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发明公开
半导体存储器无效

公开(公告)号：CN1450559A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN03103743.7

申请日：2003-02-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 月川靖彦 , 有木卓弥 , 谷田进 , 丸山由纪子

IPC: G11C11/34

CPC classification number: G11C11/405 , G11C11/406

Abstract: 存储单元(1)由读出用存取晶体管(6)、恢复用存取晶体管(7)和存储电容器(8)构成。读出存取晶体管按照读出字线(SWL)上的信号使存储电容器与读出位线(SBL)耦合。恢复存取晶体管按照恢复字线(RWL)上的信号使存储电容器与恢复位线(RBL)耦合。存储电容器的电荷经读出位线传送至读出放大器(2)，经恢复放大器(3)和恢复存取晶体管将读出放大器的读出数据传送至原来的存储电容器上。使读出放大器的输出信号线与读出和恢复位线电隔离。以此缩短半导体存储器的存取时间。

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