公开(公告)号：CN102104055A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010598271.3

申请日：2010-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正熙 ,  堀井秀树 ,  朴惠英 ,  吴真浩 ,  权贤俶

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/16 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供了可变电阻存储器及其形成方法。可变电阻存储器可以包括基板、在基板上的多个底电极、以及包括形成在其中的沟槽的第一层间绝缘层。沟槽暴露底电极并沿第一方向延伸。可变电阻存储器还包括顶电极和多个可变电阻图案，该顶电极设置在第一层间绝缘层上并沿与第一方向交叉的第二方向延伸，该多个可变电阻图案设置在沟槽中并具有与顶电极的侧壁对准的侧壁。

公开(公告)号：CN102104055B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201010598271.3

申请日：2010-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正熙 ,  堀井秀树 ,  朴惠英 ,  吴真浩 ,  权贤俶

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/16 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供了可变电阻存储器及其形成方法。可变电阻存储器可以包括基板、在基板上的多个底电极、以及包括形成在其中的沟槽的第一层间绝缘层。沟槽暴露底电极并沿第一方向延伸。可变电阻存储器还包括顶电极和多个可变电阻图案，该顶电极设置在第一层间绝缘层上并沿与第一方向交叉的第二方向延伸，该多个可变电阻图案设置在沟槽中并具有与顶电极的侧壁对准的侧壁。