公开(公告)号：CN1135561C

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN97118415.1

申请日：1997-09-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 有木卓弥

IPC: G11C11/34

CPC classification number: G11C29/34

Abstract: 一种半导体存储器，其特征在于，内部装有：设定测试模式的模式设定装置；数据输入控制电路，在测试模式设定时、将向规定个数的输入输出引出脚中的1个引出脚输入的数据输入到上述规定个数的输入输出引出脚中的其余引出脚；输入数据加密电路，相对于各输入输出引出脚具有使从数据输入控制电路输入的数据信号的值有选择地反转的电路；输出数据用的加密电路，相对于各输入输出引出脚具有使从存储器单元读出的数据信号的值有选择地反转的电路；数据输出控制电路，在测试模式设定时，根据从输出数据用的加密电路，向规定个数的输入输出引出脚输出的数据来判定数据的读出错误，将其判定结果输出到上述规定个数的输入输出引出脚中的1个引出脚上。

公开(公告)号：CN1375829A

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN01130303.4

申请日：2001-11-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 有木卓弥

IPC: G11C7/00 ,  G11C7/24 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C29/785 ,  G11C29/846

Abstract: 在SDRAM中包含的判定电路(12)根据来自冗余行译码器(24)和冗余列译码器(28)的信号(/RRE1、/RRE2、/CRE1、/CRE2),判定是否有地址信号未被编程的编程电路,经输出缓冲器(13)和信号输出端子(T1)将与判定结果对应的电平的信号(/REI)输出到外部。因而,即使在SDRAM已被封装后,通过检测在端子(T1)上呈现的信号(/RE)的电平,也可容易地知道是否能修复。

公开(公告)号：CN1190240A

公开(公告)日：1998-08-12

申请号：CN97118415.1

申请日：1997-09-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 有木卓弥

IPC: G11C11/34

CPC classification number: G11C29/34

Abstract: 提供一种半导体存储器,具有在将多个输入输出引出脚压缩成1个输入输出引出脚的同时执行恰当的加密处理的电路。本发明的半导体存储器内部装有:设定测试模式的模式设定装置;数据输入控制电路;输入数据用的加密电路;输出数据用的加密电路;以及数据输出控制电路。

公开(公告)号：CN1156885A

公开(公告)日：1997-08-13

申请号：CN96122846.6

申请日：1996-10-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 有木卓弥 ,  赤松宏 ,  森茂

IPC: G11C11/34 ,  G11C11/407 ,  H01L27/04

CPC classification number: G11C5/146 ,  G11C11/4074

Abstract: 一种检测电路(3)，接收写允许信号(/W)、列地址选通信号(/CAS)和输出控制信号(OEM)以便预先检测数据从输入/输出端(6)被输入的方式。在衬底电位产生电路(2)正常工作期间，当检测电路(3)检测到数据被输入的方式时，衬底电位保持电路(4)也工作，所以在数据从输入/输出端(6)实际被输入之前增大了衬底电位产生部分(1)的偏置能力。

公开(公告)号：CN1199182C

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN01130303.4

申请日：2001-11-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 有木卓弥

IPC: G11C7/00 ,  G11C7/24 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C29/785 ,  G11C29/846

Abstract: 本发明涉及一种采用了冗余方式的半导体存储器。在SDRAM中包含的判定电路(12)根据来自冗余行译码器(24)和冗余列译码器(28)的信号(/RRE1、/RRE2、/CRE1、/CRE2)，判定是否有地址信号未被编程的编程电路，经输出缓冲器(13)和信号输出端子(T1)将与判定结果对应的电平的信号(/REI)输出到外部。因而，即使在SDRAM已被封装后，通过检测在端子(T1)上呈现的信号(/RE)的电平，也可容易地知道是否能修复。

公开(公告)号：CN1450559A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN03103743.7

申请日：2003-02-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 月川靖彦 ,  有木卓弥 ,  谷田进 ,  丸山由纪子

IPC: G11C11/34

CPC classification number: G11C11/405 ,  G11C11/406

Abstract: 存储单元(1)由读出用存取晶体管(6)、恢复用存取晶体管(7)和存储电容器(8)构成。读出存取晶体管按照读出字线(SWL)上的信号使存储电容器与读出位线(SBL)耦合。恢复存取晶体管按照恢复字线(RWL)上的信号使存储电容器与恢复位线(RBL)耦合。存储电容器的电荷经读出位线传送至读出放大器(2)，经恢复放大器(3)和恢复存取晶体管将读出放大器的读出数据传送至原来的存储电容器上。使读出放大器的输出信号线与读出和恢复位线电隔离。以此缩短半导体存储器的存取时间。