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公开(公告)号:CN103019050A
公开(公告)日:2013-04-03
申请号:CN201210357232.3
申请日:2012-09-24
CPC classification number: G03F7/168 , C11D11/0047
Abstract: 本发明涉及RRC过程和EBR过程用的稀释剂组合物、及供应前者的设备。所述RRC(减胶涂覆)过程用的稀释剂组合物包括乳酸烷基酯、环己酮和乙酸烷基酯,其中所述乙酸烷基酯的烷基取代基为C1-C5非基于醚的烷基。
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公开(公告)号:CN118689047A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202410314636.7
申请日:2024-03-19
Abstract: 提供稀释剂组合物和通过使用所述稀释剂组合物处理基板表面的方法,所述稀释剂组合物可普遍用于极紫外(EUV)光致抗蚀剂以及KrF和ArF光致抗蚀剂并且在减胶涂覆(RRC)和边缘珠状物除去(EBR)方面呈现出改善的性能并且具有优异的管道清洁能力。所述稀释剂组合物包括C2‑C4亚烷基二醇C1‑C4烷基醚乙酸酯、C2‑C3亚烷基二醇C1‑C4烷基醚、和环酮。
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公开(公告)号:CN103019050B
公开(公告)日:2018-01-05
申请号:CN201210357232.3
申请日:2012-09-24
CPC classification number: G03F7/168 , C11D11/0047
Abstract: 本发明涉及RRC过程和EBR过程用的稀释剂组合物、及供应前者的设备。所述RRC(减胶涂覆)过程用的稀释剂组合物包括乳酸烷基酯、环己酮和乙酸烷基酯,其中所述乙酸烷基酯的烷基取代基为C1‑C5非基于醚的烷基。
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公开(公告)号:CN104272193A
公开(公告)日:2015-01-07
申请号:CN201380024161.8
申请日:2013-04-18
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/42 , C11D3/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种聚合性液晶组合物,更具体地说,涉及一种用于光学膜时具有热稳定性和液晶相区间的温度范围宽的特性且经济有效的聚合性液晶组合物。本发明中,将核结构不具有连接基而是相互以单键连接或者具有以多环结构连接的一个以上的环结构的液晶化合物混合于聚合性介晶(mesogenic)化合物而构成聚合性液晶组合物,由此液晶材料之间的相容性优异、化学上稳定、在宽的温度范围内保持液晶相,且使用于液晶光学膜时能够制造出具有优异的取向性、耐化学稳定性质的光学膜,由于制造方法较简单,因此经济有效。
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公开(公告)号:CN102161942A
公开(公告)日:2011-08-24
申请号:CN201110041801.9
申请日:2011-02-18
Applicant: 株式会社东进世美肯
Abstract: 本发明涉及包含N-甲基-2-吡咯烷酮以及1,3-二甲基-2-咪唑啉酮(1,3-Dimethyl-2-imidazolidinone)的沉积材料洗涤液组合物及利用该组合物的洗涤方法。若使用所述组合物,则能够迅速去除附着在光电设备制造装置上的沉积材料,从而可缩短制造工艺时间,其降低生产费用,确保工艺安全性。
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公开(公告)号:CN101676806A
公开(公告)日:2010-03-24
申请号:CN200910166147.7
申请日:2009-08-14
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种剥离剂组合物,其在薄膜晶体管液晶显示器的制备工艺中,用于再利用薄膜晶体管液晶显示器的热固性树脂形成过程中产生的不良基板,包括:(a)0.5-15重量份的氢氧化铵或具有碳原子数为1-4个的烷基的烷基氢氧化铵化合物;(b)9-89重量份的具有碳原子数为1-4个的烷基的烷撑二醇醚;(c)10-40重量份的甘醇化合物;(d)0.01-5重量份的防腐剂;以及(e)0.1-5重量份的水。本发明的剥离剂组合物可以在短时间内去除彩色光阻、正性或负性有机绝缘层,并不会使作为下部膜质的无机绝缘层和各种金属布线受损,从而可以再利用滤色器基板和薄膜晶体管基板。
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公开(公告)号:CN102161942B
公开(公告)日:2014-12-31
申请号:CN201110041801.9
申请日:2011-02-18
Applicant: 株式会社东进世美肯
Abstract: 本发明涉及包含N-甲基-2-吡咯烷酮以及1,3-二甲基-2-咪唑啉酮(1,3-Dimethyl-2-imidazolidinone)的沉积材料洗涤液组合物及利用该组合物的洗涤方法。若使用所述组合物,则能够迅速去除附着在光电设备制造装置上的沉积材料,从而可缩短制造工艺时间,其降低生产费用,确保工艺安全性。
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公开(公告)号:CN104272193B
公开(公告)日:2019-08-23
申请号:CN201380024161.8
申请日:2013-04-18
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/42 , C11D3/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种稀释剂组合物,更具体地说,涉及一种使用于半导体制造用晶片的边缘和后面部位而可在短时间内有效去除多余粘附的光致抗蚀剂,而且提高光致抗蚀剂RRC的性能而能够减少光致抗蚀剂的使用,并对人体的稳定性高、降低界面的段差而可用于多种工序、使半导体制造工序简单化而能够以低成本提高生产收率的稀释剂组合物。
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