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公开(公告)号:CN101849276A
公开(公告)日:2010-09-29
申请号:CN200880114556.6
申请日:2008-10-14
Applicant: 三菱重工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: H01L21/2007 , C03C27/06 , H01L24/28 , H01L24/31 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L31/0203 , H01L33/0079 , H01L2224/83099 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/0102 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01072 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/07802 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的设备具备:第一基板,其主成分为二氧化硅;第二基板,其主成分为硅或化合物半导体或二氧化硅或氟化物的任一个;接合功能中间层,其配置于第一基板、和第二基板之间。第一基板通过经由接合功能中间层,使第一基板的溅射的第一表面、和第二基板的溅射的第二表面接触的常温接合,接合于第二基板。此时,接合功能中间层的材料与第一基板的主成分不同,与第二基板的主成分不同,选自氧化物或氟化物或氮化物中的具有光透过性的材料。
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公开(公告)号:CN101849276B
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN200880114556.6
申请日:2008-10-14
Applicant: 三菱重工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: H01L21/2007 , C03C27/06 , H01L24/28 , H01L24/31 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L31/0203 , H01L33/0079 , H01L2224/83099 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/0102 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01072 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/07802 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的设备具备:第一基板,其主成分为二氧化硅;第二基板,其主成分为硅或化合物半导体或二氧化硅或氟化物的任一个;接合功能中间层,其配置于第一基板、和第二基板之间。第一基板通过经由接合功能中间层,使第一基板的溅射的第一表面、和第二基板的溅射的第二表面接触的常温接合,接合于第二基板。此时,接合功能中间层的材料与第一基板的主成分不同,与第二基板的主成分不同,选自氧化物或氟化物或氮化物中的具有光透过性的材料。
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公开(公告)号:CN101500742A
公开(公告)日:2009-08-05
申请号:CN200780029959.6
申请日:2007-09-06
Applicant: 三菱重工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: H01L21/2007 , B23K20/02 , B23K20/16 , B23K20/24 , B23K2101/36 , C23C14/16 , C23C14/3464 , C23C14/46
Abstract: 一种常温接合方法,是将多个基板隔着中间件在常温下接合的方法,包括物理溅射多个靶从而在所述基板的被接合面上形成所述中间件的工序和将被接合面用离子束活性化的工序。这种情况下,优选是物理溅射由多种材料构成的靶。从基板的被接合面看,由于从沿各种方向配置的多个靶溅射中间件的材料,因而能够往所述被接合面上均匀地形成中间件。再有,由于以多种材料形成中间件,因此无需接合时的加热和过度压接而能够实现由单一种类材料形成中间件时很难接合的基板彼此的常温接合。
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公开(公告)号:CN101454113A
公开(公告)日:2009-06-10
申请号:CN200780019998.8
申请日:2007-05-30
Applicant: 三菱重工业株式会社
CPC classification number: B32B38/0008 , B23K20/02 , B23K20/22 , B32B37/14 , B32B2457/00 , B81C3/001 , B81C2203/032 , C23C14/14 , C23C14/3414 , C23C14/58 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供常温接合的器件、器件的制造方法以及常温接合装置。该器件在第一衬底和第二衬底的界面形成生成接合强度的中间材料,在该中间材料层内存多种金属元素。根据溅射时的运转参数,该多种金属元素的界面元素存在比率为0.07以上。这样,将难接合性材料组成的衬底(例如,SiO2类材料衬底)通过常温接合,以实用的接合强度进行接合,从而得到器件。
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公开(公告)号:CN101454113B
公开(公告)日:2013-05-08
申请号:CN200780019998.8
申请日:2007-05-30
Applicant: 三菱重工业株式会社
CPC classification number: B32B38/0008 , B23K20/02 , B23K20/22 , B32B37/14 , B32B2457/00 , B81C3/001 , B81C2203/032 , C23C14/14 , C23C14/3414 , C23C14/58 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供常温接合的器件、器件的制造方法以及常温接合装置。该器件在第一衬底和第二衬底的界面形成生成接合强度的中间材料,在该中间材料层内存多种金属元素。根据溅射时的运转参数,该多种金属元素的界面元素存在比率为0.07以上。这样,将难接合性材料组成的衬底(例如,SiO2类材料衬底)通过常温接合,以实用的接合强度进行接合,从而得到器件。
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公开(公告)号:CN101500742B
公开(公告)日:2011-06-15
申请号:CN200780029959.6
申请日:2007-09-06
Applicant: 三菱重工业株式会社
CPC classification number: H01L21/2007 , B23K20/02 , B23K20/16 , B23K20/24 , B23K2101/36 , C23C14/16 , C23C14/3464 , C23C14/46
Abstract: 一种常温接合方法,是将多个基板(4)隔着中间件(20、21)在常温下接合的方法,包括物理溅射多个靶(7)从而在所述基板(4)的被接合面上形成所述中间件(20、21)的工序和将被接合面用离子束活性化的工序。这种情况下,优选是物理溅射由多种材料构成的靶(7)。从基板(4)的被接合面看,由于从沿各种方向配置的多个靶溅射中间件(20、21)的材料,因而能够往所述被接合面上均匀地形成中间件(20、21)。再有,由于以多种材料形成中间件,因此无需接合时的加热和过度压接而能够实现由单一种类材料形成中间件时很难接合的基板彼此的常温接合。
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