃薄膜的弹性盖子，采用粘结剂将弹性盖子粘结于保护盖子上，得到MEMS传感器。与现有技术相比，本发明具有生产成本低、容易批量生产、气密性能好等优点。
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公开(公告)号：CN113743489A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110987661.8
申请日：2021-08-26
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种基于数据缺失的流程工业过程故障检测方法，该方法包括以下步骤：步骤S1：对流程工业过程进行数据采样和处理；步骤S2：利用核极限学习机KELM填补采样数据中的缺失数据；步骤S3：采用地标等距映射法L‑ISOMAP对数据进行低维特征提取；步骤S4：在特征空间和残差空间分别计算统计量和控制现，进行故障检测。与现有技术相比，本发明具有准确性高、节约时间和计算资源等优点。
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公开(公告)号：CN113315415A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110591967.1
申请日：2021-05-28
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: H02N2/18
Abstract: 本发明涉及一种基于激光面减薄的阶梯式压电能量采集器及制备方法，阶梯式压电能量采集器包括悬臂梁，以及设于悬臂梁两端的固定装置与质量块，其中悬臂梁包括自上而下依次设置的压电层、粘结层以及金属衬底层，并且沿指向质量块的悬臂梁长度方向，压电层与金属衬底层的厚度均呈阶梯状逐渐减小。与现有技术相比，本发明通过激光设备进行阶梯减薄工艺，在传统矩形悬臂梁上释放应力，获得低频、高输出和高能量密度的阶梯式压电能量采集器件，具有制备方法简单、可控性强、兼容性好等优点，所制备的阶梯状悬臂梁具有能量密度高、谐振频率低和输出电能高等优点，具有较为广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111220324A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010074375.8
申请日：2020-01-22
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: G01L25/00
Abstract: 本发明涉及一种MEMS微力-力矩传感器的标定装置，其特征在于，包括测试平台、设于测试平台上的纳米压痕仪、设于纳米压痕仪的放置平台上的斜面平台组件、以及与待测MEMS微力-力矩传感器连接的模数转换电路和传感器供电电源；斜面平台组件包括若干个斜面倾斜角度不同的斜面平台元件；所述的待测MEMS微力-力矩传感器为六轴传感器，包括传感器本体和与所述的传感器本体连接的立柱；所述的传感器本体固定于所述的斜面平台元件的斜面上；所述的纳米压痕仪的施力杆与所述的立柱在竖直方向上对齐。与现有技术相比，本发明具有成本低，标定精度高等优点。
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