公开(公告)号：CN102246266B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN200980149748.5

申请日：2009-09-29

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 木内雅人 ,  后藤崇之 ,  田原谕 ,  津野武志 ,  内海淳 ,  井手健介 ,  铃木毅典

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00 ,  H01L21/677 ,  B23K101/40

CPC classification number: H01L21/6838 ,  B23K20/02 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/67201 ,  Y10T156/10 ,  Y10T156/17

Abstract: 本发明涉及一种常温接合装置，该常温接合装置包括：负载固定室，内部气压被减压；卡盘，设置于该负载固定室内部。这时，该卡盘在该基板承载于该卡盘上时，形成与该基板接触的岛部分。该岛部分形成有流路，该流路在该基板承载于该卡盘上时，使该卡盘与该基板夹着的空间与外部连接。在该负载固定室内部的气压减压时，该卡盘和该基板夹着的空间内填充的气体通过该流路向外部排气。因此，这样的常温接合装置，在该气压减压时，该气体可以防止该基板相对于该卡盘移动。

公开(公告)号：CN101960557A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200880127651.X

申请日：2008-03-11

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 津野武志 ,  后藤崇之 ,  木之内雅人 ,  田原谕 ,  内海淳 ,  津村阳一郎 ,  井手健介 ,  铃木毅典

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00 ,  B23K20/14

CPC classification number: H01L21/67778 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6732 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  Y10T156/1744

Abstract: 本发明提供一种常温接合装置，其具备：角度调节机构，将保持第一基板的第一试料台支承在第一架台上并可变更所述第一试料台的朝向；第一驱动装置，沿第一方向驱动所述第一架台；第二驱动装置，沿第二方向驱动保持第二基板的第二试料台；以及滑架支承台，在压接所述第二基板和所述第一基板时，沿所述第一方向支承所述第二试料台。此时，常温接合装置可将超过第二驱动装置的耐负荷的大负荷施加于第一基板和第二基板。常温接合装置还能够利用角度调节机构变更第一基板的方向以使第一基板和第二基板平行地接触，能够使接合面均匀地承载所述大负荷。

公开(公告)号：CN101454113A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200780019998.8

申请日：2007-05-30

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 内海淳 ,  后藤崇之 ,  井手健介 ,  船山正宏 ,  高木秀树

IPC: B23K20/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B32B38/0008 ,  B23K20/02 ,  B23K20/22 ,  B32B37/14 ,  B32B2457/00 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/032 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/58 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明提供常温接合的器件、器件的制造方法以及常温接合装置。该器件在第一衬底和第二衬底的界面形成生成接合强度的中间材料，在该中间材料层内存多种金属元素。根据溅射时的运转参数，该多种金属元素的界面元素存在比率为0.07以上。这样，将难接合性材料组成的衬底(例如，SiO2类材料衬底)通过常温接合，以实用的接合强度进行接合，从而得到器件。

公开(公告)号：CN102159356B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN200980135284.2

申请日：2009-02-19

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 津野武志 ,  后藤崇之 ,  木内雅人 ,  井手健介 ,  铃木毅典

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67092 ,  B23K17/00 ,  B23K37/0408 ,  B23K37/047 ,  B23K2101/40 ,  B29C65/7897 ,  H01L21/187 ,  H01L21/6833

Abstract: 本发明的提供一种晶片接合方法和晶片接合装置。该晶片接合方法包括：通过向上侧保持机构(7)施加电压而将第一基板保持在上侧保持机构(7)的步骤；通过接合该第一基板和保持在下侧保持机构(8)的第二基板来生成接合基板的步骤；在上侧保持机构(7)施加交变衰减电压后，从上侧保持机构(7)解除装卡该接合基板的步骤。通过在上侧保持机构(7)施加交变衰减电压，能够降低该接合基板与上侧保持机构(7)之间的残留吸附力，更为可靠且在更短时间从上侧保持机构(7)解除装卡。其结果，晶片接合装置(1)能够在更短时间接合第一基板和第二基板。

公开(公告)号：CN102414784A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080018540.2

申请日：2010-10-27

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 木内雅人 ,  后藤崇之 ,  津野武志 ,  井手健介 ,  铃木毅典

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00 ,  B23K20/14 ,  B23K20/24 ,  B81C3/00 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67092 ,  B81C1/00357 ,  B81C99/0025

Abstract: 本发明的多层接合方法包括：通过在接合腔室的内部将上基板和中间基板接合来制作第一接合基板的步骤；在该接合腔室的内部配置该第一接合基板时将下基板搬入该接合腔室的内部的步骤；通过在该接合腔室的内部将该第一接合基板和该下基板接合来制作第二接合基板的步骤。根据这样的多层接合方法，该上基板在与该中间基板接合后不用从该接合腔室取出就能够与该下基板接合。因此，能够快速地制作该第二接合基板，且能够低成本地制作。

公开(公告)号：CN102246266A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200980149748.5

申请日：2009-09-29

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 木内雅人 ,  后藤崇之 ,  田原谕 ,  津野武志 ,  内海淳 ,  井手健介 ,  铃木毅典

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00 ,  H01L21/677 ,  B23K101/40

CPC classification number: H01L21/6838 ,  B23K20/02 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/67201 ,  Y10T156/10 ,  Y10T156/17

Abstract: 本发明涉及一种常温接合装置，该常温接合装置包括：负载固定室，内部气压被减压；卡盘，设置于该负载固定室内部。这时，该卡盘在该基板承载于该卡盘上时，形成与该基板接触的岛部分。该岛部分形成有流路，该流路在该基板承载于该卡盘上时，使该卡盘与该基板夹着的空间与外部连接。在该负载固定室内部的气压减压时，该卡盘和该基板夹着的空间内填充的气体通过该流路向外部排气。因此，这样的常温接合装置，在该气压减压时，该气体可以防止该基板相对于该卡盘移动。

公开(公告)号：CN101849276A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200880114556.6

申请日：2008-10-14

Applicant: 三菱重工业株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 内海淳 ,  后藤崇之 ,  井手健介 ,  高木秀树 ,  船山正宏

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/02 ,  H01L27/14 ,  H01L31/02 ,  B23K20/00

CPC classification number: H01L21/2007 ,  C03C27/06 ,  H01L24/28 ,  H01L24/31 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/83099 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的设备具备：第一基板，其主成分为二氧化硅；第二基板，其主成分为硅或化合物半导体或二氧化硅或氟化物的任一个；接合功能中间层，其配置于第一基板、和第二基板之间。第一基板通过经由接合功能中间层，使第一基板的溅射的第一表面、和第二基板的溅射的第二表面接触的常温接合，接合于第二基板。此时，接合功能中间层的材料与第一基板的主成分不同，与第二基板的主成分不同，选自氧化物或氟化物或氮化物中的具有光透过性的材料。

公开(公告)号：CN102414784B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201080018540.2

申请日：2010-10-27

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 木内雅人 ,  后藤崇之 ,  津野武志 ,  井手健介 ,  铃木毅典

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00 ,  B23K20/14 ,  B23K20/24 ,  B81C3/00 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67092 ,  B81C1/00357 ,  B81C99/0025

Abstract: 本发明的多层接合方法包括：通过在接合腔室的内部将上基板和中间基板接合来制作第一接合基板的步骤；在该接合腔室的内部配置该第一接合基板时将下基板搬入该接合腔室的内部的步骤；通过在该接合腔室的内部将该第一接合基板和该下基板接合来制作第二接合基板的步骤。根据这样的多层接合方法，该上基板在与该中间基板接合后不用从该接合腔室取出就能够与该下基板接合。因此，能够快速地制作该第二接合基板，且能够低成本地制作。

公开(公告)号：CN102598208B

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201080047559.X

申请日：2010-11-30

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 堤圭一郎 ,  津野武志 ,  后藤崇之 ,  木之内雅人 ,  铃木毅典 ,  井手健介

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00 ,  B23K20/14 ,  B23K20/24 ,  B23K101/40

CPC classification number: H01L21/67092 ,  H01L21/187

Abstract: 本发明具备：通过向第一基板的第一基板表面和第二基板的第二基板表面照射粒子来使第二基板表面和第一基板表面活化的活化步骤(S2)；及在第一基板的温度与第二基板的温度的温度差成为规定值以下之后，使第二基板表面与第一基板表面接触，从而将第二基板与第一基板接合的接合步骤(S4)。根据此种接合方法，与在第一基板的温度与第二基板的温度的温度差成为规定值以下之前将两基板接合的其他的接合方法相比，能够进一步降低在得到的接合基板上产生的翘曲。

公开(公告)号：CN101909803B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN200880123613.7

申请日：2008-09-29

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 木内雅人 ,  后藤崇之 ,  田原谕 ,  津野武志 ,  内海淳 ,  井手健介 ,  铃木毅典

IPC: H01L21/02

CPC classification number: B32B37/1009 ,  B23K20/02 ,  B32B37/10 ,  B32B2309/68 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明涉及一种常温接合装置及常温接合方法，该常温接合装置具有排气装置、气体供给装置、压力计、清净装置、压力控制器和压接机构。该排气装置从腔室的内部排出气体。该气体供给装置对该腔室的内部供给导入气体。该压力计测量该腔室的内部的压力。该清净装置在该被测量出的压力处于规定的真空度时在该腔室的内部清净第一基板和第二基板。该压力控制器控制该排气装置和该气体供给装置两者，以使该被测量出的压力与目标压力一致。该压接机构在该被测量出的压力为其目标压力时在该腔室的内部压接该第一基板和第二基板。