公开(公告)号：CN112859539B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202110084626.5

申请日：2021-01-21

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 李以贵 ,  范若欣 ,  赖丽燕 ,  王欢 ,  张成功

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种X射线曝光装置，包括套筒(1)和与套筒(1)连接的移动工作台(2)，所述的套筒(1)内设置有掩模版(3)和光刻胶基板(4)，套筒(1)上设有入光口(11)，X射线通过入光口(11)进入套筒(1)内。与现有技术相比，本发明不仅可以有效保护了光刻掩模版，而且此装置可以有效提高光刻的效率以及达到高精度的光刻效果，做到批量生产。

公开(公告)号：CN112859539A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202110084626.5

申请日：2021-01-21

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 李以贵 ,  范若欣 ,  赖丽燕 ,  王欢 ,  张成功

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种X射线曝光装置，包括套筒(1)和与套筒(1)连接的移动工作台(2)，所述的套筒(1)内设置有掩模版(3)和光刻胶基板(4)，套筒(1)上设有入光口(11)，X射线通过入光口(11)进入套筒(1)内。与现有技术相比，本发明不仅可以有效保护了光刻掩模版，而且此装置可以有效提高光刻的效率以及达到高精度的光刻效果，做到批量生产。

公开(公告)号：CN116926639A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310922721.7

申请日：2023-08-22

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 赖丽燕 ,  毕愈潇 ,  王桂莲 ,  张炎鑫 ,  丁桂甫 ,  李以贵

IPC: C25D9/08 ,  C25D21/12 ,  C25D21/14

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶须增强铜基复合材料的制备方法，包括如下步骤：将SiCw粉体加入电镀液中，搅拌，制备得到含SiCw的电镀液；将阴极极板、阳极极板插入含SiCw的电镀液中，搅拌下进行电沉积，在阴极极板上沉积得到碳化硅晶须增强铜基复合材料，其中阳极极板为电解铜阳极板。本发明制备过程大多在水溶液中进行，无需高温，避免了传统高温工艺中的剧烈界面反应，且电沉积过程中的液相体系持续搅拌使SiCw均匀分散，可有效地避免SiCw的二次团聚，保持SiCw在Cu基体中分布均匀，解决了复合材料孔隙率高的问题。本发明的碳化硅晶须增强铜基复合材料，SiCw在Cu基体中分布均匀、界面致密无孔，具有较好的力学性能。