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公开(公告)号：CN111220324A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010074375.8
申请日：2020-01-22
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: G01L25/00
Abstract: 本发明涉及一种MEMS微力-力矩传感器的标定装置，其特征在于，包括测试平台、设于测试平台上的纳米压痕仪、设于纳米压痕仪的放置平台上的斜面平台组件、以及与待测MEMS微力-力矩传感器连接的模数转换电路和传感器供电电源；斜面平台组件包括若干个斜面倾斜角度不同的斜面平台元件；所述的待测MEMS微力-力矩传感器为六轴传感器，包括传感器本体和与所述的传感器本体连接的立柱；所述的传感器本体固定于所述的斜面平台元件的斜面上；所述的纳米压痕仪的施力杆与所述的立柱在竖直方向上对齐。与现有技术相比，本发明具有成本低，标定精度高等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111220324B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010074375.8
申请日：2020-01-22
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: G01L25/00
Abstract: 本发明涉及一种MEMS微力‑力矩传感器的标定装置，其特征在于，包括测试平台、设于测试平台上的纳米压痕仪、设于纳米压痕仪的放置平台上的斜面平台组件、以及与待测MEMS微力‑力矩传感器连接的模数转换电路和传感器供电电源；斜面平台组件包括若干个斜面倾斜角度不同的斜面平台元件；所述的待测MEMS微力‑力矩传感器为六轴传感器，包括传感器本体和与所述的传感器本体连接的立柱；所述的传感器本体固定于所述的斜面平台元件的斜面上；所述的纳米压痕仪的施力杆与所述的立柱在竖直方向上对齐。与现有技术相比，本发明具有成本低，标定精度高等优点。
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公开(公告)号：CN109920747B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910185830.9
申请日：2019-03-12
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种湿法刻蚀设备及光刻胶清洗显影装置，该湿法刻蚀设备包括：壳体，壳体的外壁上设有控制面板；载液盆设于壳体内，用于盛放溶液；该载液盆的盆沿与壳体的内壁固连；超声波雾化器固设于载液盆的底部，用于将载液盆中的溶液雾化成液滴；刻蚀花篮设于载液盆的盆沿上，用于盛放被刻蚀器件；该被刻蚀器件与溶液分离；供电模块设于壳体的底部；其中，超声波雾化器与控制面板电连接；超声波雾化器、控制面板均与供电模块电连接。采用刻蚀花篮使被刻蚀器件与溶液分离，并用超声波雾化器将刻蚀液雾化，利用雾化液滴刻蚀器件，使镂空、栅格等精细复杂结构平稳释放，提供刻蚀精细复杂结构的成功率。
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公开(公告)号：CN109920747A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910185830.9
申请日：2019-03-12
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种湿法刻蚀设备及光刻胶清洗显影装置，该湿法刻蚀设备包括：壳体，壳体的外壁上设有控制面板；载液盆设于壳体内，用于盛放溶液；该载液盆的盆沿与壳体的内壁固连；超声波雾化器固设于载液盆的底部，用于将载液盆中的溶液雾化成液滴；刻蚀花篮设于载液盆的盆沿上，用于盛放被刻蚀器件；该被刻蚀器件与溶液分离；供电模块设于壳体的底部；其中，超声波雾化器与控制面板电连接；超声波雾化器、控制面板均与供电模块电连接。采用刻蚀花篮使被刻蚀器件与溶液分离，并用超声波雾化器将刻蚀液雾化，利用雾化液滴刻蚀器件，使镂空、栅格等精细复杂结构平稳释放，提供刻蚀精细复杂结构的成功率。
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公开(公告)号：CN107448648A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710877686.6
申请日：2017-09-25
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种全塑微型单向阀，包括基板和阀膜，基板上设有圆锥状通孔，阀膜覆于圆锥状通孔窄口端的基板一侧，阀膜上设有围绕中间一圆形膜片环形布置的多个通孔，圆形膜片的面积大于圆锥状通孔窄口端，完全将圆锥状通孔窄口端覆盖，基板的圆锥状通孔与阀膜上圆形膜片周围的通孔之间构成微型单向阀的流体流路，本发明还公开了一种全塑微型单向阀的加工方法，采用准分子激光微细加工技术对基板进行加工，并将阀口薄膜图形化形成阀口通道，避免使用复杂的化学刻蚀和机械加工方法，刻蚀精度高，工艺简单，操作方便，生产效率高，生产成本低，适合批量化生产。
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公开(公告)号：CN109634062A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201810794694.9
申请日：2018-07-18
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/2039 , G03F7/70058 , G03F7/7055 , G03F7/70558
Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，更具体地，涉及一种基于整形X射线移动曝光的微台阶加工装置及方法。基于整形X射线移动曝光的微台阶加工装置，它包括同步辐射光光源、掩膜版、PMMA光刻胶板、移动工作台和曝光腔，所述掩膜版、PMMA光刻胶板、移动工作台设置在曝光腔内，PMMA光刻胶板固定设置在移动工作台上，掩膜版位于PMMA光刻胶板前方，所述同步辐射光光源位于曝光腔外，且设置在掩膜版前方，所述掩膜版上设有小孔，所述同步辐射光光源发射的X射线进入曝光腔区域，通过掩膜版上的小孔，得到整形好的X射线，对移动工作台的上PMMA光刻胶板进行曝光。通过控制整形X射线照射到光刻胶的时间，获得不同的曝光剂量，从而获得不同深度的台阶式结构。
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