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公开(公告)号：CN101849276A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200880114556.6
申请日：2008-10-14
Applicant: 三菱重工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: H01L21/2007 , C03C27/06 , H01L24/28 , H01L24/31 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L31/0203 , H01L33/0079 , H01L2224/83099 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/0102 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01072 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/07802 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的设备具备：第一基板，其主成分为二氧化硅；第二基板，其主成分为硅或化合物半导体或二氧化硅或氟化物的任一个；接合功能中间层，其配置于第一基板、和第二基板之间。第一基板通过经由接合功能中间层，使第一基板的溅射的第一表面、和第二基板的溅射的第二表面接触的常温接合，接合于第二基板。此时，接合功能中间层的材料与第一基板的主成分不同，与第二基板的主成分不同，选自氧化物或氟化物或氮化物中的具有光透过性的材料。
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公开(公告)号：CN101849276B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200880114556.6
申请日：2008-10-14
Applicant: 三菱重工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: H01L21/2007 , C03C27/06 , H01L24/28 , H01L24/31 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L31/0203 , H01L33/0079 , H01L2224/83099 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/0102 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01072 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/07802 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的设备具备：第一基板，其主成分为二氧化硅；第二基板，其主成分为硅或化合物半导体或二氧化硅或氟化物的任一个；接合功能中间层，其配置于第一基板、和第二基板之间。第一基板通过经由接合功能中间层，使第一基板的溅射的第一表面、和第二基板的溅射的第二表面接触的常温接合，接合于第二基板。此时，接合功能中间层的材料与第一基板的主成分不同，与第二基板的主成分不同，选自氧化物或氟化物或氮化物中的具有光透过性的材料。
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公开(公告)号：CN101500742A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780029959.6
申请日：2007-09-06
Applicant: 三菱重工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: H01L21/2007 , B23K20/02 , B23K20/16 , B23K20/24 , B23K2101/36 , C23C14/16 , C23C14/3464 , C23C14/46
Abstract: 一种常温接合方法，是将多个基板隔着中间件在常温下接合的方法，包括物理溅射多个靶从而在所述基板的被接合面上形成所述中间件的工序和将被接合面用离子束活性化的工序。这种情况下，优选是物理溅射由多种材料构成的靶。从基板的被接合面看，由于从沿各种方向配置的多个靶溅射中间件的材料，因而能够往所述被接合面上均匀地形成中间件。再有，由于以多种材料形成中间件，因此无需接合时的加热和过度压接而能够实现由单一种类材料形成中间件时很难接合的基板彼此的常温接合。
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公开(公告)号：CN102159356B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN200980135284.2
申请日：2009-02-19
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67092 , B23K17/00 , B23K37/0408 , B23K37/047 , B23K2101/40 , B29C65/7897 , H01L21/187 , H01L21/6833
Abstract: 本发明的提供一种晶片接合方法和晶片接合装置。该晶片接合方法包括：通过向上侧保持机构(7)施加电压而将第一基板保持在上侧保持机构(7)的步骤；通过接合该第一基板和保持在下侧保持机构(8)的第二基板来生成接合基板的步骤；在上侧保持机构(7)施加交变衰减电压后，从上侧保持机构(7)解除装卡该接合基板的步骤。通过在上侧保持机构(7)施加交变衰减电压，能够降低该接合基板与上侧保持机构(7)之间的残留吸附力，更为可靠且在更短时间从上侧保持机构(7)解除装卡。其结果，晶片接合装置(1)能够在更短时间接合第一基板和第二基板。
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公开(公告)号：CN102414784A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080018540.2
申请日：2010-10-27
Applicant: 三菱重工业株式会社
CPC classification number: H01L21/67092 , B81C1/00357 , B81C99/0025
Abstract: 本发明的多层接合方法包括：通过在接合腔室的内部将上基板和中间基板接合来制作第一接合基板的步骤；在该接合腔室的内部配置该第一接合基板时将下基板搬入该接合腔室的内部的步骤；通过在该接合腔室的内部将该第一接合基板和该下基板接合来制作第二接合基板的步骤。根据这样的多层接合方法，该上基板在与该中间基板接合后不用从该接合腔室取出就能够与该下基板接合。因此，能够快速地制作该第二接合基板，且能够低成本地制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102246266A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149748.5
申请日：2009-09-29
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L21/02 , B23K20/00 , H01L21/677 , B23K101/40
CPC classification number: H01L21/6838 , B23K20/02 , B23K2101/40 , H01L21/67201 , Y10T156/10 , Y10T156/17
Abstract: 本发明涉及一种常温接合装置，该常温接合装置包括：负载固定室，内部气压被减压；卡盘，设置于该负载固定室内部。这时，该卡盘在该基板承载于该卡盘上时，形成与该基板接触的岛部分。该岛部分形成有流路，该流路在该基板承载于该卡盘上时，使该卡盘与该基板夹着的空间与外部连接。在该负载固定室内部的气压减压时，该卡盘和该基板夹着的空间内填充的气体通过该流路向外部排气。因此，这样的常温接合装置，在该气压减压时，该气体可以防止该基板相对于该卡盘移动。
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公开(公告)号：CN101960557B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200880127651.X
申请日：2008-03-11
Applicant: 三菱重工业株式会社
CPC classification number: H01L21/67778 , H01L21/67092 , H01L21/6732 , H01L21/67748 , H01L21/68 , H01L21/683 , Y10T156/1744
Abstract: 本发明提供一种常温接合装置，其具备：角度调节机构(12)，将保持第一基板的第一试料台(13)支承在第一架台(11)上并可变更所述第一试料台(13)的朝向；第一驱动装置(14)，沿第一方向驱动所述第一架台(11)；第二驱动装置(44)，沿第二方向驱动保持第二基板的第二试料台(46)；以及滑架支承台(45)，在压接所述第二基板和所述第一基板时，沿所述第一方向支承所述第二试料台(46)。此时，常温接合装置可将超过第二驱动装置(44)的耐负荷的大负荷施加于第一基板和第二基板。常温接合装置还能够利用角度调节机构(12)变更第一基板的方向以使第一基板和第二基板平行地接触，能够使接合面均匀地承载所述大负荷。
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公开(公告)号：CN102598208A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080047559.X
申请日：2010-11-30
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L21/02 , B23K20/00 , B23K20/14 , B23K20/24 , B23K101/40
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/187
Abstract: 本发明具备：通过向第一基板的第一基板表面和第二基板的第二基板表面照射粒子来使第二基板表面和第一基板表面活化的活化步骤(S2)；及在第一基板的温度与第二基板的温度的温度差成为规定值以下之后，使第二基板表面与第一基板表面接触，从而将第二基板与第一基板接合的接合步骤(S4)。根据此种接合方法，与在第一基板的温度与第二基板的温度的温度差成为规定值以下之前将两基板接合的其他的接合方法相比，能够进一步降低在得到的接合基板上产生的翘曲。
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公开(公告)号：CN101500742B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200780029959.6
申请日：2007-09-06
Applicant: 三菱重工业株式会社
CPC classification number: H01L21/2007 , B23K20/02 , B23K20/16 , B23K20/24 , B23K2101/36 , C23C14/16 , C23C14/3464 , C23C14/46
Abstract: 一种常温接合方法，是将多个基板(4)隔着中间件(20、21)在常温下接合的方法，包括物理溅射多个靶(7)从而在所述基板(4)的被接合面上形成所述中间件(20、21)的工序和将被接合面用离子束活性化的工序。这种情况下，优选是物理溅射由多种材料构成的靶(7)。从基板(4)的被接合面看，由于从沿各种方向配置的多个靶溅射中间件(20、21)的材料，因而能够往所述被接合面上均匀地形成中间件(20、21)。再有，由于以多种材料形成中间件，因此无需接合时的加热和过度压接而能够实现由单一种类材料形成中间件时很难接合的基板彼此的常温接合。
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公开(公告)号：CN100333992C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200510052804.7
申请日：2005-02-28
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C3/008
Abstract: 公开了一种具有高形状精度的微结构的制造方法及其制造系统。在具有预定定位精度和大行程的粗动工作台(51)上，设置有具有小行程和高于粗动工作台(51)定位精度的微动工作台(52)。首先，移动粗动工作台(51)至要求的位置。利用设置在激光长度测量机(64)上的镜子(55)和微动工作台(52)，高精度地测量在微动工作台(52)上的薄膜元件(25)的当前位置。激光长度测量机(64)的测量值反馈到工作台控制装置(61)。通过误差校正单元(64)计算当前位置和目标位置之间的误差。因此，产生误差校正值。并且利用误差校正值移动微动工作台(52)到目标位置。从而校正粗动工作台(51)的误差。
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