公开(公告)号：CN117448824A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311566341.0

申请日：2019-09-18

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金贞儿 ,  朴美贤 ,  李轸雨 ,  金建伶 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC: C23F1/26 ,  H01L21/306 ,  C23F1/02 ,  C23F1/20 ,  C23F1/18 ,  C23F1/28 ,  C09K13/06

Abstract: 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。

公开(公告)号：CN111410964A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN202010013430.2

申请日：2020-01-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金贞儿 ,  金荣灿 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  李珍旭 ,  林廷训 ,  金益熙

IPC: C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  H01L21/311

Abstract: 本申请公开了蚀刻剂组合物和制作半导体器件的方法，所述组合物包含：无机酸；约0.01重量份至约0.5重量份的胶状二氧化硅；约0.01重量份至约30重量份的铵系添加剂；和约20重量份至约50重量份的溶剂，所有重量份都是基于100重量份的所述无机酸。

公开(公告)号：CN110911278A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910879827.7

申请日：2019-09-18

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金贞儿 ,  朴美贤 ,  李轸雨 ,  金建伶 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/20 ,  C23F1/28

Abstract: 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。

公开(公告)号：CN109749743A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811319973.6

申请日：2018-11-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 韩勋 ,  裴相元 ,  洪荣泽 ,  朴宰完 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 提供了蚀刻组合物、蚀刻氮化硅层的方法和半导体器件制造方法。用于蚀刻的组合物可以包括磷酸、铵类化合物、盐酸和多磷酸盐类化合物二者中的至少一种以及含硅化合物。

公开(公告)号：CN110911278B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN201910879827.7

申请日：2019-09-18

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金贞儿 ,  朴美贤 ,  李轸雨 ,  金建伶 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/20 ,  C23F1/28

Abstract: 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。

公开(公告)号：CN106548931B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201610831395.9

申请日：2016-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩东佑 ,  梁光容 ,  李珍旭 ,  田炅烨 ,  丁海建 ,  金度亨

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法和图案化方法，所述制造半导体器件的方法包括：在基底的第一区域和第二区域上分别形成第一有源图案和第二有源图案；在第一有源图案和第二有源图案上分别形成第一栅极结构和第二栅极结构；形成包覆层以覆盖第一栅极结构和第二栅极结构以及第一有源图案和第二有源图案；在第一栅极结构之间的第一有源图案中形成第一凹进区，在第二栅极结构之间的第二有源图案中形成第二凹进区。

公开(公告)号：CN112447852A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010885689.6

申请日：2020-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李光永 ,  李珍旭

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L27/02

Abstract: 一种半导体装置包括设置在衬底上的源极/漏极图案和连接到源极/漏极图案的源极/漏极触点。源极/漏极触点包括在第一方向上延伸的下触点结构和从下触点结构突出的上触点结构。上触点结构包括在第一方向上彼此背离的第一侧壁和第二侧壁。上触点结构的第一侧壁包括多个第一子侧壁，并且各个第一子侧壁包括凹面。

公开(公告)号：CN106169472B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201610186038.1

申请日：2016-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伦楷 ,  李珍旭 ,  郑钟基 ,  姜明一 ,  梁光容 ,  李宽钦 ,  李炳讚

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开提供具有多个栅结构的半导体器件。一种半导体器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；多个第一栅结构，在第一区域中，所述第一栅结构彼此间隔开第一距离；多个第二栅结构，在第二区域中，所述第二栅结构彼此间隔开第二距离；第一间隔物，在第一栅结构的侧壁上；电介质层，在第一间隔物上；第二间隔物，在第二栅结构的侧壁上；以及第三间隔物，在第二间隔物上。

公开(公告)号：CN106169472A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610186038.1

申请日：2016-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伦楷 ,  李珍旭 ,  郑钟基 ,  姜明一 ,  梁光容 ,  李宽钦 ,  李炳讚

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开提供具有多个栅结构的半导体器件。一种半导体器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；多个第一栅结构，在第一区域中，所述第一栅结构彼此间隔开第一距离；多个第二栅结构，在第二区域中，所述第二栅结构彼此间隔开第二距离；第一间隔物，在第一栅结构的侧壁上；电介质层，在第一间隔物上；第二间隔物，在第二栅结构的侧壁上；以及第三间隔物，在第二间隔物上。

公开(公告)号：CN106057872B

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201610239698.1

申请日：2016-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋在烈 ,  金完敦 ,  玄尚镇 ,  李珍旭 ,  权奇相 ,  高绮亨 ,  明成禹

IPC: H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种包括具有相对窄的宽度和相对小的间距的栅线的半导体器件以及一种制造该半导体器件的方法，所述半导体器件包括：衬底，其具有鳍式有源区；栅极绝缘层，其覆盖鳍式有源区的上表面和侧部；以及栅线，其延伸并且与鳍式有源区交叉同时覆盖鳍式有源区的上表面和两侧，栅线位于栅极绝缘层上，其中在垂直于栅线的延伸方向的剖面中，栅线的上表面的中心部分具有凹进形状。