公开(公告)号：CN101104624A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710129077.9

申请日：2007-07-11

Applicant: 三星电子株式会社 ,  (株)DNF

Inventor： 朴惠英 ,  金铭云 ,  金震东 ,  李忠满 ,  李璡一

IPC: C07F7/30

CPC classification number: C07F7/30 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

Abstract: 提供一种锗(Ge)化合物。该Ge化合物具有化学式GeR1xR2y。“R1”是烷基，而“R2”是氢、氨基、烯丙基和乙烯基中的一种。“x”大于0并且小于4，并且“x”和“y”之和等于4。还提供形成Ge化合物的方法、使用该Ge化合物制备相变存储器器件的方法，以及使用该Ge化合物制备的相变存储器件。

公开(公告)号：CN101104624B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200710129077.9

申请日：2007-07-11

Applicant: 三星电子株式会社 ,  (株)DNF

Inventor： 朴惠英 ,  金铭云 ,  金震东 ,  李忠满 ,  李璡一

IPC: C07F7/30

CPC classification number: C07F7/30 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

Abstract: 提供一种锗(Ge)化合物。该Ge化合物具有化学式GeR1xR2y。“R1”是烷基，而“R2”是氢、氨基、烯丙基和乙烯基中的一种。“x”大于0并且小于4，并且“x”和“y”之和等于4。还提供形成Ge化合物的方法、使用该Ge化合物制备相变存储器器件的方法，以及使用该Ge化合物制备的相变存储器件。