公开(公告)号：CN1211043A

公开(公告)日：1999-03-17

申请号：CN98107951.2

申请日：1998-05-07

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  三菱电气工程株式会社

Inventor： 黑宫修 ,  谷田进 ,  早川吾郎

IPC: G11C29/00 ,  G01R31/28

CPC classification number: G11C29/50 ,  G11C11/401 ,  G11C29/14

Abstract: 半导体存储器包括控制电路、测试模式控制电路、内部周期设定电路及地址锁存电路。控制电路检测是否指定了测试模式。测试模式控制电路检测是否指定了自干扰测试模式。内部周期设定电路在测试模式下且在指定了自干扰测试模式的情况下,重复产生给定周期的时钟信号。同时,地址锁存电路锁存在行地址选通信号下降沿时刻的地址。行译码器响应该时钟信号而激活,成为重复选择对应于已锁存的的地址的字线的状态。

公开(公告)号：CN1120500C

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN98107951.2

申请日：1998-05-07

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  三菱电气工程株式会社

Inventor： 黑宫修 ,  谷田进 ,  早川吾郎

IPC: G11C29/00 ,  G01R31/28

CPC classification number: G11C29/50 ,  G11C11/401 ,  G11C29/14

Abstract: 半导体存储器包括控制电路、测试模式控制电路、内部周期设定电路及地址锁存电路。控制电路检测是否指定了测试模式。测试模式控制电路检测是否指定了自干扰测试模式。内部周期设定电路在测试模式下且在指定了自干扰测试模式的情况下，重复产生给定周期的时钟信号。同时，地址锁存电路锁存在行地址选通信号下降沿时刻的地址。行译码器响应该时钟信号而激活，成为重复选择对应于已锁存的地址的字线的状态。