公开(公告)号：CN101106173A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710101022.7

申请日：2007-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵性来 ,  李忠满 ,  李琎一 ,  林尚郁 ,  朴惠英 ,  朴瑛琳

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/1233 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45523 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

Abstract: 一种形成相变材料层的方法，包括制备具有绝缘体和导体的衬底，将该衬底装载到处理室中，注入淀积气体到该处理室中，以在该导体的露出表面上有选择地形成相变材料层，以及从处理室卸载该衬底，其中该处理室中的淀积气体的寿命短于淀积气体通过热能起反应的时间。