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公开(公告)号：CN1120500C
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN98107951.2
申请日：1998-05-07
Applicant: 三菱电机株式会社 , 三菱电气工程株式会社
CPC classification number: G11C29/50 , G11C11/401 , G11C29/14
Abstract: 半导体存储器包括控制电路、测试模式控制电路、内部周期设定电路及地址锁存电路。控制电路检测是否指定了测试模式。测试模式控制电路检测是否指定了自干扰测试模式。内部周期设定电路在测试模式下且在指定了自干扰测试模式的情况下，重复产生给定周期的时钟信号。同时，地址锁存电路锁存在行地址选通信号下降沿时刻的地址。行译码器响应该时钟信号而激活，成为重复选择对应于已锁存的地址的字线的状态。
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公开(公告)号：CN1101587C
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：CN96111202.6
申请日：1996-07-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G11C11/407
CPC classification number: G11C8/18
Abstract: 在地址转移检测电路中，信号转换检测电路分别根据相应地址线的电平变化输出反相的互补时间差信号。波形整形单触发脉冲产生电路接收相应互补时间差信号并输出规定时间宽度的单触发脉冲信号。波形合成电路响应单触发脉冲信号的触发，输出规定脉冲宽度的ATD信号。因此，即使任何信号线的电平有突然的转换，从波形整形单触发脉冲产生电路输出的单触发脉冲宽度也保持不变，并规则地输出具有恒定脉冲宽度的ATD信号。
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公开(公告)号：CN1217545A
公开(公告)日：1999-05-26
申请号：CN98115697.5
申请日：1998-07-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G11C29/00
CPC classification number: G01R31/31701
Abstract: 本发明的同步型半导体存储装置的复位信号发生电路,响应接通电源后立即产生的电源接通复位信号ZPOR及接通电源后为进行初始化而执行的初始化命令(例如,预充电命令),输出复位信号ZPOR1。方式置位设定电路内包含的测试方式寄存器,接受该复位信号ZPOR1作为复位信号。因此,使所输出的测试方式信号变为NOP状态、或使测试方式信号的输出停止。
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公开(公告)号：CN1151592A
公开(公告)日：1997-06-11
申请号：CN96111202.6
申请日：1996-07-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G11C11/407
CPC classification number: G11C8/18
Abstract: 在地址转移检测电路中，信号转换检测电路分别根据相应地址线的电平变化输出反相的互补时间差信号。波形整形单触发脉冲产生电路接收相应互补时间差信号并输出规定时间宽度的单触发脉冲信号。波形合成电路响应单触发脉冲信号的触发，输出规定脉冲宽度的ATD信号。因此，即使任何信号线的电平有突然的转换，从波形整形单触发脉冲产生电路输出的单触发脉冲宽度也保持不变，并规则地输出具有恒定脉冲宽度的ATD信号。
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公开(公告)号：CN1153068C
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN98104093.4
申请日：1998-02-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 谷田进
IPC: G01R31/28
CPC classification number: G01R31/043 , G01R31/2853 , G01R31/2886 , G06F11/2733
Abstract: 半导体装置(8)的接触检查电路(6)包括串联连接在两端的触点(P0和P6)之间的并且它们的栅极分别与触点群(P1～P5)连接的N沟道MOS晶体管群(1～5)。在进行接触检查时，将高电平供给与触点群(P1～P5)对应的探针群，检查两端的触点(P0和P6)之间的导通状态。1次便可检查触点群(P0～P6)与半导体试验装置的探针群的接触状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1223442A
公开(公告)日：1999-07-21
申请号：CN98119270.X
申请日：1998-09-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G11C11/407 , H03K19/00 , H03F3/45
CPC classification number: G11C11/4076 , G11C7/22 , G11C11/406
Abstract: 本发明的半导体存储器中的时钟缓冲器具备2种接口电路,即LVTTL接口(NOR电路)和SSTL接口(差分放大器)。在设定成能抑制消耗功率的特定的模式(自更新模式)的情况下,半导体存储器使用LVTTL接口从外部取入信号。此外,在除自更新模式以外的模式下,使用SSTL接口从外部取入信号。由此,在特定的模式下,可抑制消耗电流。
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公开(公告)号：CN1211043A
公开(公告)日：1999-03-17
申请号：CN98107951.2
申请日：1998-05-07
Applicant: 三菱电机株式会社 , 三菱电气工程株式会社
CPC classification number: G11C29/50 , G11C11/401 , G11C29/14
Abstract: 半导体存储器包括控制电路、测试模式控制电路、内部周期设定电路及地址锁存电路。控制电路检测是否指定了测试模式。测试模式控制电路检测是否指定了自干扰测试模式。内部周期设定电路在测试模式下且在指定了自干扰测试模式的情况下,重复产生给定周期的时钟信号。同时,地址锁存电路锁存在行地址选通信号下降沿时刻的地址。行译码器响应该时钟信号而激活,成为重复选择对应于已锁存的的地址的字线的状态。
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公开(公告)号：CN1169156C
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN98119270.X
申请日：1998-09-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G11C11/407 , H03K19/00 , H03F3/45
CPC classification number: G11C11/4076 , G11C7/22 , G11C11/406
Abstract: 本发明的半导体存储器中的时钟缓冲器具备2种接口电路，即LVTTL接口(NOR电路)和SSTL接口(差分放大器)。在设定成能抑制消耗功率的特定的模式(自更新模式)的情况下，半导体存储器使用LVTTL接口从外部取入信号。此外，在除自更新模式以外的模式下，使用SSTL接口从外部取入信号。由此，在特定的模式下，可抑制消耗电流。
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公开(公告)号：CN1450559A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN03103743.7
申请日：2003-02-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G11C11/34
CPC classification number: G11C11/405 , G11C11/406
Abstract: 存储单元(1)由读出用存取晶体管(6)、恢复用存取晶体管(7)和存储电容器(8)构成。读出存取晶体管按照读出字线(SWL)上的信号使存储电容器与读出位线(SBL)耦合。恢复存取晶体管按照恢复字线(RWL)上的信号使存储电容器与恢复位线(RBL)耦合。存储电容器的电荷经读出位线传送至读出放大器(2)，经恢复放大器(3)和恢复存取晶体管将读出放大器的读出数据传送至原来的存储电容器上。使读出放大器的输出信号线与读出和恢复位线电隔离。以此缩短半导体存储器的存取时间。
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公开(公告)号：CN1107958C
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN98115697.5
申请日：1998-07-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G11C29/00
CPC classification number: G01R31/31701
Abstract: 本发明的同步型半导体存储装置的复位信号发生电路，响应接通电源后立即产生的电源接通复位信号ZPOR及接通电源后为进行初始化而执行的初始化命令(例如，预充电命令)，输出复位信号ZPOR1。方式置位设定电路内包含的测试方式寄存器，接受该复位信号ZPOR1作为复位信号。因此，使所输出的测试方式信号变为NOP状态、或使测试方式信号的输出停止。
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