公开(公告)号：CN105557002A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201480051181.9

申请日：2014-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰贤 ,  林起永 ,  张祐赫 ,  朴惠英

IPC: H04W8/18

Abstract: 提供了一种通过电子装置传输信息的方法。所述方法包括：收集日志信息，确定保持活动消息传输周期是否到来，并且，当保持活动消息传输周期到来时，将日志信息发送到推送服务器。

公开(公告)号：CN102104055B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201010598271.3

申请日：2010-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正熙 ,  堀井秀树 ,  朴惠英 ,  吴真浩 ,  权贤俶

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/16 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供了可变电阻存储器及其形成方法。可变电阻存储器可以包括基板、在基板上的多个底电极、以及包括形成在其中的沟槽的第一层间绝缘层。沟槽暴露底电极并沿第一方向延伸。可变电阻存储器还包括顶电极和多个可变电阻图案，该顶电极设置在第一层间绝缘层上并沿与第一方向交叉的第二方向延伸，该多个可变电阻图案设置在沟槽中并具有与顶电极的侧壁对准的侧壁。

公开(公告)号：CN101236986A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810009221.X

申请日：2008-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权五谦 ,  金容燦 ,  吴埈锡 ,  金明希 ,  朴惠英

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/66568

Abstract: 本发明的一些实施例提供了高压晶体管以及制造所述高压晶体管的方法。所述高压晶体管包括：半导体基底；器件分隔膜，限定半导体基底中的有源区；栅电极，在半导体基底上沿有源区的中心的部分延伸并同时保持预定宽度；第二阱，在半导体基底中形成在栅电极的两侧，并部分地延伸到器件分隔膜的底表面。在半导体基底中的有源区包括：第一有源区，位于栅电极之下，并将器件分隔膜分开；第二有源区，由第一有源区和器件分隔膜限定。

公开(公告)号：CN106465077A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580034001.0

申请日：2015-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵钟奎 ,  朴宰贤 ,  朴惠英 ,  李基元 ,  林起永 ,  张佑赫 ,  郑汉成

IPC: H04W4/16 ,  H04W4/12 ,  H04W88/18

Abstract: 提供了一种用于在第一电子装置处显示与第二电子装置有关的识别信息的方法。所述方法包括：从第二电子装置接收呼叫或消息；向服务器请求与第二电子装置有关的识别信息；从服务器接收所请求的识别信息；以及在屏幕上显示接收到的识别信息。所述识别信息包括第一电子装置与第二电子装置之间的关系信息。

公开(公告)号：CN101104624A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710129077.9

申请日：2007-07-11

Applicant: 三星电子株式会社 ,  (株)DNF

Inventor： 朴惠英 ,  金铭云 ,  金震东 ,  李忠满 ,  李璡一

IPC: C07F7/30

CPC classification number: C07F7/30 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

Abstract: 提供一种锗(Ge)化合物。该Ge化合物具有化学式GeR1xR2y。“R1”是烷基，而“R2”是氢、氨基、烯丙基和乙烯基中的一种。“x”大于0并且小于4，并且“x”和“y”之和等于4。还提供形成Ge化合物的方法、使用该Ge化合物制备相变存储器器件的方法，以及使用该Ge化合物制备的相变存储器件。

公开(公告)号：CN106664566B

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201580035216.4

申请日：2015-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴惠英 ,  朴宰贤 ,  申载英

IPC: H04W12/12 ,  H04W4/12

Abstract: 根据本公开的各个实施方式，本公开提供一种通过电子装置通知短信诈骗的方法，包括：向短信诈骗检测服务器传输关于接收的消息的消息相关信息中的至少一项；从短信诈骗检测服务器接收关于消息的短信诈骗相关信息；以及当作出显示消息的请求时，显示消息的内容和接收的短信诈骗相关信息。

公开(公告)号：CN106664566A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580035216.4

申请日：2015-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴惠英 ,  朴宰贤 ,  申载英

IPC: H04W12/12 ,  H04W4/12

Abstract: 根据本公开的各个实施方式，本公开提供一种通过电子装置通知短信诈骗的方法，包括：向短信诈骗检测服务器传输关于接收的消息的消息相关信息中的至少一项；从短信诈骗检测服务器接收关于消息的短信诈骗相关信息；以及当作出显示消息的请求时，显示消息的内容和接收的短信诈骗相关信息。

公开(公告)号：CN102104055A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010598271.3

申请日：2010-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正熙 ,  堀井秀树 ,  朴惠英 ,  吴真浩 ,  权贤俶

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/16 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供了可变电阻存储器及其形成方法。可变电阻存储器可以包括基板、在基板上的多个底电极、以及包括形成在其中的沟槽的第一层间绝缘层。沟槽暴露底电极并沿第一方向延伸。可变电阻存储器还包括顶电极和多个可变电阻图案，该顶电极设置在第一层间绝缘层上并沿与第一方向交叉的第二方向延伸，该多个可变电阻图案设置在沟槽中并具有与顶电极的侧壁对准的侧壁。

公开(公告)号：CN105557002B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201480051181.9

申请日：2014-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰贤 ,  林起永 ,  张祐赫 ,  朴惠英

IPC: H04W8/18

Abstract: 提供了一种通过电子装置传输信息的方法。所述方法包括：收集日志信息，确定保持活动消息传输周期是否到来，并且，当保持活动消息传输周期到来时，将日志信息发送到推送服务器。

公开(公告)号：CN106471824A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201580034002.5

申请日：2015-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张佑赫 ,  朴宰贤 ,  朴惠英 ,  裵钟奎 ,  尹余禄 ,  李基元 ,  李齐贤 ,  林起永 ,  崔种烈

IPC: H04W4/02 ,  H04W4/22 ,  H04W88/18

Abstract: 公开了电子装置，包括有存储收集的电子装置的位置信息的存储器，以及被配置为将所收集的位置信息转换为表示地球的特定区域的代码信息的处理器。电子装置将代码信息发送到灾害信息提供装置，灾害信息的提供需要该灾害信息提供装置进行位置信息管理。还公开了灾害信息提供系统，包括有提供装置和多个移动电子装置。灾害相关信息被提供给被确定为位于受损地区内的那些装置，如由通过各个装置获得的并且提供给灾害信息提供装置的位置信息所确定的。