半导体存储器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1150560C

    公开(公告)日:2004-05-19

    申请号:CN97118414.3

    申请日:1997-09-04

    CPC classification number: G11C29/38

    Abstract: 提供一种在I/O压缩模式时可从一个数据输入输出端子进行任何存储单元的数据的读出/写入的半导体存储器。把缩减读出切换电路1设置在DRAM的数据一致/不一致判定电路120和已缩减的一个数据输入输出端子161.1之间。通过使信号TER、φr1~φr4中之一的信号变成“H”电平,就可读出判定电路(120)的输出数据(DOT)和读出数据(D01~D04)中所需要的数据,并且能确定4个存储单元中哪一个存储单元是坏的。

    半导体存储装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1428788A

    公开(公告)日:2003-07-09

    申请号:CN02157461.8

    申请日:2002-12-18

    Inventor: 赤松宏

    CPC classification number: G11C29/785 G11C29/24

    Abstract: 通过备用地址变换回路,在数据写入时和数据读出时,使备用子字线的地址分配与正常子字线的地址分配不同。写入数据,使地址变换前和变换后的备用字线中存入相反的数据模式。发生多重选择时,由于在对应的位线上发生数据冲突,所以可以可靠地检测出多重选择。

    半导体存储装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1203425A

    公开(公告)日:1998-12-30

    申请号:CN98105434.X

    申请日:1998-03-09

    Inventor: 赤松宏 森茂

    CPC classification number: G11C29/84 G11C29/842

    Abstract: 提供一种在不使用备用存储单元时能使存取速度实现高速化的半导体存储装置。在SDRAM中,当不使用备用选择线SCSL时,在互补列地址信号/CAD0~/CAD7被确定的时刻t1开始对列选择线CSL的访问,当使用备用选择线SCSL时,在冗余列译码激活信号/SCE的电平被确定的时刻t2之前停止对列选择线CSL的访问。与在时刻t2之前总是使对列选择线CSL的访问停止的现有装置相比,能使存取速度实现高速化。

    半导体存储器
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1190782A

    公开(公告)日:1998-08-19

    申请号:CN97118414.3

    申请日:1997-09-04

    CPC classification number: G11C29/38

    Abstract: 提供一种在I/O缩减模式时可从一个数据输入输出端子进行任何存储单元的数据的读出/写入的半导体存储器。把缩减读出切换电路1设置在DRAM的数据一致/不一致判定电路120和已缩减的一个数据输入输出端子161.1之间。通过使信号TER、Φr1~Φr4中之一的信号变成“H”电平,就可读出判定电路120的输出数据DOT和读出数据DO1~DO4中所需要的数据,并且能确定4个存储单元中哪一个存储单元是坏的。

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