公开(公告)号：CN1169156C

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN98119270.X

申请日：1998-09-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小桥寿夫 ,  樱井干夫 ,  谷田进

IPC: G11C11/407 ,  H03K19/00 ,  H03F3/45

CPC classification number: G11C11/4076 ,  G11C7/22 ,  G11C11/406

Abstract: 本发明的半导体存储器中的时钟缓冲器具备2种接口电路，即LVTTL接口(NOR电路)和SSTL接口(差分放大器)。在设定成能抑制消耗功率的特定的模式(自更新模式)的情况下，半导体存储器使用LVTTL接口从外部取入信号。此外，在除自更新模式以外的模式下，使用SSTL接口从外部取入信号。由此，在特定的模式下，可抑制消耗电流。

公开(公告)号：CN1121693C

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：CN97110232.5

申请日：1997-04-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小桥寿夫 ,  月川靖彦

IPC: G11C11/34 ,  G11C29/00

CPC classification number: G11C29/34 ,  G11C5/147 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/4094 ,  G11C29/24 ,  G11C29/50

Abstract: 一种能够容易且迅速地向存储器单元的存储结点写入逻辑电平的半导体存储装置。设有用于把位线电平切换到电源电平、中间电平或接地电平的切换电路。通常把位线电平设定为中间电平。在特殊写入方式时，通过均衡器把电源电平或接地电平提供给全部位线，使所要字线上升到“H”电平，向与该字线相连的全部存储器单元的存储结点写入电源电平或接地电平。能够向用冗余存储器单元置换的存储器单元的存储结点中写入电源电平或接地电平。

公开(公告)号：CN1223442A

公开(公告)日：1999-07-21

申请号：CN98119270.X

申请日：1998-09-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小桥寿夫 ,  樱井干夫 ,  谷田进

IPC: G11C11/407 ,  H03K19/00 ,  H03F3/45

CPC classification number: G11C11/4076 ,  G11C7/22 ,  G11C11/406

Abstract: 本发明的半导体存储器中的时钟缓冲器具备2种接口电路,即LVTTL接口(NOR电路)和SSTL接口(差分放大器)。在设定成能抑制消耗功率的特定的模式(自更新模式)的情况下,半导体存储器使用LVTTL接口从外部取入信号。此外,在除自更新模式以外的模式下,使用SSTL接口从外部取入信号。由此,在特定的模式下,可抑制消耗电流。

公开(公告)号：CN1177818A

公开(公告)日：1998-04-01

申请号：CN97110232.5

申请日：1997-04-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小桥寿夫 ,  月川靖彦

IPC: G11C11/407 ,  G01R31/28

CPC classification number: G11C29/34 ,  G11C5/147 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/4094 ,  G11C29/24 ,  G11C29/50

Abstract: 一种能够容易且迅速地向存储器单元的存储结点写入逻辑电平的半导体存储装置。设有用于把位线电平切换到电源电平、中间电平或接地电平的切换电路。通常把位线电平设定为中间电平。在特殊写入方式时,通过均衡器把电源电平或接地电平提供给全部位线,使所要字线上升到“H”电平,向与该字线相连的全部存储器单元的存储结点写入电源电平或接地电平。能够向用冗余存储器单元置换的存储器单元的存储结点中写入电源电平或接地电平。