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公开(公告)号：CN102456655A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110349129.X
申请日：2011-10-14
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/49 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/37 , H01L2224/37011 , H01L2224/40 , H01L2224/40245 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00 , H01L2224/37099 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种半导体模块。以高成品率制造搭载有多个半导体芯片的半导体模块。在该半导体模块(10)中，6个半导体芯片(12)以2×3的布局搭载在引线框(11)上，并且在其上设置夹式引线(13)。该半导体模块(10)与外部的电连接是通过作为引线框(11)的一部分的第1引线(112)、隔着绝缘部(14)固定于引线框(11)的第2引线(15)和第3引线(16)来进行的。在夹式引线主体(131)上设置有24个圆形开口部。在夹式引线主体(131)的背面侧设置有6个凸部。6个凸部与6个半导体芯片(12)对应形成，并经由焊锡层与各半导体芯片(12)相接合。
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公开(公告)号：CN102420196A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110287851.5
申请日：2011-09-26
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L23/3107 , H01L2224/32245 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/10344 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体模块的设计方法、半导体模块。可低成本地得到安装有采用化合物半导体或金刚石等的高性能功率半导体元件的半导体模块。在该半导体模块(10)中，在单个引线框(11)上，以纵横方向各排列2个的方式安装有同一规格的4个二极管芯片(半导体芯片)(12)。为了低成本地得到该半导体模块(10)，需要同时增高二极管芯片(12)的成品率，并且减少无用区域。因此，作为用于对此进行决定的指数，采用芯片成品率(YDie)与活性区域面积比(RA)的乘积是有效的。如果根据所使用的晶片的结晶缺陷密度，设定使得该指数变高、即接近峰值的芯片尺寸，则能够以高成品率得到半导体模块(10)。
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公开(公告)号：CN205564736U
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201620122033.8
申请日：2016-02-16
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 荻野博之
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111
Abstract: 半导体装置，能够提高树脂紧贴性和引线接合性而具有高可靠性。本实用新型的半导体装置具有：第1散热板；第2散热板；第1引线端子；第2引线端子；第3引线端子；第4引线端子；第1半导体芯片，其搭载于第1散热板的主面；第2半导体芯片，其搭载于第2散热板的主面；以及模塑材料，其覆盖上述部分，第1引线端子和第2引线端子与第3引线端子和第4引线端子分别从模塑材料的一对侧面各自向相反方向被导出，其特征在于，第4引线端子与第2散热板相连接，在第4引线端子的第2散热板侧具有多个贯通孔，该贯通孔朝向第4引线端子的厚度方向贯通，在贯通孔之间进行了引线接合。
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公开(公告)号：CN205104480U
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201520920357.1
申请日：2015-11-18
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/367
CPC classification number: H01L2224/37124 , H01L2224/37144 , H01L2224/37147 , H01L2224/40245 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2924/00014
Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置，对于确保大电流容量的市场要求，无需多次进行较粗铝线的引线接合，即可确保大电流容量。本实用新型的半导体装置具有：半导体元件、引线框架、将所述半导体元件和所述引线框架电连接的导电部件、以及以包围所述半导体元件的方式配置的壳体，该半导体装置使用密封体对被所述壳体包围的区域进行密封，所述半导体装置的特征在于，所述导电部件具有：板状的一对连接部；板状的一对桥墩部，其与所述连接部的一端相连结，并且形成为从连接部向上方立起；以及板状的桥板部，其连结所述一对桥墩部的上端。
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公开(公告)号：CN205104481U
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201520920392.3
申请日：2015-11-18
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置，其防止了空隙和焊缝的产生，可靠性高。本实用新型的半导体装置具有：半导体元件；引线框架，其在主面上载置有半导体元件，并且具有外部引线；以及使外部引线从密封树脂体突出而进行密封的结构，该半导体装置的特征在于，引线框架的与外部引线相对的前端接近密封树脂体的处于密封树脂的填充浇口处的端部，密封树脂体在与密封树脂的填充方向垂直的方向上的端部具有流动抑制部，所述流动抑制部用于抑制密封树脂的流动。另外，该半导体装置的特征在于，流动抑制部是阶梯形状或锥形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204905234U
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201520714491.6
申请日：2015-09-15
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/02
Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置，所述半导体装置具有：基板，其载置有半导体元件；外壳，其配置于所述基板上，并以包围所述半导体元件的方式设置；以及覆盖板，其配置于所述外壳上；其中，所述半导体装置还具有电力用端子以及信号用端子，所述电力用端子的截面面积比所述信号用端子的截面面积大，并且所述信号用端子所使用材料的机械强度大于所述电力用端子所使用材料的机械强度。通过本实用新型，不但较细的端子能维持机械强度而不容易发生变形，而且能够降低端子的成本。
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公开(公告)号：CN205406513U
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201620121662.9
申请日：2016-02-16
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171
Abstract: 半导体装置，能够提高树脂紧贴性和引线接合性而具有高可靠性。该半导体装置具有：第1散热板；第2散热板；第1引线端子；第2引线端子；第3引线端子；第4引线端子；第1半导体芯片，其搭载于第1散热板的主面；第2半导体芯片，其搭载于第2散热板的主面；以及模塑材料，其覆盖上述部分，第1引线端子和第2引线端子与第3引线端子和第4引线端子分别从模塑材料的一对侧面各自向相反方向被导出，其特征在于，在第1引线端子和第2引线端子与第3引线端子和第4引线端子的处于模塑材料内部的部分处，具有贯通孔和凸部，该贯通孔朝向各引线端子的厚度方向贯通，该凸部在模塑内部呈L字形状，第2散热板和没有凸部的引线端子具有长孔形状的贯通孔。
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公开(公告)号：CN203910779U
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201420348295.7
申请日：2014-06-26
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/31
Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置。在焊锡熔融时，存在剩余焊锡与相邻的芯片承载的焊锡或者芯片承载接触而电短路的危险。本实用新型的半导体装置的特征在于，具备：引线框架，其具有芯片承载和端子；半导体芯片，其搭载于芯片承载的上表面；以及树脂封装体，其覆盖半导体芯片、芯片承载和端子的上表面，该半导体装置具有搭载多行多列(至少两行两列)的芯片的芯片承载，并且是使至少一处以上的芯片承载的背面从封装背面露出的HOSN封装，所述半导体装置具有焊锡引导路，该焊锡引导路以芯片承载下的焊锡不会流动至相邻的芯片承载的方式使剩余的焊锡流动。
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公开(公告)号：CN202796924U
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201220330136.5
申请日：2012-07-06
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 荻野博之
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置，其能够降低半导体元件之间的热干扰，抑制封装体内的热膨胀差导致的应变的产生，且具有对于变形载重较强耐性。作为解决手段，本实用新型的半导体装置具有半导体元件、引线框、树脂密封体，其特征在于，引线框由功率用引线框和控制用引线框构成，按照每个半导体元件分离功率用引线框，功率用引线框的一部分越过与控制用引线框的分离边界，扩展至控制用引线框的左右两侧。
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公开(公告)号：CN202549842U
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201220187652.7
申请日：2012-04-27
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型提供能够仅通过引线框架来对功率半导体元件产生的热进行散热，具有简单的结构的半导体模块。本实用新型的半导体模块的特征在于，具有功率下垫板和传热下垫板，在功率下垫板上搭载功率半导体元件并配置为大致一条直线，传热下垫板与功率下垫板相邻并配置为大致直角状。另外，其特征在于，控制半导体元件为驱动半导体元件和控制性半导体元件，在驱动半导体元件上搭载有过热保护电路，且驱动半导体元件与功率半导体元件侧邻接配置。
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