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公开(公告)号：CN1201381C
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN98109714.6
申请日：1998-06-05
Applicant: 三菱电机株式会社 , 三菱电气工程株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L23/495
CPC classification number: H01L21/4842 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供防止密封树脂的损坏以及抑制产生树脂碎片的半导体器件的制造方法，同时提供抑制产生树脂碎片的冲压模具以及导轨。框架承载模具(11)具有容纳密封树脂(3)的俯视轮廓形状为矩形的空腔(11d)，在空腔(11d)的4个角部对应于引线框(2)的角部即无用部分(2a)的下表面的残留浇口(3b)的一个角部上设有残留浇口容纳部分(11c)。而且，在空腔(11d)和残留浇口容纳部分(11c)的边界部分处设置下浇口冲压机(11a)。
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公开(公告)号：CN1058358C
公开(公告)日：2000-11-08
申请号：CN98103731.3
申请日：1998-01-27
Applicant: 三菱电气工程株式会社 , 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02P23/0077 , Y10S388/921
Abstract: 本发明是为了解决能够进行控制的电动机的种类受到限制的问题。该电动机控制装置包括：中央处理电路，进行上述电动机控制装置的统一处理；计时器部，根据基准时钟产生预定脉冲；多个寄存器，能够通过上述中央处理电路进行数据的重写，对应于各相的控制信号而设置；移位寄存器，能够存储与上述多个寄存器的数量相同的位数的数据，通过从上述计时器部输出的上述预定脉冲来重新装载多个寄存器的值；控制信号生成装置，根据上述移位寄存器的输出信号而生成上述多相电动机的各相的控制信号。
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公开(公告)号：CN1123123C
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN98107773.0
申请日：1998-05-04
Applicant: 三菱电气工程株式会社 , 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03K17/005 , H03K17/04123 , H03K17/164
Abstract: 提供结构简单、可缩短切换时间的定电压发生装置，它具有如下功能：在选择多个电压发生单元LR2-LR5间各结点的电压之一并供给到输出端子OT的情况下，在该供给电压比当前输出端子OT的电压高时，使用第一充电单元T1向输出端子OT供给规定时间的比最大发生电压还高的充电电压，在供给输出端子较低的电压时，使用第一放电单元T2，向输出端子连接比最低发生电压还低的电压，从输出端子OT进行规定时间的放电。
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公开(公告)号：CN1213850A
公开(公告)日：1999-04-14
申请号：CN98109714.6
申请日：1998-06-05
Applicant: 三菱电机株式会社 , 三菱电气工程株式会社
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L21/4842 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供防止密封树脂的损坏以及抑制产生树脂碎片的半导体器件的制造方法,同时提供抑制产生树脂碎片的冲压模具以及导轨。框架承载模具11具有容纳密封树脂3的俯视轮廓形状为矩形的空腔11d,在空腔11d的4个角部对应于引线框2的角部(无用部分)2a的下表面的残留浇口3b的一个角部上设有残留浇口容纳部分11c。而且,在空腔11d和残留浇口容纳部分11c的边界部分处设置下浇口冲压机11a。
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公开(公告)号：CN1211043A
公开(公告)日：1999-03-17
申请号：CN98107951.2
申请日：1998-05-07
Applicant: 三菱电机株式会社 , 三菱电气工程株式会社
CPC classification number: G11C29/50 , G11C11/401 , G11C29/14
Abstract: 半导体存储器包括控制电路、测试模式控制电路、内部周期设定电路及地址锁存电路。控制电路检测是否指定了测试模式。测试模式控制电路检测是否指定了自干扰测试模式。内部周期设定电路在测试模式下且在指定了自干扰测试模式的情况下,重复产生给定周期的时钟信号。同时,地址锁存电路锁存在行地址选通信号下降沿时刻的地址。行译码器响应该时钟信号而激活,成为重复选择对应于已锁存的的地址的字线的状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1120500C
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN98107951.2
申请日：1998-05-07
Applicant: 三菱电机株式会社 , 三菱电气工程株式会社
CPC classification number: G11C29/50 , G11C11/401 , G11C29/14
Abstract: 半导体存储器包括控制电路、测试模式控制电路、内部周期设定电路及地址锁存电路。控制电路检测是否指定了测试模式。测试模式控制电路检测是否指定了自干扰测试模式。内部周期设定电路在测试模式下且在指定了自干扰测试模式的情况下，重复产生给定周期的时钟信号。同时，地址锁存电路锁存在行地址选通信号下降沿时刻的地址。行译码器响应该时钟信号而激活，成为重复选择对应于已锁存的地址的字线的状态。
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公开(公告)号：CN1287382A
公开(公告)日：2001-03-14
申请号：CN00118760.0
申请日：2000-06-26
Applicant: 三菱电机株式会社 , 三菱电气工程株式会社
CPC classification number: H05K1/141 , H01L23/16 , H01L23/3121 , H01L23/4334 , H01L23/49861 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0652 , H01L2224/05599 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H05K3/3447 , H05K3/366 , H05K2203/1572 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 在本发明的半导体装置的安装结构中,在以引线引脚(9)从1个侧端面突出的方式设置的封装基板(13)的表面、背面这两侧的主表面上分别设置半导体芯片(12),使封装基板(13)的安装了引线引脚(9)的面朝向安装基板(3),垂直于安装基板(3)而被安装。按照该结构,可提供能高效率地安装半导体芯片的半导体装置。
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公开(公告)号：CN1210397A
公开(公告)日：1999-03-10
申请号：CN98107773.0
申请日：1998-05-04
Applicant: 三菱电气工程株式会社 , 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03K17/005 , H03K17/04123 , H03K17/164
Abstract: 提供结构简单、可缩短切换时间的定电压发生装置,它具有如下功能:在选择多个电压发生单元LR2－LR5间各结点的电压之一并供给到输出端子OT的情况下,在该供给电压比当前输出端子OT的电压高时,使用第一充电单元T1向输出端子OT供给规定时间的比最大发生电压还高的充电电压,在供给输出端子较低的电压时,使用第一放电单元T2,向输出端子连接比最低发生电压还低的电压,从输出端子OT进行规定时间的放电。
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公开(公告)号：CN1166654A
公开(公告)日：1997-12-03
申请号：CN97102213.5
申请日：1997-01-10
Applicant: 三菱电机株式会社 , 三菱电气工程株式会社
Abstract: 一微电脑，包括CPU42，输入/输出端口44，具有RAM43的存储器装置，其利用控制总线46b，地址总线46c及数据总线46a加以连接，及存取装置44，44b，46a，46b，46c，用以在存储器装置44a存储数据时，可自外部直接存取RAM43，藉以可自外部直接存取内部的RAM。
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公开(公告)号：CN1192088A
公开(公告)日：1998-09-02
申请号：CN97117430.X
申请日：1997-08-09
Applicant: 三菱电气工程株式会社 , 三菱电机株式会社
IPC: H03M1/34
CPC classification number: H03M1/0872 , H03M1/46
Abstract: 本发明的目的是在由梯形电阻的抽头切换而处于过流状态的参照电压的影响下,谋求提高AD变换器的变换精度。在第一电容器8的充电结束后,通过使第一开关10独立于第二开关11和第三开关12而动作,在AD变换时,首先关断第一开关,使第二开关和第三开关导通而对电容器进行充电,然后,关断第二开关和第三开关并使第一开关导通,以后,依次使从开关组6所输出的参照电压变化,并在该参照电压稳定之前的期间内仅使第一开关关断,然后才导通。
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