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公开(公告)号：CN103019050A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210357232.3
申请日：2012-09-24
CPC分类号： G03F7/168 , C11D11/0047
摘要： 本发明涉及RRC过程和EBR过程用的稀释剂组合物、及供应前者的设备。所述RRC(减胶涂覆)过程用的稀释剂组合物包括乳酸烷基酯、环己酮和乙酸烷基酯，其中所述乙酸烷基酯的烷基取代基为C1-C5非基于醚的烷基。
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公开(公告)号：CN103019050B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201210357232.3
申请日：2012-09-24
CPC分类号： G03F7/168 , C11D11/0047
摘要： 本发明涉及RRC过程和EBR过程用的稀释剂组合物、及供应前者的设备。所述RRC(减胶涂覆)过程用的稀释剂组合物包括乳酸烷基酯、环己酮和乙酸烷基酯，其中所述乙酸烷基酯的烷基取代基为C1‑C5非基于醚的烷基。
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公开(公告)号：CN1752846B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200510106911.3
申请日：2005-09-23
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/023 , G03F7/0382 , G03F7/0392
摘要： 掩模图形包括抗蚀剂图形和抗蚀剂图形的表面上的凝胶层，凝胶层具有包括质子供体聚合物和质子受体聚合物之间的氢键的结点。还提供形成掩模图形的方法和使用该掩模图形作为刻蚀掩模制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN100494226C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200410097396.2
申请日：2004-11-29
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G03F7/0046 , C07D311/78 , C08F34/02 , G03F7/0395 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/115
摘要： 本发明提供多种单体，所述单体适用于通过包括至少一种多环烯基醚和一种α-氟化丙烯酸酯的自由基(阳离子)聚合制造光敏聚合物，所述光敏聚合物又可用于光致抗蚀剂组合物中。得到的光致抗蚀剂组合物表现出可接受的抗干法蚀刻性和透光率，其在光刻法中适用于多种光源，以制造精细的光致抗蚀剂图形，所述光源如KrF准分子激光器、ArF准分子激光器或F2准分子激光器。除了多环烯基醚和α-氟化丙烯酸酯之外，可向所述光敏聚合物引入另外的单体，所述单体包括一种或多种未取代的和取代的环状脂肪族化合物和杂环化合物，特别是二氢吡喃。然后可通过将这些不同的单体单元结合形成共聚物、三元共聚物和更多元的聚合物制造光敏聚合物，所述光敏聚合物的示例性实施方案通常由式V表示。
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公开(公告)号：CN100385622C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200310124851.9
申请日：2003-12-31
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/40
CPC分类号： G03F7/40 , Y10S430/143
摘要： 一种通过形成ArF抗蚀剂图形，然后通过在热处理期间将抗蚀剂图形暴露在VUV(真空紫外线)受激准分子激光器的辐射或E-束辐射中以减小图形开口的尺寸，在半导体器件上形成精细图形，特别是接触孔的方法，以临时减小抗蚀剂图形的Tg，并允许它流动，从而减小图形中的间隔和开口。
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公开(公告)号：CN1734352A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510087449.7
申请日：2005-07-22
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/09 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/40 , B82Y30/00 , G03F7/0752 , G03F7/165 , H01L21/0274
摘要： 提供一种包括含硅的自安装分子层的掩模图形，形成该掩模图形的方法以及制造半导体器件的方法。掩模图形包括在半导体衬底上形成的抗蚀剂图形和在抗蚀剂图形上形成的自安装分子层。自安装分子层具有通过溶胶－凝胶反应形成的硅石网状。为了形成掩模图形，首先，在覆盖衬底的底层上形成具有开口的抗蚀剂图形，以露出底层至第一宽度。然后，仅仅在抗蚀剂图形的表面上有选择地形成自安装分子层，以露出底层至第二宽度，第二宽度小于第一宽度。通过使用抗蚀剂图形和自安装的分子层作为刻蚀掩模刻蚀底层，获得精细图形。
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公开(公告)号：CN108181787B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201711297243.6
申请日：2017-12-08
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种光致抗蚀剂组合物包含感光性聚合物以及光酸产生剂，所述感光性聚合物包含聚合物链及偶合到所述聚合物链的至少一个第一官能团。所述第一官能团具有由以下化学式1表示的结构，[化学式1]其中R1为碳数为1至20的烷基及碳数为1至20的芳基中的一个，且R2为‑H、‑F、‑Cl、‑Br、碳数为1至20的烷基及碳数为1至20的芳基中的一个。上述的光致抗蚀剂组合物具有高感光性。
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公开(公告)号：CN113219787A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202011092502.3
申请日：2020-10-13
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G03F7/004
摘要： 一种抗蚀剂组合物包括：聚合物；以及由式1表示的化合物，[式1]在式1中，R1为氢、卤素、具有1个至7个碳原子的烷基、具有1个至7个碳原子的羰基、具有1个至7个碳原子的酯基、具有1个至7个碳原子的缩醛基、具有1个至7个碳原子的烷氧基、具有1个至7个碳原子的醚基、或由式R表示的基团，R2、R3、R4和R5为氢、卤素、具有1个至7个碳原子的烷基、具有1个至7个碳原子的酯基、具有1个至7个碳原子的缩醛基、具有1个至7个碳原子的烷氧基、或具有1个至7个碳原子的醚基，[式R]
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公开(公告)号：CN110376848A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910231808.3
申请日：2019-03-26
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/004 , C09D183/04
摘要： 提供了基底处理组合物和使用其制造半导体装置的方法。基底处理组合物包括第一单体、第二单体和酸。第一单体由式1表示，第二单体由式7表示。基底处理组合物的包括第一单体、第二单体和酸的固体含量的分子量是大约1,000g/mol至大约50,000g/mol。[式1]X-Si(R1)2(R2)[式7]Y-Si(R3)3。
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公开(公告)号：CN1752844A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510106920.2
申请日：2005-09-23
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L21/0274 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/31144
摘要： 形成集成电路器件的方法可以包括在集成电路器件层上形成抗蚀剂图形，通过抗蚀剂图形的开口露出部分层。在抗蚀剂图形上可以形成有机－无机混合硅氧烷网状薄膜。然后通过抗蚀剂图形和有机－无机混合硅氧烷网状薄膜露出的部分层可以被除去。也论述了相关结构。
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