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1.

发明公开
可字节擦除非易失存储器无效

公开(公告)号：CN1975932A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610101516.0

申请日：2006-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜盛泽 , 田喜锡 , 韩晶昱 , 李昌勋 , 徐辅永 , 全昌愍 , 洪恩美

IPC: G11C16/16

Abstract: 本发明公开了一种非易失半导体存储器，其包括半导体衬底上的第一导电类型的半导体阱区。该半导体阱区在其中具有第二导电类型的公共源极扩散区，该公共源极扩散区在半导体阱区内延伸且与半导体阱区形成P－N整流节。可字节擦除EERPOM存储器阵列提供在半导体阱区内。该可字节擦除EERPOM存储器阵列配置来支持第一和第二多个EEPROM存储器单元的独立擦除，第一和第二多个EEPROM存储器单元电连接到公共源极扩散区。

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