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公开(公告)号：CN101104624A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710129077.9
申请日：2007-07-11
IPC: C07F7/30
CPC classification number: C07F7/30 , C23C16/305 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1683
Abstract: 提供一种锗(Ge)化合物。该Ge化合物具有化学式GeR1xR2y。“R1”是烷基，而“R2”是氢、氨基、烯丙基和乙烯基中的一种。“x”大于0并且小于4，并且“x”和“y”之和等于4。还提供形成Ge化合物的方法、使用该Ge化合物制备相变存储器器件的方法，以及使用该Ge化合物制备的相变存储器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101104624B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200710129077.9
申请日：2007-07-11
IPC: C07F7/30
CPC classification number: C07F7/30 , C23C16/305 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1683
Abstract: 提供一种锗(Ge)化合物。该Ge化合物具有化学式GeR1xR2y。“R1”是烷基，而“R2”是氢、氨基、烯丙基和乙烯基中的一种。“x”大于0并且小于4，并且“x”和“y”之和等于4。还提供形成Ge化合物的方法、使用该Ge化合物制备相变存储器器件的方法，以及使用该Ge化合物制备的相变存储器件。
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公开(公告)号：CN1996570A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610172410.X
申请日：2006-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L27/24 , H01L23/532 , H01L45/00 , G11C11/56 , G11C16/02
CPC classification number: H01L21/32051 , H01L21/28562 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/16
Abstract: 一种制造相变随机存取存储器件(RAM)的方法，包括在衬底上形成硫化物材料。在硫化物材料之下形成底接触，该底接触包括TiAlN。形成底接触包括执行原子层淀积(ALD)工序，ALD工序包括将NH3源气体引入处理室，在该处理室中执行ALD工序，NH3气体的流量为使得所得的底接触具有小于1at％的氯含量。根据全宽半幅(FWHM)，该底接触包括具有小于0.65度的结晶度的TiAlN。
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公开(公告)号：CN100479219C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510074362.6
申请日：2005-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 宋胤宗 , 黄荣南 , 南相敦 , 赵性来 , 高宽协 , 李忠满 , 具奉珍 , 河龙湖 , 李秀渊 , 郑椙旭 , 李智惠 , 柳庚昶 , 李世昊 , 安洙珍 , 朴淳五 , 李将银
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 在一个实施例中，相变存储器件具有防止存储单元污染或氧化的氧化阻挡层及其制造方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括覆盖在半导体衬底上的压模层。该压模层具有从其顶表面垂直扩展的突起部分。该器件进一步包括邻近突起部分的相变图案和电气连接至相变图案的下电极。
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公开(公告)号：CN1702883A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510074362.6
申请日：2005-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 宋胤宗 , 黄荣南 , 南相敦 , 赵性来 , 高宽协 , 李忠满 , 具奉珍 , 河龙湖 , 李秀渊 , 郑椙旭 , 李智惠 , 柳庚昶 , 李世昊 , 安洙珍 , 朴淳五 , 李将银
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 在一个实施例中，相变存储器件具有防止存储单元污染或氧化的氧化阻挡层及其制造方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括覆盖在半导体衬底上的压模层。该压模层具有从其顶表面垂直扩展的突起部分。该器件进一步包括邻近突起部分的相变图案和电气连接至相变图案的下电极。
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公开(公告)号：CN101106173A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710101022.7
申请日：2007-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1233 , C23C16/305 , C23C16/45523 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1683
Abstract: 一种形成相变材料层的方法，包括制备具有绝缘体和导体的衬底，将该衬底装载到处理室中，注入淀积气体到该处理室中，以在该导体的露出表面上有选择地形成相变材料层，以及从处理室卸载该衬底，其中该处理室中的淀积气体的寿命短于淀积气体通过热能起反应的时间。
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