利用热处理制造薄介电层的方法及半导体器件

    公开(公告)号:CN100466196C

    公开(公告)日:2009-03-04

    申请号:CN200410010479.3

    申请日:2004-11-15

    Abstract: 在形成半导体器件的方法和根据该方法形成的半导体器件中,在下导电层和上导电层之间提供薄介电层。在一个实施例中,薄介电层由栅极间介电层构成,下导电层由浮置栅极构成,上介电层由晶体管例如非易失性存储单元晶体管的控制栅极构成。使用导致底层的浮置栅极的表面粗糙度减小和导致在浮置栅极上形成薄氮氧化硅层的热处理工艺形成薄介电层。在这种方式中,薄介电层提供了下浮置栅极和上控制栅极之间增强的电容耦合。这还导致晶体管的编程电压、擦除电压和读取电压降低,同时保持阈值电压在希望的范围中。另外,因为假定编程电压降低,则不需要激励电路,所以可以使晶体管和最终存储单元的尺寸小型化并且减轻对电路中高电压区的需要。

    可字节擦除非易失存储器

    公开(公告)号:CN1975932A

    公开(公告)日:2007-06-06

    申请号:CN200610101516.0

    申请日:2006-07-12

    Abstract: 本发明公开了一种非易失半导体存储器,其包括半导体衬底上的第一导电类型的半导体阱区。该半导体阱区在其中具有第二导电类型的公共源极扩散区,该公共源极扩散区在半导体阱区内延伸且与半导体阱区形成P-N整流节。可字节擦除EERPOM存储器阵列提供在半导体阱区内。该可字节擦除EERPOM存储器阵列配置来支持第一和第二多个EEPROM存储器单元的独立擦除,第一和第二多个EEPROM存储器单元电连接到公共源极扩散区。

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